公开(公告)号：TWI610420B

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW104140138

申请日：2010-10-27

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： H01L27/105 ,  G11C11/405 ,  G11C16/0433 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1225 ,  H01L28/60 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TW201739006A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105138468

申请日：2016-11-23

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  穆可吉 尼洛依 ,  MUKHERJEE, NILOY ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258

CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02609 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/78681

摘要： 此處所述者為整合被異質磊晶生長於一或更多第III族-氮化物(III-N)晶體上的一或更多TMDC晶體之方法及結構。該TMDC晶體可被生長於已經被生長在結晶矽基板上的III-N異質磊晶晶體上。採用該異質磊晶基板的個別區之III-N裝置及矽裝置的一或更多者可以與製造於該TMDC晶體上的TMDC裝置整合。在一些實施例中，雜質摻雜III-N源極/汲極區提供金屬化層與TMDC通道電晶體間的低電阻耦合。

简体摘要： 此处所述者为集成被异质磊晶生长于一或更多第III族-氮化物(III-N)晶体上的一或更多TMDC晶体之方法及结构。该TMDC晶体可被生长于已经被生长在结晶硅基板上的III-N异质磊晶晶体上。采用该异质磊晶基板的个别区之III-N设备及硅设备的一或更多者可以与制造于该TMDC晶体上的TMDC设备集成。在一些实施例中，杂质掺杂III-N源极/汲极区提供金属化层与TMDC信道晶体管间的低电阻耦合。

公开(公告)号：TWI603451B

公开(公告)日：2017-10-21

申请号：TW104144479

申请日：2012-12-17

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 葛雷斯 葛蘭 ,  GLASS, GLENN ,  莫希 安拿 ,  MURTHY, ANAND ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/16 ,  H01L29/26 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0922 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201733117A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105138120

申请日：2016-11-21

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 瑞奇曼第 威利 ,  RACHMADY, WILLY ,  梅茲 馬修 ,  METZ, MATTHEW V. ,  狄威 吉伯特 ,  DEWEY, GILBERT ,  莫哈帕拉 錢德拉 ,  MOHAPATRA, CHANDRA ,  卡瓦萊羅斯 傑克 ,  KAVALIEROS, JACK T. ,  穆爾蒂 阿南德 ,  MURTHY, ANAND S. ,  甘尼 塔何 ,  GHANI, TAHIR

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/8258

摘要： 本發明的實施方式包含一種半導體結構及製造此結構的方法。於一實施方式，半導體結構包含形成在基板上方的第一鰭部及第二鰭部。第一鰭部可包含第一半導體材料，第二鰭部可包含第二半導體材料。於一實施方式，第一籠結構形成為與第一鰭部相鄰，且第二籠結構形成為與第二鰭部相鄰。此外，實施方式可包含形成在第一鰭部上方的第一閘極電極，其中第一籠結構直接接觸第一閘極電極，及形成在第二鰭部上方的第二閘極電極，其中第二籠結構直接接觸第二閘極電極。

简体摘要： 本发明的实施方式包含一种半导体结构及制造此结构的方法。于一实施方式，半导体结构包含形成在基板上方的第一鳍部及第二鳍部。第一鳍部可包含第一半导体材料，第二鳍部可包含第二半导体材料。于一实施方式，第一笼结构形成为与第一鳍部相邻，且第二笼结构形成为与第二鳍部相邻。此外，实施方式可包含形成在第一鳍部上方的第一闸极电极，其中第一笼结构直接接触第一闸极电极，及形成在第二鳍部上方的第二闸极电极，其中第二笼结构直接接触第二闸极电极。

公开(公告)号：TW201727681A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105133583

申请日：2016-10-18

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01G4/10 ,  H01G4/40 ,  H01L27/07 ,  H01L29/66 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L27/0733 ,  H01G4/008 ,  H01G4/105 ,  H01G4/40 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/94 ,  H05K1/18 ,  H05K2201/10015 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2201/10166

摘要： 提供一種微型電晶體。提供一種寄生電容小的電晶體。提供一種頻率特性高的電晶體。提供一種通態電流大的電晶體。提供一種包括上述電晶體的半導體裝置。提供一種集成度高的半導體裝置。提供一種新穎的電容器。一種電容器，包括第一導電體、第二導電體以及絕緣體，第一導電體與第二導電體包括隔著絕緣體彼此重疊的區域，第一導電體包含鎢及矽，並且絕緣體包括使第一導電體氧化而形成的氧化矽膜。

简体摘要： 提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括上述晶体管的半导体设备。提供一种集成度高的半导体设备。提供一种新颖的电容器。一种电容器，包括第一导电体、第二导电体以及绝缘体，第一导电体与第二导电体包括隔着绝缘体彼此重叠的区域，第一导电体包含钨及硅，并且绝缘体包括使第一导电体氧化而形成的氧化硅膜。

公开(公告)号：TWI593125B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW103139369

申请日：2014-11-13

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 全箕玟 ,  JUN, KIMIN ,  摩洛 派翠克 ,  MORROW, PATRICK

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L33/12 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201724375A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105115356

申请日：2016-05-18

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  托欽斯基 彼得 ,  TOLCHINSKY, PETER ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L21/8252 ,  H01L29/778 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/481 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589

摘要： 提出用以容納及/或控制在大直徑矽基板上的III-N生長期間所招致之應力/張力的矽上氮化鎵(GOS)結構和技術，矽基板的背面可被處理以使具有標準化直徑和厚度的基板適於GOS應用，在高溫外延生長製程期間的弓曲及/或翹曲可藉由預處理矽基板來予以減緩，以便用抗衡由III-N材料所誘發的應力之方式來預施壓基板，及/或改進基板的能力來吸收應力，在工程GOS基板上所製造的III-N裝置可與在分開之基板上所製造的矽MOS裝置集成在一起，被使用來改進基板恢復力及/或抗衡由III-N材料所誘發的基板應力之結構可被進一步使用來使III-N和3D IC的矽MOS裝置互連。

简体摘要： 提出用以容纳及/或控制在大直径硅基板上的III-N生长期间所招致之应力/张力的硅上氮化镓(GOS)结构和技术，硅基板的背面可被处理以使具有标准化直径和厚度的基板适于GOS应用，在高温外延生长制程期间的弓曲及/或翘曲可借由预处理硅基板来予以减缓，以便用抗衡由III-N材料所诱发的应力之方式来预施压基板，及/或改进基板的能力来吸收应力，在工程GOS基板上所制造的III-N设备可与在分开之基板上所制造的硅MOS设备集成在一起，被使用来改进基板恢复力及/或抗衡由III-N材料所诱发的基板应力之结构可被进一步使用来使III-N和3D IC的硅MOS设备互连。

公开(公告)号：TWI588941B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105104134

申请日：2011-08-02

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC分类号： H01L21/82 ,  G06F17/50 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC分类号： H03K3/012 ,  G11C5/147 ,  G11C8/04 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H03K3/0372 ,  H03K3/0375 ,  H03K19/0008

公开(公告)号：TW201719764A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105123594

申请日：2016-07-26

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  皮拉瑞斯提 拉維 ,  PILLARISETTY, RAVI ,  全箕玟 ,  JUN, KIMIN ,  摩洛 派翠克 ,  MORROW, PATRICK ,  拉歐 瓦路里 ,  RAO, VALLURI R. ,  費雪 保羅 ,  FISCHER, PAUL ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S.

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/481 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： 整合包括III-N(例如，GaN)電晶體與基於Si(例如，Si或SiGe)電晶體兩者的電路之方法與裝置。在一些單片的晶圓級整合實施例中，絕緣層上矽(SOI)基板被採用作為磊晶平台，提供有利於種晶其上形成III-N電晶體(例如，III-N HFET)的磊晶III-N半導體堆疊之第一矽表面，以及有利於種晶其上形成基於Si電晶體(例如，Si FET)的磊晶凸起矽之第二矽表面。在一些異質的晶圓級整合實施例中，SOI基板被採用於適於製造該基於Si電晶體至其上已經形成III-N電晶體的另一基板上的矽層轉移。在一些此種實施例中，該矽層轉移被堆疊於設置於互連複數個III-N HFET成為HFET電路的一或更多金屬化層之上的平坦層間介電層(ILD)上。

简体摘要： 集成包括III-N(例如，GaN)晶体管与基于Si(例如，Si或SiGe)晶体管两者的电路之方法与设备。在一些单片的晶圆级集成实施例中，绝缘层上硅(SOI)基板被采用作为磊晶平台，提供有利于种晶其上形成III-N晶体管(例如，III-N HFET)的磊晶III-N半导体堆栈之第一硅表面，以及有利于种晶其上形成基于Si晶体管(例如，Si FET)的磊晶凸起硅之第二硅表面。在一些异质的晶圆级集成实施例中，SOI基板被采用于适于制造该基于Si晶体管至其上已经形成III-N晶体管的另一基板上的硅层转移。在一些此种实施例中，该硅层转移被堆栈于设置于互连复数个III-N HFET成为HFET电路的一或更多金属化层之上的平坦层间介电层(ILD)上。

公开(公告)号：TWI572037B

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：TW100146472

申请日：2011-12-15

申请人： 高效電源轉換公司 ,  EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION

发明人： 里道 亞力山大 ,  LIDOW, ALEXANDER ,  曹 建軍 ,  CAO, JIANJUN ,  畢曲 羅伯特 ,  BEACH, ROBERT ,  史泰登 約翰 ,  STRYDOM, JOHAN ,  納卡塔 亞雷納 ,  NAKATA, ALANA ,  趙廣元 ,  ZHAO, GUANG YUAN

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/88 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00