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    氮氧化物螢光體粉末及其製造方法
    3.
    发明专利
    氮氧化物螢光體粉末及其製造方法 审中-公开
    氮氧化物萤光体粉末及其制造方法

    公开(公告)号：TW201443201A

    公开(公告)日：2014-11-16

    申请号：TW103111777

    申请日：2014-03-28

    申请人： 宇部興產股份有限公司 ,  UBE INDUSTRIES, LTD.

    发明人： 隅野真央 ,  SUMINO, MAO ,  岩下和樹 ,  IWASHITA, KAZUKI ,  酒井拓馬 ,  SAKAI, TAKUMA ,  藤永昌孝 ,  FUJINAGA, MASATAKA ,  治田慎輔 ,  JIDA, SHINSUKE

    IPC分类号： C09K11/80 ,  H01L33/50

    CPC分类号： C09K11/7734 ,  C01B21/06

    摘要： 本發明提供一種氮氧化物螢光體粉末，其對具有610至625nm之螢光峰波長之氮氧化物螢光體粉末而言，外部量子效率比習知高。本發明之氮氧化物螢光體粉末之特徵在於，其係以下述組成式所示且包含α型矽鋁氮氧化物及氮化鋁，組成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(但是，式中，x1，x2，y，z係1.60≦x1+x2≦2.90，0.18≦x2/x1≦0.70，4.0≦y≦6.5，0.0≦z≦1.0)。又，較佳地係包含50至10000ppm之Li。氮化鋁之含量宜在比0質量%大且比33質量%小之範圍內。

    简体摘要： 本发明提供一种氮氧化物萤光体粉末，其对具有610至625nm之萤光峰波长之氮氧化物萤光体粉末而言，外部量子效率比习知高。本发明之氮氧化物萤光体粉末之特征在于，其系以下述组成式所示且包含α型硅铝氮氧化物及氮化铝，组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(但是，式中，x1，x2，y，z系1.60≦x1+x2≦2.90，0.18≦x2/x1≦0.70，4.0≦y≦6.5，0.0≦z≦1.0)。又，较佳地系包含50至10000ppm之Li。氮化铝之含量宜在比0质量%大且比33质量%小之范围内。

    氧氮化物螢光體粉末
    5.
    发明专利
    氧氮化物螢光體粉末 审中-公开
    氧氮化物萤光体粉末

    公开(公告)号：TW201343876A

    公开(公告)日：2013-11-01

    申请号：TW102111414

    申请日：2013-03-29

    申请人： 宇部興產股份有限公司 ,  UBE INDUSTRIES, LTD.

    发明人： 上田孝之 ,  UEDA, TAKAYUKI ,  藤永昌孝 ,  FUJINAGA, MASATAKA ,  酒井拓馬 ,  SAKAI, TAKUMA ,  治田慎輔 ,  JIDA, SHINSUKE

    IPC分类号： C09K11/80

    CPC分类号： C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  Y10T428/2982

    摘要： 本發明係針對具580~605nm的螢光峰波長之氧氮化物螢光體，提供一種外部量子效率較習知高的氧氮化物螢光體。本發明的氧氮化物螢光體粉末係以下述組成式表示，且包含α型矽鋁氧氮化物與氮化鋁的氧氮化物螢光體，組成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(惟，式中，x1、x2、y、z係0＜x1≦2.50、0.01≦x2≦0.20、0＜y≦2.3及1.5≦z≦3.5；或者，x1、x2、y、z係0＜x1≦2.70、0.05≦x2≦0.20、2.3≦y≦5.5及1≦z≦2.5)。並且，本發明還提供上述氧氮化物螢光體之製造方法。

    简体摘要： 本发明系针对具580~605nm的萤光峰波长之氧氮化物萤光体，提供一种外部量子效率较习知高的氧氮化物萤光体。本发明的氧氮化物萤光体粉末系以下述组成式表示，且包含α型硅铝氧氮化物与氮化铝的氧氮化物萤光体，组成式：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(惟，式中，x1、x2、y、z系0＜x1≦2.50、0.01≦x2≦0.20、0＜y≦2.3及1.5≦z≦3.5；或者，x1、x2、y、z系0＜x1≦2.70、0.05≦x2≦0.20、2.3≦y≦5.5及1≦z≦2.5)。并且，本发明还提供上述氧氮化物萤光体之制造方法。

    氮氧化物螢光體粉末、氮氧化物螢光體粉末製造用氮化矽粉末及氮氧化物螢光體粉末之製造方法
    8.
    发明专利
    氮氧化物螢光體粉末、氮氧化物螢光體粉末製造用氮化矽粉末及氮氧化物螢光體粉末之製造方法 审中-公开
    氮氧化物萤光体粉末、氮氧化物萤光体粉末制造用氮化硅粉末及氮氧化物萤光体粉末之制造方法

    公开(公告)号：TW201335337A

    公开(公告)日：2013-09-01

    申请号：TW101137688

    申请日：2012-10-12

    申请人： 宇部興產股份有限公司 ,  UBE INDUSTRIES, LTD.

    发明人： 藤永昌孝 ,  FUJINAGA, MASATAKA ,  上田孝之 ,  UEDA, TAKAYUKI ,  酒井拓馬 ,  SAKAI, TAKUMA ,  治田慎輔 ,  JIDA, SHINSUKE

    IPC分类号： C09K11/64 ,  C09K11/80

    CPC分类号： C09K11/7728 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0826 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

    摘要： 本發明為一種含有α型賽隆與氮化鋁之氮氧化物螢光體粉末，係由下述組成式所表示之組成所表示：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(但是，式中，x1、x2、y、z為0＜x1≦3.40、0.05≦x2≦0.20、4.0≦y≦7.0、0≦z≦1)。前述氮氧化物螢光體粉末，其係被450nm波長光激發所發出的螢光之峰波長的光線的反射率為80%以上。一種氮氧化物螢光體粉末製造用氮化矽粉末，係結晶質氮化矽粉末，並且氧含量為0.2~0.9質量%。一種氮氧化物螢光體粉末的製造方法，具有：藉由將原料物質混合，在惰性氣體環境中1500~2000℃溫度範圍燒成，而得到前述一般式所表示之氮氧化物燒成物之第1步驟；及將前述氮氧化物燒成物在惰性氣體環境中1100~1600℃溫度範圍熱處理之第2步驟。

    简体摘要： 本发明为一种含有α型赛隆与氮化铝之氮氧化物萤光体粉末，系由下述组成式所表示之组成所表示：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(但是，式中，x1、x2、y、z为0＜x1≦3.40、0.05≦x2≦0.20、4.0≦y≦7.0、0≦z≦1)。前述氮氧化物萤光体粉末，其系被450nm波长光激发所发出的萤光之峰波长的光线的反射率为80%以上。一种氮氧化物萤光体粉末制造用氮化硅粉末，系结晶质氮化硅粉末，并且氧含量为0.2~0.9质量%。一种氮氧化物萤光体粉末的制造方法，具有：借由将原料物质混合，在惰性气体环境中1500~2000℃温度范围烧成，而得到前述一般式所表示之氮氧化物烧成物之第1步骤；及将前述氮氧化物烧成物在惰性气体环境中1100~1600℃温度范围热处理之第2步骤。