公开(公告)号：TW200816384A

公开(公告)日：2008-04-01

申请号：TW096102283

申请日：2007-01-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 HARRY CHUANG ,  鄭光茗 THEI, KONG BENG ,  鄭鈞隆 CHENG, CHUNGLONG ,  鍾昇鎮 CHUNG, SHENG CHEN ,  郭文暉 GUO, WEN HUEI ,  高榮輝 KAO, JUNGHUI ,  陳嘉仁 CHEN, RYAN CHIA JEN ,  梁孟松 LIANG, MONG SONG

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/7843

Abstract: 本發明提供一種半導體元件之製造方法,包括下列步驟:提供一半導體基板,至少具有一 PMOS 元件與一 NMOS 元件;順應性地形成一第一絕緣層於該 PMOS 元件與該 NMOS 元件上方;順應性地形成一第二絕緣層於該第一絕緣層上方;薄化位於該 PMOS 元件上方之該第二絕緣層以留下一殘餘部分;對該 PMOS 元件與該NMOS 元件進行一第一加熱處理;以及移除位於該 NMOS 元件上方之該第二絕緣層以及位於該 PMOS 元件上方之該第二絕緣層之該殘餘部分,並薄化位於該 PMOS 元件與該 NMOS 元件上方之該第一絕緣層以留下一殘餘部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件之制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基板,至少具有一 PMOS 组件与一 NMOS 组件;顺应性地形成一第一绝缘层于该 PMOS 组件与该 NMOS 组件上方;顺应性地形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上方;薄化位于该 PMOS 组件上方之该第二绝缘层以留下一残余部分;对该 PMOS 组件与该NMOS 组件进行一第一加热处理;以及移除位于该 NMOS 组件上方之该第二绝缘层以及位于该 PMOS 组件上方之该第二绝缘层之该残余部分,并薄化位于该 PMOS 组件与该 NMOS 组件上方之该第一绝缘层以留下一残余部分。

公开(公告)号：TW200524053A

公开(公告)日：2005-07-16

申请号：TW093137223

申请日：2004-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹昌勝 TSAO, CHANGSHENG ,  陳漪航 CHEN, YIHANG ,  高榮輝 KAO, JUNGHUI ,  陳燕銘 CHEN, YENMING ,  陳步芳 CHEN, PUFAN ,  吳林峻 WU, LINJUNE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 一種在半導體元件製造過程中降低摻質污染的方法。此方法包含摻雜第一層，例如是一多晶矽層。於回火製程中伴隨著氣體的注入，氣體可以是氮氣、氧氣、其混合氣體或類似氣體。氣體造成一覆蓋層形成於第一層之上，以預防或降低摻質向外擴散與污染製程反應室。在一較佳實施例中，氣體在回火製程之上升階段時被注入。而覆蓋層則於蝕刻第一層前去除。

Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体组件制造过程中降低掺质污染的方法。此方法包含掺杂第一层，例如是一多晶硅层。于回火制程中伴随着气体的注入，气体可以是氮气、氧气、其混合气体或类似气体。气体造成一覆盖层形成于第一层之上，以预防或降低掺质向外扩散与污染制程反应室。在一较佳实施例中，气体在回火制程之上升阶段时被注入。而覆盖层则于蚀刻第一层前去除。

公开(公告)号：TWI252529B

公开(公告)日：2006-04-01

申请号：TW094116273

申请日：2005-05-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭鈞隆 CHENG, CHUNGLONG ,  鄭光茗 THEI, KONGBENG ,  高榮輝 KAO, JUNGHUI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224

Abstract: 一種在表面清潔與形成氧化膜的方法，特別適用於矽表面，首先清潔表面再使其暴露在臭氧蒸汽中，以在表面上形成氧化膜，此方式對在STI結構中之溝槽表面上形成前襯氧化膜特別有利。

Abstract in simplified Chinese: 一种在表面清洁与形成氧化膜的方法，特别适用于硅表面，首先清洁表面再使其暴露在臭氧蒸汽中，以在表面上形成氧化膜，此方式对在STI结构中之沟槽表面上形成前衬氧化膜特别有利。

公开(公告)号：TWI251281B

公开(公告)日：2006-03-11

申请号：TW093137223

申请日：2004-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹昌勝 TSAO, CHANGSHENG ,  陳漪航 CHEN, YIHANG ,  高榮輝 KAO, JUNGHUI ,  陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  陳步芳 CHEN, PU FAN ,  吳林峻 WU, LINJUNE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 一種在半導體元件製造過程中降低摻質污染的方法。此方法包含摻雜第一層，例如是一多晶矽層。於回火製程中伴隨著氣體的注入，氣體可以是氮氣、氧氣、其混合氣體或類似氣體。氣體造成一覆蓋層形成於第一層之上，以預防或降低摻質向外擴散與污染製程反應室。在一較佳實施例中，氣體在回火製程之上升階段時被注入。而覆蓋層則於蝕刻第一層前去除。

Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体组件制造过程中降低掺质污染的方法。此方法包含掺杂第一层，例如是一多晶硅层。于回火制程中伴随着气体的注入，气体可以是氮气、氧气、其混合气体或类似气体。气体造成一覆盖层形成于第一层之上，以预防或降低掺质向外扩散与污染制程反应室。在一较佳实施例中，气体在回火制程之上升阶段时被注入。而覆盖层则于蚀刻第一层前去除。

公开(公告)号：TW200540986A

公开(公告)日：2005-12-16

申请号：TW094117657

申请日：2005-05-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹昌勝 TSAO, CHANGSHENG ,  高榮輝 KAO, JUNGHUI ,  陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  吳林峻 WU, LINJUNE

IPC: H01L

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76243

Abstract: 本發明為提供一種包含一帶有一表面之基底之製造半導體元件中隔離結構的方法。植入複數個離子於該基底表面下方，再對基底進行退火處理，以形成一離子層於該基底表面下方。可形成一隔離結構於該基底，其自基底表面延伸大約0.1至5微米一離子層的深度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为提供一种包含一带有一表面之基底之制造半导体组件中隔离结构的方法。植入复数个离子于该基底表面下方，再对基底进行退火处理，以形成一离子层于该基底表面下方。可形成一隔离结构于该基底，其自基底表面延伸大约0.1至5微米一离子层的深度。