公开(公告)号：TW201727860A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105141744

申请日：2016-12-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN

IPC: H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53295

Abstract: 根據一些實施例，本發明提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包括基底。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一導電結構。半導體裝置結構包括位於基底上方之第一介電層。第一介電層具有暴露第一導電結構的第一開口。半導體裝置結構包括覆蓋第一開口的第一內壁之覆蓋層，且覆蓋層具有暴露第一導電結構的第二開口。覆蓋層包括金屬氧化物。半導體裝置結構包括第二導電結構，其填入第一開口且被覆蓋層所圍繞。第二導電結構電性連接至第一導電結構。

Abstract in simplified Chinese: 根据一些实施例，本发明提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包括基底。半导体设备结构包括位于基底上方之第一导电结构。半导体设备结构包括位于基底上方之第一介电层。第一介电层具有暴露第一导电结构的第一开口。半导体设备结构包括覆盖第一开口的第一内壁之覆盖层，且覆盖层具有暴露第一导电结构的第二开口。覆盖层包括金属氧化物。半导体设备结构包括第二导电结构，其填入第一开口且被覆盖层所围绕。第二导电结构电性连接至第一导电结构。

公开(公告)号：TW201727745A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105135086

申请日：2016-10-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

Abstract: 本揭露提供一種方法，包括提供具有第一介電材料層及藉由第一介電材料層之區段彼此橫向分離之第一導電特徵之基板。在第一介電材料層及第一導電特徵上沉積第一蝕刻終止層，從而形成具有與第一介電材料層之區段自對準之富氧部分及與第一導電特徵自對準之缺氧部分的第一蝕刻終止層。執行選擇性移除製程以選擇性移除第一蝕刻終止層之缺氧部分。在第一導電特徵及第一蝕刻終止層之富氧部分上形成第二蝕刻終止層。在第二蝕刻終止層上形成第二介電材料層。在第二介電材料層中形成導電結構。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种方法，包括提供具有第一介电材料层及借由第一介电材料层之区段彼此横向分离之第一导电特征之基板。在第一介电材料层及第一导电特征上沉积第一蚀刻终止层，从而形成具有与第一介电材料层之区段自对准之富氧部分及与第一导电特征自对准之缺氧部分的第一蚀刻终止层。运行选择性移除制程以选择性移除第一蚀刻终止层之缺氧部分。在第一导电特征及第一蚀刻终止层之富氧部分上形成第二蚀刻终止层。在第二蚀刻终止层上形成第二介电材料层。在第二介电材料层中形成导电结构。

公开(公告)号：TW202022960A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：TW108138806

申请日：2019-10-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃心巖 ,  HUANG, HSIN-YEN ,  李劭寬 ,  LEE, SHAO-KUAN ,  李承晉 ,  LEE, CHENG-CHIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI-CHING ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU-LIN

IPC: H01L21/60

Abstract: 此處提供具有內連線結構的積體電路的例子與其形成方法。在一些例子中，方法包括接收工件，其包含基板與內連線結構。內連線結構包括第一導電結構位於第一層間介電層中。選擇性地形成阻擋層於第一導電結構上，而不形成阻擋層於第一層間介電層上。選擇性地形成對準結構於第一層間介電上，而不形成對準結構於阻擋層上。自第一導電結構移除阻擋層，並形成第二層間介電層於對準結構與第一導電結構上。圖案化第二層間介電層以定義第二導電結構所用的凹陷，並形成第二導電結構於凹陷中。

Abstract in simplified Chinese: 此处提供具有内连接结构的集成电路的例子与其形成方法。在一些例子中，方法包括接收工件，其包含基板与内连接结构。内连接结构包括第一导电结构位于第一层间介电层中。选择性地形成阻挡层于第一导电结构上，而不形成阻挡层于第一层间介电层上。选择性地形成对准结构于第一层间介电上，而不形成对准结构于阻挡层上。自第一导电结构移除阻挡层，并形成第二层间介电层于对准结构与第一导电结构上。图案化第二层间介电层以定义第二导电结构所用的凹陷，并形成第二导电结构于凹陷中。

公开(公告)号：TWI505359B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：TW102129154

申请日：2013-08-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃心巖 ,  HUANG, HSINYEN ,  鄧志霖 ,  TENG, CHILIN ,  陳海清 ,  CHEN, HAICHING ,  包天一 ,  BAO, TIENI

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201735253A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105138811

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  李劭寬 ,  LEE, SHAO KUAN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295

Abstract: 一種半導體裝置，包括一第一金屬導線層；一層間介電層，形成於第一金屬導線層上方；一第二金屬導線結構，埋置於該層間介電層中並連接至第一金屬導線層；以及一蝕刻停止層，設置於第一金屬導線層與層間介電層之間。蝕刻停止層包括一或多個子層。蝕刻停止層包括一第一子層，其係由鋁基絕緣材料、氧化鉿、氧化鋯或氧化鈦所製成。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括一第一金属导线层；一层间介电层，形成于第一金属导线层上方；一第二金属导线结构，埋置于该层间介电层中并连接至第一金属导线层；以及一蚀刻停止层，设置于第一金属导线层与层间介电层之间。蚀刻停止层包括一或多个子层。蚀刻停止层包括一第一子层，其系由铝基绝缘材料、氧化铪、氧化锆或氧化钛所制成。

公开(公告)号：TWI587361B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW103144815

申请日：2014-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李香寰 ,  LEE, HSIANGHUAN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN ,  蒯光國 ,  KOAI, KUANGKUO ,  陳海清 ,  CHEN, HAICHING ,  曾同慶 ,  TSENG, TUNGCHING ,  楊文成 ,  YANG, WENCHENG ,  高宗恩 ,  KAO, CHUNGEN ,  李明翰 ,  LEE, MINGHAN ,  黃心巖 ,  HUANG, HSINYEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877

公开(公告)号：TW201714209A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105132604

申请日：2016-10-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 於基板上形成多個高介電係數金屬閘極結構。高介電係數金屬閘極結構被多個間隙所隔開。高介電係數金屬閘極結構各包含第一介電層於高介電係數金屬閘極結構的上表面。以第一導電材料填充間隙。透過回蝕製程來於各間隙中移除部分的第一導電材料。使用旋轉塗佈沉積製程來形成金屬氧化層。於高介電係數金屬閘極結構上且於第一導電材料上形成金屬氧化層。於金屬氧化層上形成第二介電層。在第二介電層中蝕刻開口。開口被蝕刻貫穿第二介電層且貫穿金屬氧化層。以第二導電材料填充開口。

Abstract in simplified Chinese: 于基板上形成多个高介电系数金属闸极结构。高介电系数金属闸极结构被多个间隙所隔开。高介电系数金属闸极结构各包含第一介电层于高介电系数金属闸极结构的上表面。以第一导电材料填充间隙。透过回蚀制程来于各间隙中移除部分的第一导电材料。使用旋转涂布沉积制程来形成金属氧化层。于高介电系数金属闸极结构上且于第一导电材料上形成金属氧化层。于金属氧化层上形成第二介电层。在第二介电层中蚀刻开口。开口被蚀刻贯穿第二介电层且贯穿金属氧化层。以第二导电材料填充开口。

公开(公告)号：TW202015175A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：TW108121875

申请日：2019-06-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李劭寬 ,  LEE, SHAO-KUAN ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN-YEN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI-CHING ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU-LIN ,  李承晉 ,  LEE, CHENG-CHIN

IPC: H01L21/768

Abstract: 形成增進金屬蓋層的方法與結構包括形成多層金屬內連線網路於基板上。在一些實施例中，多層金屬內連線網路包括多個金屬區。在一些例子中，介電區位於每一金屬區之間。舉例來說，金屬蓋層可沉積於每一金屬區上。在一些實施例中，之後可選擇性地沉積自組裝單層於蓋層上，而自組裝單層選擇性地形成於金屬蓋層上，而介電區實質上不具有自阻裝單層。在多種例子中，在選擇性地形成自組裝單層於金屬蓋層上之後，可進行熱製程，其中自組裝單層在熱製程時避免金屬蓋層擴散。

Abstract in simplified Chinese: 形成增进金属盖层的方法与结构包括形成多层金属内连接网络于基板上。在一些实施例中，多层金属内连接网络包括多个金属区。在一些例子中，介电区位于每一金属区之间。举例来说，金属盖层可沉积于每一金属区上。在一些实施例中，之后可选择性地沉积自组装单层于盖层上，而自组装单层选择性地形成于金属盖层上，而介电区实质上不具有自阻装单层。在多种例子中，在选择性地形成自组装单层于金属盖层上之后，可进行热制程，其中自组装单层在热制程时避免金属盖层扩散。

公开(公告)号：TWI628743B

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW105138811

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  李劭寬 ,  LEE, SHAO KUAN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

公开(公告)号：TWI605518B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105135086

申请日：2016-10-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295