-
公开(公告)号:TWI587361B
公开(公告)日:2017-06-11
申请号:TW103144815
申请日:2014-12-22
Inventor: 李香寰 , LEE, HSIANGHUAN , 眭曉林 , SHUE, SHAULIN , 蒯光國 , KOAI, KUANGKUO , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 曾同慶 , TSENG, TUNGCHING , 楊文成 , YANG, WENCHENG , 高宗恩 , KAO, CHUNGEN , 李明翰 , LEE, MINGHAN , 黃心巖 , HUANG, HSINYEN
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
-
公开(公告)号:TWI505359B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:TW102129154
申请日:2013-08-14
Inventor: 黃心巖 , HUANG, HSINYEN , 鄧志霖 , TENG, CHILIN , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 包天一 , BAO, TIENI
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76885 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
-
公开(公告)号:TW201530611A
公开(公告)日:2015-08-01
申请号:TW103144815
申请日:2014-12-22
Inventor: 李香寰 , LEE, HSIANGHUAN , 眭曉林 , SHUE, SHAULIN , 蒯光國 , KOAI, KUANGKUO , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 曾同慶 , TSENG, TUNGCHING , 楊文成 , YANG, WENCHENG , 高宗恩 , KAO, CHUNGEN , 李明翰 , LEE, MINGHAN , 黃心巖 , HUANG, HSINYEN
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
Abstract: 一種半導體元件金屬化系統及其方法,在多個實施方式中,一半導體元件金屬化系統包含一主框架以及複數個模組設置在緊鄰該主框架的位置。複數個模組其中之一包含一物理氣相沉積製程模組以及複數個模組其中之一包含一紫外線固化模組。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件金属化系统及其方法,在多个实施方式中,一半导体组件金属化系统包含一主框架以及复数个模块设置在紧邻该主框架的位置。复数个模块其中之一包含一物理气相沉积制程模块以及复数个模块其中之一包含一紫外线固化模块。
-
公开(公告)号:TW201436037A
公开(公告)日:2014-09-16
申请号:TW102129154
申请日:2013-08-14
Inventor: 黃心巖 , HUANG, HSINYEN , 鄧志霖 , TENG, CHILIN , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 包天一 , BAO, TIENI
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L21/76885 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 揭露一種半導體元件及其製造方法。一實施例為一種半導體元件之製造方法,此方法包含形成第一導線於基板上與共形形成第一介電層於第一導線之上表面與側壁上,第一介電層具有第一孔隙率百分比與第一碳濃度。此方法更包含形成第二介電層於第一介電層上,此第二介電層具有第二孔隙率百分比與第二碳濃度,第二孔隙率百分比與第一孔隙率百分比不同,且第二碳濃度低於第一碳濃度。
Abstract in simplified Chinese: 揭露一种半导体组件及其制造方法。一实施例为一种半导体组件之制造方法,此方法包含形成第一导线于基板上与共形形成第一介电层于第一导线之上表面与侧壁上,第一介电层具有第一孔隙率百分比与第一碳浓度。此方法更包含形成第二介电层于第一介电层上,此第二介电层具有第二孔隙率百分比与第二碳浓度,第二孔隙率百分比与第一孔隙率百分比不同,且第二碳浓度低于第一碳浓度。
-
-
-