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    製造光電半導體晶片的方法及光電半導體晶片
    2.
    发明专利
    製造光電半導體晶片的方法及光電半導體晶片 审中-公开
    制造光电半导体芯片的方法及光电半导体芯片

    公开(公告)号：TW201603320A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW104113146

    申请日：2015-04-24

    Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： 普茲梅爾 可賓年 ,  PERZLMAIER, KORBINIAN ,  慕耳曼 畢爾 ,  MUERMANN, BJOERN ,  可普 法賓 ,  KOPP, FABIAN ,  何佩 魯茲 ,  HOEPPEL, LUTZ

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

    CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

    Abstract: 一種製造光電半導體晶片(1)的方法，具有以下步驟：- 製備一種半導體層序列(2)，其具有活性區(22)，- 在該半導體層序列(2)上施加第一和第二接觸層(31、32)，- 在第一和第二電性接觸區(51、52)中於第二接觸層(31、32)上施加一接觸金屬化部(4)，其中- 第一和第二接觸層(31、32)分別由至少一種透明的導電氧化物形成，- 第一電性接觸區(51)中以下的各層依序跟隨著：半導體層序列(2)、第一接觸層(31、32)、第二接觸層(31、32)及該接觸金屬化部(4)，且- 第二電性接觸區(52)中以下的各層依序跟隨著：半導體層序列(2)、第二接觸層(31、32)及該接觸金屬化部(4)。

    Abstract in simplified Chinese: 一种制造光电半导体芯片(1)的方法，具有以下步骤：- 制备一种半导体层串行(2)，其具有活性区(22)，- 在该半导体层串行(2)上施加第一和第二接触层(31、32)，- 在第一和第二电性接触区(51、52)中于第二接触层(31、32)上施加一接触金属化部(4)，其中- 第一和第二接触层(31、32)分别由至少一种透明的导电氧化物形成，- 第一电性接触区(51)中以下的各层依序跟随着：半导体层串行(2)、第一接触层(31、32)、第二接触层(31、32)及该接触金属化部(4)，且- 第二电性接触区(52)中以下的各层依序跟随着：半导体层串行(2)、第二接触层(31、32)及该接触金属化部(4)。

    半導體晶片
    3.
    发明专利
    半導體晶片 审中-公开
    半导体芯片

    公开(公告)号：TW201712904A

    公开(公告)日：2017-04-01

    申请号：TW105123572

    申请日：2016-07-26

    Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： 普茲梅爾 可賓年 ,  PERZLMAIER, KORBINIAN ,  萊羅 克里斯丁 ,  LEIRER, CHRISTIAN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/64

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/62

    Abstract: 本發明提供一種半導體晶片，具有：- 一載體(3)，其包括一第一導體(31)、一第二導體(32)、及一型體(33)，- 一電性絕緣層(4)，其包括一第一開口(41)和一第二開口(42)，- 可導電的第一和第二終端區(51、52)，其中- 第一導體(31)與第二導體(32)的距離為第一距離(D1)，- 第一終端區(51)與第二終端區(52)的距離為第二距離(D2)，以及- 第一距離(D1)小於第二距離(D2)。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体芯片，具有：- 一载体(3)，其包括一第一导体(31)、一第二导体(32)、及一型体(33)，- 一电性绝缘层(4)，其包括一第一开口(41)和一第二开口(42)，- 可导电的第一和第二终端区(51、52)，其中- 第一导体(31)与第二导体(32)的距离为第一距离(D1)，- 第一终端区(51)与第二终端区(52)的距离为第二距离(D2)，以及- 第一距离(D1)小于第二距离(D2)。

    製造光電半導體晶片的方法及光電半導體晶片
    5.
    发明专利
    製造光電半導體晶片的方法及光電半導體晶片 审中-公开
    制造光电半导体芯片的方法及光电半导体芯片

    公开(公告)号：TW201431118A

    公开(公告)日：2014-08-01

    申请号：TW102145269

    申请日：2013-12-10

    Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： 普茲梅爾 可賓年 ,  PERZLMAIER, KORBINIAN ,  泰格 謝巴斯汀 ,  TAEGER, SEBASTIAN

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/16

    CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

    Abstract: 在至少一實施形式中，本方法用來製造一種光電半導體晶片(1)且包括以下步驟：A)在一生長基板(2)上磊晶生長半導體層序列(3)，B)在該半導體層序列(3)上施加一由透明之導電氧化物構成的電流擴張層(4)，C)在該電流擴張層(4)上施加一種蝕刻光罩(6)，D)依據相同的蝕刻光罩(6)藉由蝕刻使該電流擴張層(4)和該半導體層序列(3)結構化，其中該半導體層序列(3)之一邊緣至該電流擴張層(4)之一邊緣之距離至多是3微米。

    Abstract in simplified Chinese: 在至少一实施形式中，本方法用来制造一种光电半导体芯片(1)且包括以下步骤：A)在一生长基板(2)上磊晶生长半导体层串行(3)，B)在该半导体层串行(3)上施加一由透明之导电氧化物构成的电流扩张层(4)，C)在该电流扩张层(4)上施加一种蚀刻光罩(6)，D)依据相同的蚀刻光罩(6)借由蚀刻使该电流扩张层(4)和该半导体层串行(3)结构化，其中该半导体层串行(3)之一边缘至该电流扩张层(4)之一边缘之距离至多是3微米。

    光電半導體組件
    7.
    发明专利
    光電半導體組件 审中-公开
    光电半导体组件

    公开(公告)号：TW201607077A

    公开(公告)日：2016-02-16

    申请号：TW104118684

    申请日：2015-06-10

    Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： 普茲梅爾 可賓年 ,  PERZLMAIER, KORBINIAN ,  可普 法賓 ,  KOPP, FABIAN ,  艾琴格 克里斯汀 ,  EICHINGER, CHRISTIAN ,  慕耳曼 畢爾 ,  MUERMANN, BJOERN

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

    CPC classification number: H01L33/14 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62

    Abstract: 本發明提供一種光電半導體組件(1)，具有一包含半導體層序列之半導體本體(2)，此半導體層序列具有一用於產生輻射的活性區(20)、一半導體層(21)和另一半導體層(22)，其中- 該活性區配置在該半導體層和該另一半導體層之間；- 在該半導體本體之輻射發出面(210)上配置一電流擴大層；- 該電流擴大層可導電地與一接觸結構(4)連接以使該半導體層達成外部的電性接觸；- 該電流擴大層在該半導體組件之俯視圖中於一連接區(30)中係鄰接於該半導體層，且- 該電流擴大層具有一種包含多個凹入區(35)的結構(31)，在操作時輻射經由所述凹入區(35)而由該半導體組件發出。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种光电半导体组件(1)，具有一包含半导体层串行之半导体本体(2)，此半导体层串行具有一用于产生辐射的活性区(20)、一半导体层(21)和另一半导体层(22)，其中- 该活性区配置在该半导体层和该另一半导体层之间；- 在该半导体本体之辐射发出面(210)上配置一电流扩大层；- 该电流扩大层可导电地与一接触结构(4)连接以使该半导体层达成外部的电性接触；- 该电流扩大层在该半导体组件之俯视图中于一连接区(30)中系邻接于该半导体层，且- 该电流扩大层具有一种包含多个凹入区(35)的结构(31)，在操作时辐射经由所述凹入区(35)而由该半导体组件发出。

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