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公开(公告)号：TW201839871A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106137336
申请日：2017-10-30
Inventor： 彭士瑋 , PENG, SHIH-WEI , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 一種半導體裝置或結構包括第一圖案金屬層，所述第一圖案金屬層設置在第一供電金屬區與第二供電金屬區之間，所述第一圖案金屬層包括內部路線及電源路線。跟隨引脚將第一供電金屬區耦合到電源路線。第二供電金屬區比第一供電金屬區寬。第一供電金屬區具有與第一圖案金屬層實質上相同的厚度。第一供電金屬區包含第一金屬且跟隨引脚包含第二金屬。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备或结构包括第一图案金属层，所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间，所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一图案金属层实质上相同的厚度。第一供电金属区包含第一金属且跟随引脚包含第二金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI688070B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107134218
申请日：2018-09-28
Inventor： 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 吳佳典 , WU, CHIA-TIEN , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 莊正吉 , CHUANG, CHENG-CHI , 周雷峻 , CHOU, LEI-CHUN , 賴韋安 , LAI, WEI-AN
IPC: H01L23/522 , H01L21/60 , G06Q50/04
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公开(公告)号：TW201830499A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106136030
申请日：2017-10-20
Inventor： 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 高克斌 , KAO, KO-BIN , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 陳順利 , CHEN, SHUN-LI
Abstract: 一種製造半導體裝置的導體的方法，所述方法包括：在基座上形成結構；以及自所述結構中去除第一組的組員中的選定部分及第二組的組員中的選定部分。所述結構包括：具頂蓋的第一導體，平行於第一方向排列；以及具頂蓋的第二導體，平行於具頂蓋的第一導體排列且與所述具頂蓋的第一導體穿插配置。具頂蓋的第一導體被組織成至少第一組及第二組。第一組的每一組員具有第一頂蓋，所述第一頂蓋具有第一蝕刻敏感性。第二組的每一組員具有第二頂蓋，所述第二頂蓋具有第二蝕刻敏感性。具頂蓋的第二導體中的每一者具有第三蝕刻敏感性。第一蝕刻敏感性、第二蝕刻敏感性及第三蝕刻敏感性是不同的。
Abstract in simplified Chinese: 一种制造半导体设备的导体的方法，所述方法包括：在基座上形成结构；以及自所述结构中去除第一组的组员中的选定部分及第二组的组员中的选定部分。所述结构包括：具顶盖的第一导体，平行于第一方向排列；以及具顶盖的第二导体，平行于具顶盖的第一导体排列且与所述具顶盖的第一导体穿插配置。具顶盖的第一导体被组织成至少第一组及第二组。第一组的每一组员具有第一顶盖，所述第一顶盖具有第一蚀刻敏感性。第二组的每一组员具有第二顶盖，所述第二顶盖具有第二蚀刻敏感性。具顶盖的第二导体中的每一者具有第三蚀刻敏感性。第一蚀刻敏感性、第二蚀刻敏感性及第三蚀刻敏感性是不同的。
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公开(公告)号：TWI673777B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106136030
申请日：2017-10-20
Inventor： 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 楊 超源 , YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 高克斌 , KAO, KO-BIN , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 陳順利 , CHEN, SHUN-LI
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公开(公告)号：TW202005031A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118403
申请日：2019-05-28
Inventor： 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 周雷峻 , CHOU, LEI-CHUN , 劉 逸群 , LIU, JACK , 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 林威呈 , LIN, WEI-CHENG , 劉俊宏 , LIOU, CHUN-HUNG , 曾健庭 , TZENG, JIANN-TYNG , 楊 超源 , YOUNG, CHEW-YUEN
IPC: H01L23/522
Abstract: 本發明實施例係關於一種半導體裝置，其包含一基板、一介電區、複數個導電區、一第一導電軌及一導電結構。該介電區位於該基板上。該複數個導電區位於該介電區上。該第一導電軌位於該介電區內，且電連接至該複數個導電區之一第一導電區。該導電結構經配置以穿透該基板且形成於該第一導電軌下方。該導電結構電連接至該第一導電軌。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例系关于一种半导体设备，其包含一基板、一介电区、复数个导电区、一第一导电轨及一导电结构。该介电区位于该基板上。该复数个导电区位于该介电区上。该第一导电轨位于该介电区内，且电连接至该复数个导电区之一第一导电区。该导电结构经配置以穿透该基板且形成于该第一导电轨下方。该导电结构电连接至该第一导电轨。
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公开(公告)号：TW201729133A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105137510
申请日：2016-11-16
Inventor： 蕭錦濤 , SIO, KAM-TOU , 溫宗堯 , WEN, TSUNG-YAO , 賴志明 , LAI, CHIH-MING , 楊惠婷 , YANG, HUI-TING , 賴瑞堯 , LAI, JUI-YAO , 陳志良 , CHEN, CHIH-LIANG , 陳俊光 , CHEN, CHUN-KUANG , 劉如淦 , LIU, RU-GUN , 陳燕銘 , CHEN, YEN-MING , 楊 超源 , YOUNG, CHEW-YUEN
IPC: G06F17/50 , H01L21/027
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 由至少一個處理器執行一種佈局修改方法。該佈局修改方法包含：由該至少一個處理器分析一電路單元佈局之複數個特定佈局片段之分配以判定來自該複數個特定佈局片段之一第一特定佈局片段及一第二特定佈局片段；由該至少一個處理器判定該第一特定佈局片段及該第二特定佈局片段是否耦合至一第一訊號位準；及當該第一特定佈局片段及該第二特定佈局片段耦合至該第一訊號位準時，由該至少一個處理器將該第一特定佈局片段及該第二特定佈局片段合併成一第一經合併佈局片段。
Abstract in simplified Chinese: 由至少一个处理器运行一种布局修改方法。该布局修改方法包含：由该至少一个处理器分析一电路单元布局之复数个特定布局片段之分配以判定来自该复数个特定布局片段之一第一特定布局片段及一第二特定布局片段；由该至少一个处理器判定该第一特定布局片段及该第二特定布局片段是否耦合至一第一信号位准；及当该第一特定布局片段及该第二特定布局片段耦合至该第一信号位准时，由该至少一个处理器将该第一特定布局片段及该第二特定布局片段合并成一第一经合并布局片段。
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