公开(公告)号：TWI251281B

公开(公告)日：2006-03-11

申请号：TW093137223

申请日：2004-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹昌勝 TSAO, CHANGSHENG ,  陳漪航 CHEN, YIHANG ,  高榮輝 KAO, JUNGHUI ,  陳燕銘 CHEN, YEN MING ,  陳步芳 CHEN, PU FAN ,  吳林峻 WU, LINJUNE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 一種在半導體元件製造過程中降低摻質污染的方法。此方法包含摻雜第一層，例如是一多晶矽層。於回火製程中伴隨著氣體的注入，氣體可以是氮氣、氧氣、其混合氣體或類似氣體。氣體造成一覆蓋層形成於第一層之上，以預防或降低摻質向外擴散與污染製程反應室。在一較佳實施例中，氣體在回火製程之上升階段時被注入。而覆蓋層則於蝕刻第一層前去除。

Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体组件制造过程中降低掺质污染的方法。此方法包含掺杂第一层，例如是一多晶硅层。于回火制程中伴随着气体的注入，气体可以是氮气、氧气、其混合气体或类似气体。气体造成一覆盖层形成于第一层之上，以预防或降低掺质向外扩散与污染制程反应室。在一较佳实施例中，气体在回火制程之上升阶段时被注入。而覆盖层则于蚀刻第一层前去除。

公开(公告)号：TW200524053A

公开(公告)日：2005-07-16

申请号：TW093137223

申请日：2004-12-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 曹昌勝 TSAO, CHANGSHENG ,  陳漪航 CHEN, YIHANG ,  高榮輝 KAO, JUNGHUI ,  陳燕銘 CHEN, YENMING ,  陳步芳 CHEN, PUFAN ,  吳林峻 WU, LINJUNE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

Abstract: 一種在半導體元件製造過程中降低摻質污染的方法。此方法包含摻雜第一層，例如是一多晶矽層。於回火製程中伴隨著氣體的注入，氣體可以是氮氣、氧氣、其混合氣體或類似氣體。氣體造成一覆蓋層形成於第一層之上，以預防或降低摻質向外擴散與污染製程反應室。在一較佳實施例中，氣體在回火製程之上升階段時被注入。而覆蓋層則於蝕刻第一層前去除。

Abstract in simplified Chinese: 一种在半导体组件制造过程中降低掺质污染的方法。此方法包含掺杂第一层，例如是一多晶硅层。于回火制程中伴随着气体的注入，气体可以是氮气、氧气、其混合气体或类似气体。气体造成一覆盖层形成于第一层之上，以预防或降低掺质向外扩散与污染制程反应室。在一较佳实施例中，气体在回火制程之上升阶段时被注入。而覆盖层则于蚀刻第一层前去除。