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公开(公告)号：TW201503333A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103120136
申请日：2014-06-11
发明人： 高敏峰 , KAO, MIN FENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN , 陳思瑩 , CHEN, SZU YING , 徐偉誠 , HSU, WEI CHENG , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L27/14687 , H01L31/102 , H01L31/18
摘要： 一種裝置，包括：一元件隔離區，形成於一半導體基板內，該元件隔離區具有複數個缺口；一或多個感光元件，位於該些缺口內；一假閘極結構，形成於該半導體基板上；一摻雜偏壓區，形成於該元件隔離區內，其中該假閘極結構包括部分地環繞該摻雜偏壓區之至少一結構；以及一介層物，連結於該摻雜偏壓區。
简体摘要： 一种设备，包括：一组件隔离区，形成于一半导体基板内，该组件隔离区具有复数个缺口；一或多个感光组件，位于该些缺口内；一假闸极结构，形成于该半导体基板上；一掺杂偏压区，形成于该组件隔离区内，其中该假闸极结构包括部分地环绕该掺杂偏压区之至少一结构；以及一介层物，链接于该掺杂偏压区。
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公开(公告)号：TWI674669B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107122076
申请日：2018-06-27
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 王昱仁 , WANG, YU JEN , 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 吳尉壯 , WU, WEI CHUANG , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN
IPC分类号： H01L27/146
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公开(公告)号：TWI591810B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW105100353
申请日：2016-01-07
发明人： 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 王子睿 , WANG, TZU JUI , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 王昱仁 , WANG, YU JEN , 山下雄一郎 , YAMASHITA, YUICHIRO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
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公开(公告)号：TWI517369B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW102119881
申请日：2013-06-05
发明人： 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643
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公开(公告)号：TWI675466B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107121125
申请日：2018-06-20
发明人： 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 王昱仁 , WANG, YU JEN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN
IPC分类号： H01L27/146
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公开(公告)号：TWI595646B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW104141330
申请日：2015-12-09
发明人： 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 賴志育 , LAI, CHIH YU , 周世培 , CHOU, SHIHPEI , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 蔡敏瑛 , TSAI, MIN YING
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/76205 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/76232 , H01L27/1463 , H01L29/0653
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公开(公告)号：TW201401493A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102119881
申请日：2013-06-05
发明人： 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643
摘要： 本發明揭露一種半導體裝置，包含：第一隔離區與一第二隔離區，被基底支持；第一陣列井區，被第一隔離區支持，第一陣列井區具有嵌於其內的第一場佈植層，第一場佈植層圍繞第一淺溝槽隔離區；第二陣列井區，被第二隔離區支持，第二陣列井區支持摻雜區與汲極並具有嵌於其內的第二場佈植層，第二場佈植層圍繞第二淺溝槽隔離區；光學二極體堆疊體，置於第一隔離區與第二隔離區之間的基底中；以及閘氧化物，形成於光學二極體堆疊體的最上端的光學二極體的上方，閘氧化物與最上端的光學二極體的矽形成界面，在界面的氮濃度與峰值氮濃度偏離。
简体摘要： 本发明揭露一种半导体设备，包含：第一隔离区与一第二隔离区，被基底支持；第一数组井区，被第一隔离区支持，第一数组井区具有嵌于其内的第一场布植层，第一场布植层围绕第一浅沟槽隔离区；第二数组井区，被第二隔离区支持，第二数组井区支持掺杂区与汲极并具有嵌于其内的第二场布植层，第二场布植层围绕第二浅沟槽隔离区；光学二极管堆栈体，置于第一隔离区与第二隔离区之间的基底中；以及闸氧化物，形成于光学二极管堆栈体的最上端的光学二极管的上方，闸氧化物与最上端的光学二极管的硅形成界面，在界面的氮浓度与峰值氮浓度偏离。
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公开(公告)号：TW201349472A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102116478
申请日：2013-05-09
发明人： 高敏峰 , KAO, MIN FENG , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 劉人誠 , LIU, JEN CHENG , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN CHIEH , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 許慈軒 , HSU, TZU HSUAN
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/1461 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/02 , H01L31/103 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一種影像感測裝置，包括一二極體。該二極體包括位於一半導體基板內之一第一摻雜區、一第二摻雜區與一第三摻雜區。該第一摻雜區為一第一導電類型，且具有一第一摻質濃度。該第二摻雜區為該第一導電類型，且具有少於該第一摻質濃度之一第二摻質濃度。該第二摻雜區係環繞該第一摻雜區。該第三摻雜區具有相反於該第一導電類型之一第二導電類型，其中該第三摻雜區覆蓋該第一摻雜區之一部以及該第二摻雜區之一部。
简体摘要： 一种影像传感设备，包括一二极管。该二极管包括位于一半导体基板内之一第一掺杂区、一第二掺杂区与一第三掺杂区。该第一掺杂区为一第一导电类型，且具有一第一掺质浓度。该第二掺杂区为该第一导电类型，且具有少于该第一掺质浓度之一第二掺质浓度。该第二掺杂区系环绕该第一掺杂区。该第三掺杂区具有相反于该第一导电类型之一第二导电类型，其中该第三掺杂区覆盖该第一掺杂区之一部以及该第二掺杂区之一部。
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公开(公告)号：TW201715713A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105100353
申请日：2016-01-07
发明人： 陳春元 , CHEN, CHUN YUAN , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 丁世汎 , TING, SHYH FANN , 王子睿 , WANG, TZU JUI , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 王昱仁 , WANG, YU JEN , 山下雄一郎 , YAMASHITA, YUICHIRO
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 本揭露係關於一種互補式金氧半影像感測器及其形成方法。互補式金氧半影像感測器具有一畫素區域，設置於一半導體基底中。畫素區域具有一影像感測元件，其係配置將射線轉換為電子訊號。數個背側深溝槽隔離結構，延伸至半導體基底中，且位於畫素區域的相對側上。一摻雜區域橫向排設於背側深溝槽隔離結構之間且將影像感測元件自背側深溝槽隔離結構與半導體基底的背側隔開。與背側深溝槽隔離結構隔開的影像感測元件可防止影像感測元件與鄰近背側深溝槽隔離結構之邊緣的介面缺陷交互作用，因此可降低暗電流以及白畫素數目。
简体摘要： 本揭露系关于一种互补式金氧半影像传感器及其形成方法。互补式金氧半影像传感器具有一像素区域，设置于一半导体基底中。像素区域具有一影像传感组件，其系配置将射线转换为电子信号。数个背侧深沟槽隔离结构，延伸至半导体基底中，且位于像素区域的相对侧上。一掺杂区域横向排设于背侧深沟槽隔离结构之间且将影像传感组件自背侧深沟槽隔离结构与半导体基底的背侧隔开。与背侧深沟槽隔离结构隔开的影像传感组件可防止影像传感组件与邻近背侧深沟槽隔离结构之边缘的界面缺陷交互作用，因此可降低暗电流以及白像素数目。
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公开(公告)号：TW201709503A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104141330
申请日：2015-12-09
发明人： 周正賢 , CHOU, CHENG HSIEN , 曾曉暉 , TSENG, HSIAO HUI , 賴志育 , LAI, CHIH YU , 周世培 , CHOU, SHIHPEI , 江彥廷 , CHIANG, YEN TING , 蔡敏瑛 , TSAI, MIN YING
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L21/76205 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/76232 , H01L27/1463 , H01L29/0653
摘要： 方法包括在半導體基板上執行非等向性蝕刻以形成溝渠。溝渠具有垂直側壁及連接至垂直側壁的圓形底部。執行損傷移除以移除半導體基板之表面層，其中表面層曝露於溝渠中。蝕刻溝渠之圓形底部以形成傾斜筆直底表面。填充溝渠以在溝渠中形成溝渠隔離結構區域。
简体摘要： 方法包括在半导体基板上运行非等向性蚀刻以形成沟渠。沟渠具有垂直侧壁及连接至垂直侧壁的圆形底部。运行损伤移除以移除半导体基板之表面层，其中表面层曝露于沟渠中。蚀刻沟渠之圆形底部以形成倾斜笔直底表面。填充沟渠以在沟渠中形成沟渠隔离结构区域。
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