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公开(公告)号：TW201707216A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105133910
申请日：2014-10-06
申请人： 夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： 牧田直樹 , MAKITA, NAOKI , 刀根覺 , TONE, SATORU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1277 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L29/401 , H01L29/78672 , H01L29/7869
摘要： 半導體裝置(100)包括：基板(11)；第1薄膜電晶體(10A)，其支持於基板(11)，包含主要含有結晶質矽之第1活性區域(13c)；及第2薄膜電晶體(10B)，其支持於基板(11)，包含主要含有具有結晶質部分之氧化物半導體之第2活性區域(17c)。
简体摘要： 半导体设备(100)包括：基板(11)；第1薄膜晶体管(10A)，其支持于基板(11)，包含主要含有结晶质硅之第1活性区域(13c)；及第2薄膜晶体管(10B)，其支持于基板(11)，包含主要含有具有结晶质部分之氧化物半导体之第2活性区域(17c)。
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公开(公告)号：TW201523889A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103134797
申请日：2014-10-06
申请人： 夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： 牧田直樹 , MAKITA, NAOKI , 刀根覺 , TONE, SATORU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1277 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L29/401 , H01L29/78672 , H01L29/7869
摘要： 半導體裝置(100)包括：基板(11)；第1薄膜電晶體(10A)，其支持於基板(11)，包含主要含有結晶質矽之第1活性區域(13c)；及第2薄膜電晶體(10B)，其支持於基板(11)，包含主要含有具有結晶質部分之氧化物半導體之第2活性區域(17c)。
简体摘要： 半导体设备(100)包括：基板(11)；第1薄膜晶体管(10A)，其支持于基板(11)，包含主要含有结晶质硅之第1活性区域(13c)；及第2薄膜晶体管(10B)，其支持于基板(11)，包含主要含有具有结晶质部分之氧化物半导体之第2活性区域(17c)。
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公开(公告)号：TWI624952B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103134797
申请日：2014-10-06
申请人： 夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： 牧田直樹 , MAKITA, NAOKI , 刀根覺 , TONE, SATORU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
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公开(公告)号：TWI619258B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105133911
申请日：2014-10-06
申请人： 夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： 牧田直樹 , MAKITA, NAOKI , 刀根覺 , TONE, SATORU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1277 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L29/401 , H01L29/78672 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201705494A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105133911
申请日：2014-10-06
申请人： 夏普股份有限公司 , SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： 牧田直樹 , MAKITA, NAOKI , 刀根覺 , TONE, SATORU
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1277 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L29/401 , H01L29/78672 , H01L29/7869
摘要： 半導體裝置(100)包括：基板(11)；第1薄膜電晶體(10A)，其支持於基板(11)，包含主要含有結晶質矽之第1活性區域(13c)；及第2薄膜電晶體(10B)，其支持於基板(11)，包含主要含有具有結晶質部分之氧化物半導體之第2活性區域(17c)。
简体摘要： 半导体设备(100)包括：基板(11)；第1薄膜晶体管(10A)，其支持于基板(11)，包含主要含有结晶质硅之第1活性区域(13c)；及第2薄膜晶体管(10B)，其支持于基板(11)，包含主要含有具有结晶质部分之氧化物半导体之第2活性区域(17c)。
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公开(公告)号：TW370695B
公开(公告)日：1999-09-21
申请号：TW086118537
申请日：1997-12-09
申请人： 夏普股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05572 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/1411 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/05541 , H01L2224/05005
摘要： 本發明之半導體裝置係包含半導體基板、及在上述半導體基板上並設之多數個電極連接墊、及在上述多數個電極連接墊上分別設置多數個凸塊電極，上述各電極連接墊上之多數個凸塊電極係在與所並設之上述電極連接墊呈直交之方向配置成一列。另外，上述半導體裝置係藉在已形成電極連接墊之半導體基板上將供形成凸塊電極之遮蔽罩之光阻劑，製成比待形成凸塊電極之厚度更厚之圖案化製程，及將形成凸塊電極用之金屬電鍍於電極連接墊上，而製得比上述光阻劑之厚度更薄之連續壁(wall)狀凸塊電極之製程所形成。
简体摘要： 本发明之半导体设备系包含半导体基板、及在上述半导体基板上并设之多数个电极连接垫、及在上述多数个电极连接垫上分别设置多数个凸块电极，上述各电极连接垫上之多数个凸块电极系在与所并设之上述电极连接垫呈直交之方向配置成一列。另外，上述半导体设备系藉在已形成电极连接垫之半导体基板上将供形成凸块电极之屏蔽罩之光阻剂，制成比待形成凸块电极之厚度更厚之图案化制程，及将形成凸块电极用之金属电镀于电极连接垫上，而制得比上述光阻剂之厚度更薄之连续壁(wall)状凸块电极之制程所形成。
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