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公开(公告)号：TW201724683A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105139140
申请日：2016-11-28
发明人： 關 文豪 , KWAN, MAN-HO , 姚福偉 , YAO, FU-WEI , 蘇如意 , SU, RU-YI , 黃 敬源 , WONG, KING-YUEN
CPC分类号： H03K5/08 , H01L27/0883 , H01L29/778
摘要： 一種半導體裝置包含一第一電晶體及一箝位電路。該第一電晶體經配置以根據一控制信號來產生一輸出信號。該箝位電路經配置以根據一輸入信號來產生該控制信號且在該輸入信號超過一預定信號位準時將該控制信號箝位至該預定信號位準。
简体摘要： 一种半导体设备包含一第一晶体管及一箝位电路。该第一晶体管经配置以根据一控制信号来产生一输出信号。该箝位电路经配置以根据一输入信号来产生该控制信号且在该输入信号超过一预定信号位准时将该控制信号箝位至该预定信号位准。
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公开(公告)号：TWI624127B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105139140
申请日：2016-11-28
发明人： 關 文豪 , KWAN, MAN-HO , 姚福偉 , YAO, FU-WEI , 蘇如意 , SU, RU-YI , 黃 敬源 , WONG, KING-YUEN
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公开(公告)号：TWI690976B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105121364
申请日：2016-07-06
发明人： 關 文豪 , KWAN, MAN-HO , 姚福偉 , YAO, FU WEI , 蘇如意 , SU, RU YI , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/761 , H01L21/768 , H01L21/8258 , H01L23/535 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/205
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公开(公告)号：TW201730917A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105121364
申请日：2016-07-06
发明人： 關 文豪 , KWAN, MAN-HO , 姚福偉 , YAO, FU WEI , 蘇如意 , SU, RU YI , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN LIN , 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY, ALEXANDER
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/761 , H01L21/768 , H01L21/8258 , H01L23/535 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/205
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/26546 , H01L21/761 , H01L21/76898 , H01L21/8258 , H01L23/535 , H01L27/0605 , H01L27/0688 , H01L29/0646 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/866
摘要： 在一些實施例中，一種半導體結構包括一第一裝置及一第二裝置。該第一裝置具有一第一表面。該第一裝置包括由一第一材料系統定義之一第一主動區。該第二裝置具有一第二表面。該第二表面與該第一表面共面。該第二裝置包括由一第二材料系統定義之一第二主動區。該第二材料系統不同於該第一材料系統。
简体摘要： 在一些实施例中，一种半导体结构包括一第一设备及一第二设备。该第一设备具有一第一表面。该第一设备包括由一第一材料系统定义之一第一主动区。该第二设备具有一第二表面。该第二表面与该第一表面共面。该第二设备包括由一第二材料系统定义之一第二主动区。该第二材料系统不同于该第一材料系统。
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