公开(公告)号：TW201523889A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103134797

申请日：2014-10-06

申请人： 夏普股份有限公司 ,  SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 牧田直樹 ,  MAKITA, NAOKI ,  刀根覺 ,  TONE, SATORU

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L27/1277 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/401 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

摘要： 半導體裝置(100)包括：基板(11)；第1薄膜電晶體(10A)，其支持於基板(11)，包含主要含有結晶質矽之第1活性區域(13c)；及第2薄膜電晶體(10B)，其支持於基板(11)，包含主要含有具有結晶質部分之氧化物半導體之第2活性區域(17c)。

简体摘要： 半导体设备(100)包括：基板(11)；第1薄膜晶体管(10A)，其支持于基板(11)，包含主要含有结晶质硅之第1活性区域(13c)；及第2薄膜晶体管(10B)，其支持于基板(11)，包含主要含有具有结晶质部分之氧化物半导体之第2活性区域(17c)。

公开(公告)号：TW201707216A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105133910

申请日：2014-10-06

申请人： 夏普股份有限公司 ,  SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 牧田直樹 ,  MAKITA, NAOKI ,  刀根覺 ,  TONE, SATORU

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L27/1277 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/401 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

摘要： 半導體裝置(100)包括：基板(11)；第1薄膜電晶體(10A)，其支持於基板(11)，包含主要含有結晶質矽之第1活性區域(13c)；及第2薄膜電晶體(10B)，其支持於基板(11)，包含主要含有具有結晶質部分之氧化物半導體之第2活性區域(17c)。

简体摘要： 半导体设备(100)包括：基板(11)；第1薄膜晶体管(10A)，其支持于基板(11)，包含主要含有结晶质硅之第1活性区域(13c)；及第2薄膜晶体管(10B)，其支持于基板(11)，包含主要含有具有结晶质部分之氧化物半导体之第2活性区域(17c)。

公开(公告)号：TWI624952B

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：TW103134797

申请日：2014-10-06

申请人： 夏普股份有限公司 ,  SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 牧田直樹 ,  MAKITA, NAOKI ,  刀根覺 ,  TONE, SATORU

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TWI619258B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW105133911

申请日：2014-10-06

申请人： 夏普股份有限公司 ,  SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 牧田直樹 ,  MAKITA, NAOKI ,  刀根覺 ,  TONE, SATORU

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L27/1277 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/401 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201705494A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105133911

申请日：2014-10-06

申请人： 夏普股份有限公司 ,  SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 牧田直樹 ,  MAKITA, NAOKI ,  刀根覺 ,  TONE, SATORU

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L27/1277 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/401 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/7869

摘要： 半導體裝置(100)包括：基板(11)；第1薄膜電晶體(10A)，其支持於基板(11)，包含主要含有結晶質矽之第1活性區域(13c)；及第2薄膜電晶體(10B)，其支持於基板(11)，包含主要含有具有結晶質部分之氧化物半導體之第2活性區域(17c)。

简体摘要： 半导体设备(100)包括：基板(11)；第1薄膜晶体管(10A)，其支持于基板(11)，包含主要含有结晶质硅之第1活性区域(13c)；及第2薄膜晶体管(10B)，其支持于基板(11)，包含主要含有具有结晶质部分之氧化物半导体之第2活性区域(17c)。