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    陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法陣列基板
    2.
    发明专利
    陣列基板、顯示裝置及陣列基板的製備方法陣列基板 审中-公开
    数组基板、显示设备及数组基板的制备方法数组基板

    公开(公告)号：TW201721720A

    公开(公告)日：2017-06-16

    申请号：TW105117102

    申请日：2016-05-31

    申请人： 鴻海精密工業股份有限公司 ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

    发明人： 高逸群 ,  KAO, YI-CHUN ,  林欣樺 ,  LIN, HSIN-HUA

    IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417

    CPC分类号： H01L27/1251 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

    摘要： 一種陣列基板，其包括基板、設置於基板上的第一薄膜電晶體與第二薄膜電晶體，所述第一薄膜電晶體包括第一通道層，所述第二薄膜電晶體包括第二通道層；所述陣列基板還包括第三絕緣層，所述第一通道層形成在所述基板上，所述第一通道層的材質為摻雜的多晶矽層，所述第二通道層的材質為金屬氧化物半導體；在對應該第二通道層兩側的位置分別開設有一第二汲極孔和一第二源極孔貫穿所述第三絕緣層，所述第二汲極孔與第二源極孔之間的第三絕緣層定義一保護區域以保護所述第二通道層。本發明還提供應用該陣列基板的顯示面板、顯示裝置及該陣列基板的製備方法。保護區域覆蓋所述第二通道層能夠有效保護第二通道層。

    简体摘要： 一种数组基板，其包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一信道层，所述第二薄膜晶体管包括第二信道层；所述数组基板还包括第三绝缘层，所述第一信道层形成在所述基板上，所述第一信道层的材质为掺杂的多晶硅层，所述第二信道层的材质为金属氧化物半导体；在对应该第二信道层两侧的位置分别开设有一第二汲极孔和一第二源极孔贯穿所述第三绝缘层，所述第二汲极孔与第二源极孔之间的第三绝缘层定义一保护区域以保护所述第二信道层。本发明还提供应用该数组基板的显示皮肤、显示设备及该数组基板的制备方法。保护区域覆盖所述第二信道层能够有效保护第二信道层。

    影像拾取單元及影像拾取顯示系統
    6.
    发明专利
    影像拾取單元及影像拾取顯示系統 审中-公开
    影像十取单元及影像十取显示系统

    公开(公告)号：TW201438215A

    公开(公告)日：2014-10-01

    申请号：TW103105154

    申请日：2014-02-17

    申请人： 新力股份有限公司 ,  SONY CORPORATION

    发明人： 山田泰弘 ,  YAMADA, YASUHIRO

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L29/78648 ,  G01N23/04 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14692 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78672

    摘要： 本發明揭示一種半導體裝置，其包含：一基板；至少一個閘極電極；至少兩個氧化矽層，其包括一第一氧化矽層及一第二氧化矽層，其中該第一氧化矽層比該第二氧化矽層更接近於該基板，且其中該第一氧化矽層之一厚度大於或等於該第二氧化矽層之一厚度；及一半導體層，其安置於該第一氧化矽層之至少一部分與該第二氧化矽層之至少一部分之間。此外，本發明揭示包含該半導體裝置之一種影像拾取裝置及一種輻射成像裝置。

    简体摘要： 本发明揭示一种半导体设备，其包含：一基板；至少一个闸极电极；至少两个氧化硅层，其包括一第一氧化硅层及一第二氧化硅层，其中该第一氧化硅层比该第二氧化硅层更接近于该基板，且其中该第一氧化硅层之一厚度大于或等于该第二氧化硅层之一厚度；及一半导体层，其安置于该第一氧化硅层之至少一部分与该第二氧化硅层之至少一部分之间。此外，本发明揭示包含该半导体设备之一种影像十取设备及一种辐射成像设备。

    半導體裝置及其製造方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 有权
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW480731B

    公开(公告)日：2002-03-21

    申请号：TW090105033

    申请日：2001-03-05

    申请人： 半導體能源研究所股份有限公司

    发明人： 山崎舜平 ,  小山潤 ,  荒井康行 ,  桑原秀明

    IPC分类号： H01L

    CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/13452 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L2029/7863

    摘要： (問題)
    降低一像素TFT製程步驟數，而實現降低製造成本與增加良率。由滿足各電路所需特性之TFT所形成之驅動裝置電路在如玻璃基底之大表面積基底上形成一群。提供安裝有驅動裝置電路之顯示裝置，及提供增加可靠性與生產率之技術被視為是問題。(解決方法)
    像素區中所形成之像素TFT以一通道蝕刻型反交錯型TFT形成在一第一基底上，並以相同之光罩使源極區與洩極區形成圖案，並使像素電極形成圖案。利用具有一結晶質半導體層之TFT所形成之驅動裝置電路，及決定於驅動裝置電路之輸入．輪出端被視為一單元。眾多單元形成在第三基底上，且往後將第三基底切割成個別單元，並將所得到之桿狀驅動裝置安裝在第一基底上，使現有發明特徵化。

    简体摘要： (问题) 降低一像素TFT制程步骤数，而实现降低制造成本与增加良率。由满足各电路所需特性之TFT所形成之驱动设备电路在如玻璃基底之大表面积基底上形成一群。提供安装有驱动设备电路之显示设备，及提供增加可靠性与生产率之技术被视为是问题。(解决方法) 像素区中所形成之像素TFT以一信道蚀刻型反交错型TFT形成在一第一基底上，并以相同之光罩使源极区与泄极区形成图案，并使像素电极形成图案。利用具有一结晶质半导体层之TFT所形成之驱动设备电路，及决定于驱动设备电路之输入．轮出端被视为一单元。众多单元形成在第三基底上，且往后将第三基底切割成个别单元，并将所得到之杆状驱动设备安装在第一基底上，使现有发明特征化。