積體電路結構、其設計系統及其形成方法
    3.
    发明专利
    積體電路結構、其設計系統及其形成方法 审中-公开
    集成电路结构、其设计系统及其形成方法

    公开(公告)号:TW201820397A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:TW106141619

    申请日:2017-11-29

    Abstract: 一種積體電路結構包括第一阱、植入物第一集合及植入物第二集合。所述第一阱包括:第一摻雜劑類型;第一部分,在第一方向上延伸且具有第一寬度;以及第二部分,與所述第一部分相鄰。所述第二部分在所述第一方向上延伸且具有大於所述第一寬度的第二寬度。所述植入物第一集合位於所述第一阱的所述第一部分中,且所述植入物第二集合位於所述第一阱的所述第二部分中。所述植入物第一集合中的至少一個植入物被配置成耦合至第一電源電壓。所述植入物第二集合中的每一植入物具有與所述植入物第一集合的第一摻雜劑類型不同的第二摻雜劑類型。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路结构包括第一阱、植入物第一集合及植入物第二集合。所述第一阱包括:第一掺杂剂类型;第一部分,在第一方向上延伸且具有第一宽度;以及第二部分,与所述第一部分相邻。所述第二部分在所述第一方向上延伸且具有大于所述第一宽度的第二宽度。所述植入物第一集合位于所述第一阱的所述第一部分中,且所述植入物第二集合位于所述第一阱的所述第二部分中。所述植入物第一集合中的至少一个植入物被配置成耦合至第一电源电压。所述植入物第二集合中的每一植入物具有与所述植入物第一集合的第一掺杂剂类型不同的第二掺杂剂类型。

    積體電路
    5.
    发明专利
    積體電路 审中-公开
    集成电路

    公开(公告)号:TW202018864A

    公开(公告)日:2020-05-16

    申请号:TW108137550

    申请日:2019-10-17

    Abstract: 本案提供一種積體電路,此積體電路包括基板及在與基板的頂表面平行的第一方向上延伸的第一導電線,其中第一導電線距離基板的頂表面第一距離。積體電路進一步包括在與基板的頂表面平行的第二方向上延伸的第二導電線,其中此第二導電線距離基板的頂表面第二距離,並且第二距離大於第一距離。積體電路進一步包括在第一方向上延伸的第三導電線,其中第三導電線距離基板的頂表面第三距離,並且第三距離大於第二距離。積體電路進一步包括直接連接至第一導電線及第三導電線的超通孔。

    Abstract in simplified Chinese: 本案提供一种集成电路,此集成电路包括基板及在与基板的顶表面平行的第一方向上延伸的第一导电线,其中第一导电线距离基板的顶表面第一距离。集成电路进一步包括在与基板的顶表面平行的第二方向上延伸的第二导电线,其中此第二导电线距离基板的顶表面第二距离,并且第二距离大于第一距离。集成电路进一步包括在第一方向上延伸的第三导电线,其中第三导电线距离基板的顶表面第三距离,并且第三距离大于第二距离。集成电路进一步包括直接连接至第一导电线及第三导电线的超通孔。

    半導體開關結構
    8.
    发明专利
    半導體開關結構 审中-公开
    半导体开关结构

    公开(公告)号:TW201737491A

    公开(公告)日:2017-10-16

    申请号:TW106111774

    申请日:2017-04-07

    Abstract: 一種半導體開關結構的實施例,包含源極接觸、汲極接觸、閘極與鰭片。接觸與閘極沿著第一方向延伸並且在垂直第一方向的第二方向上彼此間隔。閘極散佈於接觸之間。鰭片位於接觸與閘極兩者之下。鰭片沿第二方向延伸並且在第一方向上彼此間隔。接觸柱延伸穿過接觸之一,並且未碰觸閘極或鰭片。閘極柱延伸穿過閘極之一,並且未碰觸接觸或鰭片。接觸-閘極柱與接觸與閘極碰觸,但未與鰭片碰觸。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体开关结构的实施例,包含源极接触、汲极接触、闸极与鳍片。接触与闸极沿着第一方向延伸并且在垂直第一方向的第二方向上彼此间隔。闸极散布于接触之间。鳍片位于接触与闸极两者之下。鳍片沿第二方向延伸并且在第一方向上彼此间隔。接触柱延伸穿过接触之一,并且未碰触闸极或鳍片。闸极柱延伸穿过闸极之一,并且未碰触接触或鳍片。接触-闸极柱与接触与闸极碰触,但未与鳍片碰触。

Patent Agency Ranking