積體電路裝置的形成方法
    3.
    发明专利
    積體電路裝置的形成方法 审中-公开
    集成电路设备的形成方法

    公开(公告)号:TW202022960A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:TW108138806

    申请日:2019-10-28

    Abstract: 此處提供具有內連線結構的積體電路的例子與其形成方法。在一些例子中,方法包括接收工件,其包含基板與內連線結構。內連線結構包括第一導電結構位於第一層間介電層中。選擇性地形成阻擋層於第一導電結構上,而不形成阻擋層於第一層間介電層上。選擇性地形成對準結構於第一層間介電上,而不形成對準結構於阻擋層上。自第一導電結構移除阻擋層,並形成第二層間介電層於對準結構與第一導電結構上。圖案化第二層間介電層以定義第二導電結構所用的凹陷,並形成第二導電結構於凹陷中。

    Abstract in simplified Chinese: 此处提供具有内连接结构的集成电路的例子与其形成方法。在一些例子中,方法包括接收工件,其包含基板与内连接结构。内连接结构包括第一导电结构位于第一层间介电层中。选择性地形成阻挡层于第一导电结构上,而不形成阻挡层于第一层间介电层上。选择性地形成对准结构于第一层间介电上,而不形成对准结构于阻挡层上。自第一导电结构移除阻挡层,并形成第二层间介电层于对准结构与第一导电结构上。图案化第二层间介电层以定义第二导电结构所用的凹陷,并形成第二导电结构于凹陷中。

    製作半導體裝置的方法
    8.
    发明专利
    製作半導體裝置的方法 审中-公开
    制作半导体设备的方法

    公开(公告)号:TW202015175A

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:TW108121875

    申请日:2019-06-24

    Abstract: 形成增進金屬蓋層的方法與結構包括形成多層金屬內連線網路於基板上。在一些實施例中,多層金屬內連線網路包括多個金屬區。在一些例子中,介電區位於每一金屬區之間。舉例來說,金屬蓋層可沉積於每一金屬區上。在一些實施例中,之後可選擇性地沉積自組裝單層於蓋層上,而自組裝單層選擇性地形成於金屬蓋層上,而介電區實質上不具有自阻裝單層。在多種例子中,在選擇性地形成自組裝單層於金屬蓋層上之後,可進行熱製程,其中自組裝單層在熱製程時避免金屬蓋層擴散。

    Abstract in simplified Chinese: 形成增进金属盖层的方法与结构包括形成多层金属内连接网络于基板上。在一些实施例中,多层金属内连接网络包括多个金属区。在一些例子中,介电区位于每一金属区之间。举例来说,金属盖层可沉积于每一金属区上。在一些实施例中,之后可选择性地沉积自组装单层于盖层上,而自组装单层选择性地形成于金属盖层上,而介电区实质上不具有自阻装单层。在多种例子中,在选择性地形成自组装单层于金属盖层上之后,可进行热制程,其中自组装单层在热制程时避免金属盖层扩散。

Patent Agency Ranking