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    快閃記憶體之浮置閘極的製造方法
    1.
    发明专利
    快閃記憶體之浮置閘極的製造方法 有权
    闪存之浮置闸极的制造方法

    公开(公告)号：TWI305397B

    公开(公告)日：2009-01-11

    申请号：TW092114678

    申请日：2002-02-25

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 林志豪 ,  陳步芳 CHEN, PU FAN ,  鄭斐文

    IPC: H01L

    Abstract: 本發明提供一種於整批晶圓形成均勻薄膜層之製造方法,首先係放置一批晶圓於一晶舟上,第一次正向進入一垂直爐管中,用以形成一薄膜層於每一晶圓上,其中,該每一薄膜層係依在垂直爐管之所在位置而有不同之厚度;退出上述晶舟於上述垂直爐管外部,並且倒置上述晶舟,再第二次倒置進入上述垂直爐管中,繼續增厚上述薄膜層,以使上述各晶圓上之薄膜層具有大體相同之厚度。其中當薄膜層為氧化層時,可進一步應用於快閃記憶體之浮置閘極的製造,其於各晶圓之矽導電層上形成一厚度大體相同之薄氧化層(oxide),藉此可使各晶圓於後續利用熱氧化法在浮動閘極上方形成鳥嘴形氧化層時,得到一致且較佳的輪廓。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种于整批晶圆形成均匀薄膜层之制造方法,首先系放置一批晶圆于一晶舟上,第一次正向进入一垂直炉管中,用以形成一薄膜层于每一晶圆上,其中,该每一薄膜层系依在垂直炉管之所在位置而有不同之厚度;退出上述晶舟于上述垂直炉管外部,并且倒置上述晶舟,再第二次倒置进入上述垂直炉管中,继续增厚上述薄膜层,以使上述各晶圆上之薄膜层具有大体相同之厚度。其中当薄膜层为氧化层时,可进一步应用于闪存之浮置闸极的制造,其于各晶圆之硅导电层上形成一厚度大体相同之薄氧化层(oxide),借此可使各晶圆于后续利用热氧化法在浮动闸极上方形成鸟嘴形氧化层时,得到一致且较佳的轮廓。

    快閃記憶體之浮置閘極的製造方法
    2.
    发明专利
    快閃記憶體之浮置閘極的製造方法 审中-公开
    闪存之浮置闸极的制造方法

    公开(公告)号：TW200405524A

    公开(公告)日：2004-04-01

    申请号：TW092114678

    申请日：2002-02-25

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 林志豪 ,  陳步芳 CHEN, PU FAN ,  鄭斐文

    IPC: H01L

    Abstract: 本發明提供一種於整批晶圓形成均勻薄膜層之製造方法，首先係放置一批晶圓於一晶舟上，第一次正向進入一垂直爐管中，用以形成一薄膜層於每一晶圓上，其中，該每一薄膜層係依在垂直爐管之所在位置而有不同之厚度；退出上述晶舟於上述垂直爐管外部，並且倒置上述晶舟，再第二次倒置進入上述垂直爐管中，繼續增厚上述薄膜層，以使上述各晶圓上之薄膜層具有大體相同之厚度。其中當薄膜層為氧化層時，可進一步應用於快閃記憶體之浮置閘極的製造，其於各晶圓之矽導電層上形成一厚度大體相同之薄氧化層(oxide)，藉此可使各晶圓於後續利用熱氧化法在浮動閘極上方形成鳥嘴形氧化層時，得到一致且較佳的輪廓。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种于整批晶圆形成均匀薄膜层之制造方法，首先系放置一批晶圆于一晶舟上，第一次正向进入一垂直炉管中，用以形成一薄膜层于每一晶圆上，其中，该每一薄膜层系依在垂直炉管之所在位置而有不同之厚度；退出上述晶舟于上述垂直炉管外部，并且倒置上述晶舟，再第二次倒置进入上述垂直炉管中，继续增厚上述薄膜层，以使上述各晶圆上之薄膜层具有大体相同之厚度。其中当薄膜层为氧化层时，可进一步应用于闪存之浮置闸极的制造，其于各晶圆之硅导电层上形成一厚度大体相同之薄氧化层(oxide)，借此可使各晶圆于后续利用热氧化法在浮动闸极上方形成鸟嘴形氧化层时，得到一致且较佳的轮廓。

    可改善薄氧化層均一性之爐管裝置
    4.
    实用新型
    可改善薄氧化層均一性之爐管裝置 失效
    可改善薄氧化层均一性之炉管设备

    公开(公告)号：TWM250318U

    公开(公告)日：2004-11-11

    申请号：TW092214506

    申请日：2003-08-11

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 陳步芳 CHEN, PU FAN ,  呂超波 LU, CHAO PO ,  莊熙昇 CHUANG, HSI SHEN ,  陳怡仁 CHEN, YI JEN ,  陳進財 CHEN, CHIN TSAI ,  塚田和德 TSUKADA KAZUNORI

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C8/10 ,  C30B33/005 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/67017

    Abstract: 本創作關於一種可改善薄氧化層均一性之爐管裝置，包括：反應腔體，為提供氧化反應之空間，以形成薄氧化層於半導體矽晶圓上；第一導管，連接該反應腔體，以提供水氣或反應氣體進入該反應腔體；第一氮氣導管，連接該第一導管以供應一吹淨用氮氣(purge N2)進入該反應腔體；旁通導管，連接該第一氮氣導管與該排放導管，以提供至該排放導管毋需經過該反應腔體之旁繞(bypass)路徑；第二導管，連接該反應腔體並與該第一導管連接於一共通接點，以提供水氣或反應氣體進入該反應腔體；第二氮氣導管，連接該第二導管以提供一吹淨用氮氣(purge N2)，並可配合該旁通導管作用而產生一回拉(pull back)效應，以去除上述管線內之殘留物；以及一排放導管，連接該反應腔體側底，以排出該反應腔體內之氣體。

    Abstract in simplified Chinese: 本创作关于一种可改善薄氧化层均一性之炉管设备，包括：反应腔体，为提供氧化反应之空间，以形成薄氧化层于半导体硅晶圆上；第一导管，连接该反应腔体，以提供水汽或反应气体进入该反应腔体；第一氮气导管，连接该第一导管以供应一吹净用氮气(purge N2)进入该反应腔体；旁通导管，连接该第一氮气导管与该排放导管，以提供至该排放导管毋需经过该反应腔体之旁绕(bypass)路径；第二导管，连接该反应腔体并与该第一导管连接于一共通接点，以提供水汽或反应气体进入该反应腔体；第二氮气导管，连接该第二导管以提供一吹净用氮气(purge N2)，并可配合该旁通导管作用而产生一回拉(pull back)效应，以去除上述管线内之残留物；以及一排放导管，连接该反应腔体侧底，以排出该反应腔体内之气体。

    於整批晶圓形成均勻薄膜層及應用此薄膜層於快閃記憶體之浮置閘極的製造方法
    5.
    发明专利
    於整批晶圓形成均勻薄膜層及應用此薄膜層於快閃記憶體之浮置閘極的製造方法 有权
    于整批晶圆形成均匀薄膜层及应用此薄膜层于闪存之浮置闸极的制造方法

    公开(公告)号：TWI304642B

    公开(公告)日：2008-12-21

    申请号：TW091103262

    申请日：2002-02-25

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 林志豪 ,  陳步芳 CHEN, PU FAN ,  鄭斐文

    IPC: H01L

    Abstract: 本發明提供一種於整批晶圓形成均勻薄膜層之製造方法,首先係放置一批晶圓於一晶舟上,第一次正向進入一垂直爐管中,用以形成一薄膜層於每一晶圓上,其中,該每一薄膜層係依在垂直爐管之所在位置而有不同之厚度;退出上述晶舟於上述垂直爐管外部,並且倒置上述晶舟,再第二次倒置進入上述垂直爐管中,繼續增厚上述薄膜層,以使上述各晶圓上之薄膜層具有大體相同之厚度。其中當薄膜層為氧化層時,可進一步應用於快閃記憶體之浮置閘極的製造,其於各晶圓之矽導電層上形成一厚度大體相同之薄氧化層(oxide),藉此可使各晶圓於後續利用熱氧化法在浮動閘極上方形成鳥嘴形氧化層時,得到一致且較佳的輪廓。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种于整批晶圆形成均匀薄膜层之制造方法,首先系放置一批晶圆于一晶舟上,第一次正向进入一垂直炉管中,用以形成一薄膜层于每一晶圆上,其中,该每一薄膜层系依在垂直炉管之所在位置而有不同之厚度;退出上述晶舟于上述垂直炉管外部,并且倒置上述晶舟,再第二次倒置进入上述垂直炉管中,继续增厚上述薄膜层,以使上述各晶圆上之薄膜层具有大体相同之厚度。其中当薄膜层为氧化层时,可进一步应用于闪存之浮置闸极的制造,其于各晶圆之硅导电层上形成一厚度大体相同之薄氧化层(oxide),借此可使各晶圆于后续利用热氧化法在浮动闸极上方形成鸟嘴形氧化层时,得到一致且较佳的轮廓。

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