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公开(公告)号：TW201830638A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106113718
申请日：2017-04-25
Inventor： 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU
IPC: H01L23/528
Abstract: 一種半導體裝置包括：主動區，包括源極/汲極區；以及多個多晶矽條帶，相互間隔開且跨越所述主動區沿第一方向排列。所述第一方向與所述主動區的長度方向實質上垂直。第一金屬圖案配置於所述多晶矽條帶上且沿所述第一方向排列。多個第一內連線插塞夾置於所述多晶矽條帶與所述第一金屬圖案之間以及所述主動區與所述第一金屬圖案之間。所述第一內連線插塞的位置沿所述第一方向變化。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括：主动区，包括源极/汲极区；以及多个多晶硅条带，相互间隔开且跨越所述主动区沿第一方向排列。所述第一方向与所述主动区的长度方向实质上垂直。第一金属图案配置于所述多晶硅条带上且沿所述第一方向排列。多个第一内连接插塞夹置于所述多晶硅条带与所述第一金属图案之间以及所述主动区与所述第一金属图案之间。所述第一内连接插塞的位置沿所述第一方向变化。
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公开(公告)号：TWI676984B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107132248
申请日：2018-09-13
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH-WEI , 莊惠中 , ZHUANG, HUI-ZHONG , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 田麗鈞 , TIEN, LI-CHUN , 蘇品岱 , SUE, PIN-DAI , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG
IPC: G11C11/40
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公开(公告)号：TW201820416A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106128563
申请日：2017-08-23
Inventor： 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 莊正吉 , CHUANG, CHENG-CHI , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 吳佳典 , WU, CHIA-TIEN , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 周雷峻 , CHOU, LEI-CHUN
Abstract: 一種自對準通孔及利用由雙重溝渠約束的自對準製程形成所述通孔來製作半導體裝置的方法。所述方法包括形成第一溝渠及在所述第一溝渠中沉積第一金屬。此後，所述製程包括在第一金屬之上沉積介電層，使得所述介電層的頂表面處於與第一溝渠的頂表面實質上相同的水平高度。接下來，形成第二溝渠且通過蝕刻介電層的被第一溝渠與所述第二溝渠之間的重疊區暴露出的部分來形成通孔。通孔暴露出第一金屬的一部分，且在第二溝渠中沉積第二金屬，使得所述第二金屬電耦合到所述第一金屬。
Abstract in simplified Chinese: 一种自对准通孔及利用由双重沟渠约束的自对准制程形成所述通孔来制作半导体设备的方法。所述方法包括形成第一沟渠及在所述第一沟渠中沉积第一金属。此后，所述制程包括在第一金属之上沉积介电层，使得所述介电层的顶表面处于与第一沟渠的顶表面实质上相同的水平高度。接下来，形成第二沟渠且通过蚀刻介电层的被第一沟渠与所述第二沟渠之间的重叠区暴露出的部分来形成通孔。通孔暴露出第一金属的一部分，且在第二沟渠中沉积第二金属，使得所述第二金属电耦合到所述第一金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI688070B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107134218
申请日：2018-09-28
Inventor： 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 吳佳典 , WU, CHIA-TIEN , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 莊正吉 , CHUANG, CHENG-CHI , 周雷峻 , CHOU, LEI-CHUN , 賴韋安 , LAI, WEI-AN
IPC: H01L23/522 , H01L21/60 , G06Q50/04
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公开(公告)号：TWI681520B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW108105401
申请日：2019-02-19
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH-WEI , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG
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公开(公告)号：TW201839871A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106137336
申请日：2017-10-30
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH-WEI , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 一種半導體裝置或結構包括第一圖案金屬層，所述第一圖案金屬層設置在第一供電金屬區與第二供電金屬區之間，所述第一圖案金屬層包括內部路線及電源路線。跟隨引脚將第一供電金屬區耦合到電源路線。第二供電金屬區比第一供電金屬區寬。第一供電金屬區具有與第一圖案金屬層實質上相同的厚度。第一供電金屬區包含第一金屬且跟隨引脚包含第二金屬。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备或结构包括第一图案金属层，所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间，所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一图案金属层实质上相同的厚度。第一供电金属区包含第一金属且跟随引脚包含第二金属。
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公开(公告)号：TW201820481A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106120371
申请日：2017-06-19
Inventor： 周雷峻 , CHOU, LEI-CHUN , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 曾晉沅 , TSENG, CHIN-YUAN , 陳欣志 , CHEN, HSIN-CHIH , 朱熙甯 , JU, SHI-NING , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 林緯良 , LIN, WEI-LIANG
IPC: H01L21/336 , H01L29/41
Abstract: 一種製造半導體裝置的方法包括：在基底上沉積第一材料；在所述基底上沉積第二材料，所述第二材料的蝕刻選擇性與所述第一材料的蝕刻選擇性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉積間隙壁材料；以及使用所述間隙壁材料作為蝕刻罩幕來蝕刻所述基底，以在所述第一材料之下形成鰭以及在所述第二材料之下形成鰭。
Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体设备的方法包括：在基底上沉积第一材料；在所述基底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隙壁材料；以及使用所述间隙壁材料作为蚀刻罩幕来蚀刻所述基底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。
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公开(公告)号：TW202005031A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118403
申请日：2019-05-28
Inventor： 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 周雷峻 , CHOU, LEI-CHUN , 劉 逸群 , LIU, JACK , 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 劉俊宏 , LIOU, CHUN-HUNG , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 楊 超源 , YOUNG, CHEW-YUEN
IPC: H01L23/522
Abstract: 本發明實施例係關於一種半導體裝置，其包含一基板、一介電區、複數個導電區、一第一導電軌及一導電結構。該介電區位於該基板上。該複數個導電區位於該介電區上。該第一導電軌位於該介電區內，且電連接至該複數個導電區之一第一導電區。該導電結構經配置以穿透該基板且形成於該第一導電軌下方。該導電結構電連接至該第一導電軌。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种半导体设备，其包含一基板、一介电区、复数个导电区、一第一导电轨及一导电结构。该介电区位于该基板上。该复数个导电区位于该介电区上。该第一导电轨位于该介电区内，且电连接至该复数个导电区之一第一导电区。该导电结构经配置以穿透该基板且形成于该第一导电轨下方。该导电结构电连接至该第一导电轨。
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