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公开(公告)号:TWI621922B
公开(公告)日:2018-04-21
申请号:TW104113869
申请日:2015-04-30
Applicant: 凱特伊夫公司 , KATEEVA, INC.
Inventor: 高 亞歷山大 守康 , KO, ALEXANDER SOU-KANG , 默克 賈斯汀 , MAUCK, JUSTIN , 沃斯凱 伊莉亞 , VRONSKY, ELIYAHU , 馬狄剛 寇諾F , MADIGAN, CONOR F. , 拉賓歐維奇 尤金 , RABINOVICH, EUGENE , 哈爾吉 那喜德 , HARJEE, NAHID , 布雀能 克里斯多夫 , BUCHNER, CHRISTOPHER , 路易斯 格雷葛瑞 , LEWIS, GREGORY
CPC classification number: B05B15/60 , B05C13/00 , B05C15/00 , B05D3/0254 , B05D3/065 , B41J3/407 , C23C14/00 , H01L21/4867 , H01L21/67017 , H01L21/6715 , H01L21/67161 , H01L21/67196 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67259 , H01L21/67276 , H01L21/67739 , H01L21/67748 , H01L21/6776 , H01L21/67784 , H01L21/67787 , H01L21/6838 , H01L23/5328 , H01L51/00 , H01L2924/0002 , H05K3/0091 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI619182B
公开(公告)日:2018-03-21
申请号:TW103113896
申请日:2014-04-16
Applicant: PSK有限公司 , PSK INC. , SEMIgear公司 , SEMIGEAR, INC.
Inventor: 張健 , ZHANG, JIAN
CPC classification number: H01L24/742 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L24/03 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/7501 , H01L2224/751 , H01L2224/75101 , H01L2224/75272 , H01L2224/75744 , H01L2224/75802 , H01L2224/7598 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81048 , H01L2224/81815 , H01L2224/81948 , H01L2224/81986
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3.
公开(公告)号:TWI619165B
公开(公告)日:2018-03-21
申请号:TW103108409
申请日:2014-03-11
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor: 雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 喬德亨瑞穆罕默德坎魯札曼 , CHOWDHURY, MOHAMMAD KAMRUZZAMAN , 伊根陶德 , EGAN, TODD , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/78 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/3086 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/402 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/56 , H01L21/3065 , H01L21/30655 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/67069 , H01L21/67196 , H01L21/67207 , H01L21/67383 , H01L21/68707 , H01L21/78 , H01L21/82
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公开(公告)号:TWI618135B
公开(公告)日:2018-03-11
申请号:TW103109119
申请日:2014-03-13
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor: 王安川 , WANG, ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 李資慧 , LI, ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA, HIROSHI , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU, CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG, JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DIMITRY , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR, RANDHIR
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/324 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/263 , H01L21/2686 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L21/67703 , H01L21/67739 , H01L21/67742 , H01L21/6831
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公开(公告)号:TWI614363B
公开(公告)日:2018-02-11
申请号:TW103124005
申请日:2014-07-11
Applicant: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
Inventor: 謙德拉瑟哈蘭 拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 拉芙依 艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 斯列文 戴米恩 , SLEVIN, DAMIEN , 里瑟 卡爾F , LEESER, KARL F.
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/458 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02274 , H01L21/67207
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公开(公告)号:TW201802920A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:TW106107954
申请日:2017-03-10
Applicant: 斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
Inventor: 山本真弘 , YAMAMOTO, MASAHIRO
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67742 , B08B1/001 , B08B1/02 , B08B3/041 , B08B3/08 , H01L21/67017 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67207 , H01L21/67276 , H01L21/67745 , H01L21/67754
Abstract: 本發明之基板處理裝置包含:載具保持部,其保持收容基板之載具;複數個處理單元,其等對基板進行處理;基板搬送單元,其於載具與處理單元之間搬送基板;及控制器。控制器係將複數個處理單元分類為複數個組,且於決定應處理基板之處理單元時,選擇複數個組中之一個,且選擇屬於被選擇之組之一個處理單元,以將基板搬入至所選擇之處理單元之方式控制基板搬送單元。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之基板处理设备包含:载具保持部,其保持收容基板之载具;复数个处理单元,其等对基板进行处理;基板搬送单元,其于载具与处理单元之间搬送基板;及控制器。控制器系将复数个处理单元分类为复数个组,且于决定应处理基板之处理单元时,选择复数个组中之一个,且选择属于被选择之组之一个处理单元,以将基板搬入至所选择之处理单元之方式控制基板搬送单元。
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公开(公告)号:TWI605520B
公开(公告)日:2017-11-11
申请号:TW105115977
申请日:2011-02-24
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor: 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高瀨奈津子 , TAKASE, NATSUKO
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C14/08 , C23C14/3457 , C23C14/566 , C23C16/4412 , H01J37/34 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
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公开(公告)号:TW201724254A
公开(公告)日:2017-07-01
申请号:TW105127945
申请日:2016-08-31
Applicant: 蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
Inventor: 哈得森 艾瑞克 A , HUDSON, ERIC A. , 威爾克遜 馬克 H , WILCOXSON, MARK H. , 佩爾霍斯 卡爾曼 , PELHOS, KALMAN , 沈 鉉宗 , SHIM, HYUNJONG , 黄 天樂 , WONG, MERRETT
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0338 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32908 , H01J2237/334 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/3205 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67745
Abstract: 本文中之各種實施例關於在半導體基板上之含介電質堆積中形成凹入特徵部之方法、設備及系統。在許多實施例中,將遮罩收縮層沉積在已圖案化遮罩層上,因而縮小在遮罩層中之該等開口。遮罩收縮層可藉由氣相沉積處理而沉積,氣相沉積處理包含,但不限於,原子層沉積或化學氣相沉積。遮罩收縮層可造成較窄、垂直上更均勻的受蝕刻特徵部。在一些實施例中,蝕刻是在單一蝕刻步驟中完成。在一些其它實施例中,蝕刻可在複數階段中完成,以設計為用以沉積保護性側壁覆蓋物在部分蝕刻特徵部上之沉積步驟而循環。含金屬膜特別適合做為遮罩收縮層及保護性側壁覆蓋物。
Abstract in simplified Chinese: 本文中之各种实施例关于在半导体基板上之含介电质堆积中形成凹入特征部之方法、设备及系统。在许多实施例中,将遮罩收缩层沉积在已图案化遮罩层上,因而缩小在遮罩层中之该等开口。遮罩收缩层可借由气相沉积处理而沉积,气相沉积处理包含,但不限于,原子层沉积或化学气相沉积。遮罩收缩层可造成较窄、垂直上更均匀的受蚀刻特征部。在一些实施例中,蚀刻是在单一蚀刻步骤中完成。在一些其它实施例中,蚀刻可在复数阶段中完成,以设计为用以沉积保护性侧壁覆盖物在部分蚀刻特征部上之沉积步骤而循环。含金属膜特别适合做为遮罩收缩层及保护性侧壁覆盖物。
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公开(公告)号:TWI587361B
公开(公告)日:2017-06-11
申请号:TW103144815
申请日:2014-12-22
Inventor: 李香寰 , LEE, HSIANGHUAN , 眭曉林 , SHUE, SHAULIN , 蒯光國 , KOAI, KUANGKUO , 陳海清 , CHEN, HAICHING , 曾同慶 , TSENG, TUNGCHING , 楊文成 , YANG, WENCHENG , 高宗恩 , KAO, CHUNGEN , 李明翰 , LEE, MINGHAN , 黃心巖 , HUANG, HSINYEN
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02631 , H01L21/2855 , H01L21/30604 , H01L21/3105 , H01L21/3212 , H01L21/67184 , H01L21/67207 , H01L21/677 , H01L21/67742 , H01L21/76802 , H01L21/76814 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/7684 , H01L21/76862 , H01L21/76871 , H01L21/76877
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公开(公告)号:TWI582890B
公开(公告)日:2017-05-11
申请号:TW103114298
申请日:2014-04-18
Applicant: 紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
Inventor: 川口通廣 , KAWAGUCHI, MICHIHIRO , 明野公信 , AKENO, KIMINOBU , 香川讓德 , KAGAWA, YOSHINORI , 淺見悠 , ASAMI, YU , 山口圭介 , YAMAGUCHI, KEISUKE
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
CPC classification number: H01J37/3002 , H01J37/18 , H01L21/02 , H01L21/67115 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67213
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