公开(公告)号：TWI587361B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW103144815

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李香寰 ,  LEE, HSIANGHUAN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN ,  蒯光國 ,  KOAI, KUANGKUO ,  陳海清 ,  CHEN, HAICHING ,  曾同慶 ,  TSENG, TUNGCHING ,  楊文成 ,  YANG, WENCHENG ,  高宗恩 ,  KAO, CHUNGEN ,  李明翰 ,  LEE, MINGHAN ,  黃心巖 ,  HUANG, HSINYEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877

公开(公告)号：TW201530611A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103144815

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李香寰 ,  LEE, HSIANGHUAN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN ,  蒯光國 ,  KOAI, KUANGKUO ,  陳海清 ,  CHEN, HAICHING ,  曾同慶 ,  TSENG, TUNGCHING ,  楊文成 ,  YANG, WENCHENG ,  高宗恩 ,  KAO, CHUNGEN ,  李明翰 ,  LEE, MINGHAN ,  黃心巖 ,  HUANG, HSINYEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877

Abstract: 一種半導體元件金屬化系統及其方法，在多個實施方式中，一半導體元件金屬化系統包含一主框架以及複數個模組設置在緊鄰該主框架的位置。複數個模組其中之一包含一物理氣相沉積製程模組以及複數個模組其中之一包含一紫外線固化模組。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件金属化系统及其方法，在多个实施方式中，一半导体组件金属化系统包含一主框架以及复数个模块设置在紧邻该主框架的位置。复数个模块其中之一包含一物理气相沉积制程模块以及复数个模块其中之一包含一紫外线固化模块。