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公开(公告)号:TWI648881B
公开(公告)日:2019-01-21
申请号:TW105123572
申请日:2016-07-26
Applicant: 德商歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC: H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/64
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公开(公告)号:TW201603320A
公开(公告)日:2016-01-16
申请号:TW104113146
申请日:2015-04-24
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 慕耳曼 畢爾 , MUERMANN, BJOERN , 可普 法賓 , KOPP, FABIAN , 何佩 魯茲 , HOEPPEL, LUTZ
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 一種製造光電半導體晶片(1)的方法,具有以下步驟:- 製備一種半導體層序列(2),其具有活性區(22),- 在該半導體層序列(2)上施加第一和第二接觸層(31、32),- 在第一和第二電性接觸區(51、52)中於第二接觸層(31、32)上施加一接觸金屬化部(4),其中- 第一和第二接觸層(31、32)分別由至少一種透明的導電氧化物形成,- 第一電性接觸區(51)中以下的各層依序跟隨著:半導體層序列(2)、第一接觸層(31、32)、第二接觸層(31、32)及該接觸金屬化部(4),且- 第二電性接觸區(52)中以下的各層依序跟隨著:半導體層序列(2)、第二接觸層(31、32)及該接觸金屬化部(4)。
Abstract in simplified Chinese: 一种制造光电半导体芯片(1)的方法,具有以下步骤:- 制备一种半导体层串行(2),其具有活性区(22),- 在该半导体层串行(2)上施加第一和第二接触层(31、32),- 在第一和第二电性接触区(51、52)中于第二接触层(31、32)上施加一接触金属化部(4),其中- 第一和第二接触层(31、32)分别由至少一种透明的导电氧化物形成,- 第一电性接触区(51)中以下的各层依序跟随着:半导体层串行(2)、第一接触层(31、32)、第二接触层(31、32)及该接触金属化部(4),且- 第二电性接触区(52)中以下的各层依序跟随着:半导体层串行(2)、第二接触层(31、32)及该接触金属化部(4)。
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公开(公告)号:TW201712904A
公开(公告)日:2017-04-01
申请号:TW105123572
申请日:2016-07-26
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC: H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/64
CPC classification number: H01L33/486 , H01L31/0203 , H01L33/62
Abstract: 本發明提供一種半導體晶片,具有:- 一載體(3),其包括一第一導體(31)、一第二導體(32)、及一型體(33),- 一電性絕緣層(4),其包括一第一開口(41)和一第二開口(42),- 可導電的第一和第二終端區(51、52),其中- 第一導體(31)與第二導體(32)的距離為第一距離(D1),- 第一終端區(51)與第二終端區(52)的距離為第二距離(D2),以及- 第一距離(D1)小於第二距離(D2)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体芯片,具有:- 一载体(3),其包括一第一导体(31)、一第二导体(32)、及一型体(33),- 一电性绝缘层(4),其包括一第一开口(41)和一第二开口(42),- 可导电的第一和第二终端区(51、52),其中- 第一导体(31)与第二导体(32)的距离为第一距离(D1),- 第一终端区(51)与第二终端区(52)的距离为第二距离(D2),以及- 第一距离(D1)小于第二距离(D2)。
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公开(公告)号:TWI491084B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:TW101104664
申请日:2012-02-14
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 岡什 艾華德卡羅麥可 , GUENTHER, EWALD KARL MICHAEL , 布羅塞 安德烈斯 , PLOESSL, ANDREAS , 祖兒 荷瑞伯特 , ZULL, HERIBERT , 威特 湯瑪斯 , VEIT, THOMAS , 坎普 馬塞斯 , KAEMPF, MATHIAS , 丹納馬克 珍斯 , DENNEMARCK, JENS , 柏恩 伯恩德 , BOEHM, BERND , 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN
IPC: H01L33/64
CPC classification number: H01L29/0607 , H01L23/60 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L29/66128 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/641 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265
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公开(公告)号:TW201431118A
公开(公告)日:2014-08-01
申请号:TW102145269
申请日:2013-12-10
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 泰格 謝巴斯汀 , TAEGER, SEBASTIAN
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 在至少一實施形式中,本方法用來製造一種光電半導體晶片(1)且包括以下步驟:A)在一生長基板(2)上磊晶生長半導體層序列(3),B)在該半導體層序列(3)上施加一由透明之導電氧化物構成的電流擴張層(4),C)在該電流擴張層(4)上施加一種蝕刻光罩(6),D)依據相同的蝕刻光罩(6)藉由蝕刻使該電流擴張層(4)和該半導體層序列(3)結構化,其中該半導體層序列(3)之一邊緣至該電流擴張層(4)之一邊緣之距離至多是3微米。
Abstract in simplified Chinese: 在至少一实施形式中,本方法用来制造一种光电半导体芯片(1)且包括以下步骤:A)在一生长基板(2)上磊晶生长半导体层串行(3),B)在该半导体层串行(3)上施加一由透明之导电氧化物构成的电流扩张层(4),C)在该电流扩张层(4)上施加一种蚀刻光罩(6),D)依据相同的蚀刻光罩(6)借由蚀刻使该电流扩张层(4)和该半导体层串行(3)结构化,其中该半导体层串行(3)之一边缘至该电流扩张层(4)之一边缘之距离至多是3微米。
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公开(公告)号:TWI569465B
公开(公告)日:2017-02-01
申请号:TW104118684
申请日:2015-06-10
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 可普 法賓 , KOPP, FABIAN , 艾琴格 克里斯汀 , EICHINGER, CHRISTIAN , 慕耳曼 畢爾 , MUERMANN, BJOERN
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公开(公告)号:TW201607077A
公开(公告)日:2016-02-16
申请号:TW104118684
申请日:2015-06-10
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 可普 法賓 , KOPP, FABIAN , 艾琴格 克里斯汀 , EICHINGER, CHRISTIAN , 慕耳曼 畢爾 , MUERMANN, BJOERN
Abstract: 本發明提供一種光電半導體組件(1),具有一包含半導體層序列之半導體本體(2),此半導體層序列具有一用於產生輻射的活性區(20)、一半導體層(21)和另一半導體層(22),其中- 該活性區配置在該半導體層和該另一半導體層之間;- 在該半導體本體之輻射發出面(210)上配置一電流擴大層;- 該電流擴大層可導電地與一接觸結構(4)連接以使該半導體層達成外部的電性接觸;- 該電流擴大層在該半導體組件之俯視圖中於一連接區(30)中係鄰接於該半導體層,且- 該電流擴大層具有一種包含多個凹入區(35)的結構(31),在操作時輻射經由所述凹入區(35)而由該半導體組件發出。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种光电半导体组件(1),具有一包含半导体层串行之半导体本体(2),此半导体层串行具有一用于产生辐射的活性区(20)、一半导体层(21)和另一半导体层(22),其中- 该活性区配置在该半导体层和该另一半导体层之间;- 在该半导体本体之辐射发出面(210)上配置一电流扩大层;- 该电流扩大层可导电地与一接触结构(4)连接以使该半导体层达成外部的电性接触;- 该电流扩大层在该半导体组件之俯视图中于一连接区(30)中系邻接于该半导体层,且- 该电流扩大层具有一种包含多个凹入区(35)的结构(31),在操作时辐射经由所述凹入区(35)而由该半导体组件发出。
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公开(公告)号:TWI498952B
公开(公告)日:2015-09-01
申请号:TW101112906
申请日:2012-04-12
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 祖兒 荷瑞伯特 , ZULL, HERIBERT , 艾伯哈 法蘭茲 , EBERHARD, FRANZ , 威特 湯瑪斯 , VEIT, THOMAS , 坎普 馬塞斯 , KAEMPF, MATHIAS , 丹納馬克 珍斯 , DENNEMARCK, JENS
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TWI470835B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:TW101135463
申请日:2012-09-27
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 吉爾克 凱 , GEHRKE, KAI , 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 弗洛特 理查 , FLOETER, RICHARD , 屈米德 克里斯汀 , SCHMID, CHRISTIAN
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/405
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公开(公告)号:TW201322493A
公开(公告)日:2013-06-01
申请号:TW101135463
申请日:2012-09-27
Applicant: 歐斯朗奧托半導體股份有限公司 , OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor: 吉爾克 凱 , GEHRKE, KAI , 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 弗洛特 理查 , FLOETER, RICHARD , 屈米德 克里斯汀 , SCHMID, CHRISTIAN
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/405
Abstract: 在至少一實施形式中,光電半導體晶片(1)具有一用於產生電磁輻射之半導體層序列(2)、以及銀鏡面(3)。該銀鏡面(3)配置在該半導體層序列(2)上。氧添加至該銀鏡面(3)之銀。該銀鏡面(3)上該氧之重量成份較佳是至少10-5且較佳是最多10%。
Abstract in simplified Chinese: 在至少一实施形式中,光电半导体芯片(1)具有一用于产生电磁辐射之半导体层串行(2)、以及银镜面(3)。该银镜面(3)配置在该半导体层串行(2)上。氧添加至该银镜面(3)之银。该银镜面(3)上该氧之重量成份较佳是至少10-5且较佳是最多10%。
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