公开(公告)号：TWI593110B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW102121115

申请日：2013-06-14

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 岡本康宏 ,  OKAMOTO, YASUHIRO ,  井上 ,  INOUE, TAKASHI ,  中山達峰 ,  NAKAYAMA, TATSUO ,  根賀亮平 ,  NEGA, RYOHEI ,  金澤全彰 ,  KANAZAWA, MASAAKI ,  宮本広信 ,  MIYAMOTO, HIRONOBU

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI552339B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW103137558

申请日：2014-10-30

申请人： 三菱電機股份有限公司 ,  MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION

发明人： 西澤弘一郎 ,  NISHIZAWA, KOICHIRO

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/8252

CPC分类号： H01L21/76864 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/32 ,  C23C18/50 ,  C23C18/54 ,  C23C28/00 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C25D7/123 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：TWI475693B

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW100149142

申请日：2011-12-28

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 鎌田陽一 ,  KAMADA, YOICHI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/53252 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/454 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI470803B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：TW100149136

申请日：2011-12-28

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 今田忠紘 ,  IMADA, TADAHIRO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI441303B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：TW100120365

申请日：2011-06-10

申请人： 國立交通大學 ,  NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY

发明人： 張翼 ,  CHANG, YI ,  張嘉華 ,  CHANG, CHIA HUA ,  林岳欽 ,  LIN, YUEH CHIN ,  陳宥綱 ,  CHEN, YU KONG ,  謝廷恩 ,  SHIE, TING EN

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452

公开(公告)号：TWI429090B

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW099116245

申请日：2010-05-21

申请人： 國立成功大學 ,  NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

发明人： 劉文超 ,  陳慧英 ,  陳利洋 ,  黃建彰

IPC分类号： H01L29/812 ,  H01L29/47 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66863 ,  H01L29/7787

公开(公告)号：TW201342530A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：TW102106450

申请日：2013-02-23

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 程 卡琪亞 ,  CHENG, KEZIA

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/485 ,  H01L23/4855 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/41 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明揭示關於半導體之金屬化的裝置及方法。一金屬化結構可包含安置於一化合物半導體上方之一堆疊，其中該堆疊包含一障壁、安置於該障壁上方之一(Cu)層及安置於該Cu層上方之一第一鈦(Ti)層。該金屬化結構可進一步包含安置於該第一Ti層上方之一經濺鍍鈦鎢(TiW)層。該障壁可包含氮化鈦(TiN)及Ti層之一總成。該金屬化結構可進一步包含安置於該經濺鍍TiW層上方之一第二Ti層。

简体摘要： 本发明揭示关于半导体之金属化的设备及方法。一金属化结构可包含安置于一化合物半导体上方之一堆栈，其中该堆栈包含一障壁、安置于该障壁上方之一(Cu)层及安置于该Cu层上方之一第一钛(Ti)层。该金属化结构可进一步包含安置于该第一Ti层上方之一经溅镀钛钨(TiW)层。该障壁可包含氮化钛(TiN)及Ti层之一总成。该金属化结构可进一步包含安置于该经溅镀TiW层上方之一第二Ti层。

公开(公告)号：TW201314895A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101126455

申请日：2012-07-23

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 鎌田陽一 ,  KAMADA, YOUICHI

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC分类号： H03F1/3247 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 一種化合物半導體裝置之一實施例包括：一基材；一電子通道層及一電子供應層，其形成在該基材上方；一閘極電極，一源極電極及一汲極電極，其形成在該電子供應層上或上方；一第一p型半導體層，其形成在該電子供應層與該閘極電極之間；及一第二p型半導體層，其形成在該電子供應層與該源極電極及該汲極電極中之至少一電極之間。在該第二p型半導體層上之該源極電極及該汲極電極中之該一電極包括：一第一金屬膜；及一第二金屬膜，其在該第一金屬膜之閘極電極側接觸該第一金屬膜，且該第二金屬膜之電阻比該第一金屬膜之電阻低。

简体摘要： 一种化合物半导体设备之一实施例包括：一基材；一电子信道层及一电子供应层，其形成在该基材上方；一闸极电极，一源极电极及一汲极电极，其形成在该电子供应层上或上方；一第一p型半导体层，其形成在该电子供应层与该闸极电极之间；及一第二p型半导体层，其形成在该电子供应层与该源极电极及该汲极电极中之至少一电极之间。在该第二p型半导体层上之该源极电极及该汲极电极中之该一电极包括：一第一金属膜；及一第二金属膜，其在该第一金属膜之闸极电极侧接触该第一金属膜，且该第二金属膜之电阻比该第一金属膜之电阻低。

公开(公告)号：TW201242026A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW100149136

申请日：2011-12-28

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 今田忠紘

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明體現一種高可靠度高壓電阻化合物半導體裝置,除了減輕閘極電極上電場的集中藉以實現進一步改善電壓電阻之外,能增加裝置運作速度、具備高突崩電阻、且耐突波、當應用於例如反向器電路時排除從外部連接二極體之需求、以及即使有電洞產生亦能達到安全且穩定的操作。利用電極材料將閘極電極形成為通過閘極絕緣膜填充於形成在堆疊化合物半導體結構中的電極凹槽,以及利用p型半導體填充於形成在堆疊化合物半導體結構中的場極板凹槽,藉以形成具有p型半導體層與堆疊化合物半導體結構接觸的場極板。

简体摘要： 本发明体现一种高可靠度高压电阻化合物半导体设备,除了减轻闸极电极上电场的集中借以实现进一步改善电压电阻之外,能增加设备运作速度、具备高突崩电阻、且耐突波、当应用于例如反向器电路时排除从外部连接二极管之需求、以及即使有电洞产生亦能达到安全且稳定的操作。利用电极材料将闸极电极形成为通过闸极绝缘膜填充于形成在堆栈化合物半导体结构中的电极凹槽,以及利用p型半导体填充于形成在堆栈化合物半导体结构中的场极板凹槽,借以形成具有p型半导体层与堆栈化合物半导体结构接触的场极板。

公开(公告)号：TW201218261A

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：TW100105387

申请日：2011-02-18

申请人： 三墾電氣股份有限公司

发明人： 伊藤裕規 ,  岩淵昭夫

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/78 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452

摘要： 本發明提供一種半導體晶圓、及半導體裝置之製造方法,其可抑制將具有化合物半導體層之半導體晶圓分割成複數個晶片的刀片之損傷、及半導體晶圓分割時良率之下降。本發明包含:準備積層有矽基板、及包含硬度比矽基板高之化合物半導體層之積層體之半導體晶圓1之步驟;對積層體進行蝕刻直至矽基板露出為止,將形成有平行延伸之條紋狀之複數個槽之溝槽區域21形成為格子狀之步驟;於槽之內部埋入硬度比化合物半導體層低之材料之步驟;於周圍被溝槽區域21包圍之元件配置區域形成半導體裝置22之步驟;以及使用刀片切割定義於溝槽區域21之內側之切割線300,藉此就各半導體裝置22將半導體晶圓1分割成複數個晶片之步驟。

简体摘要： 本发明提供一种半导体晶圆、及半导体设备之制造方法,其可抑制将具有化合物半导体层之半导体晶圆分割成复数个芯片的刀片之损伤、及半导体晶圆分割时良率之下降。本发明包含:准备积层有硅基板、及包含硬度比硅基板高之化合物半导体层之积层体之半导体晶圆1之步骤;对积层体进行蚀刻直至硅基板露出为止,将形成有平行延伸之条纹状之复数个槽之沟槽区域21形成为格子状之步骤;于槽之内部埋入硬度比化合物半导体层低之材料之步骤;于周围被沟槽区域21包围之组件配置区域形成半导体设备22之步骤;以及使用刀片切割定义于沟槽区域21之内侧之切割线300,借此就各半导体设备22将半导体晶圆1分割成复数个芯片之步骤。