-
公开(公告)号：TWI648881B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW105123572
申请日：2016-07-26
发明人： 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/64
-
公开(公告)号：TWI511183B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW101106510
申请日：2012-02-29
发明人： 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN , 弗格 安頓 , VOGL, ANTON , 畢貝斯朵夫 安德里亞斯 , BIEBERSDORF, ANDREAS , 布登迪契 雷納 , BUTENDEICH, RAINER , 倫波茲 克里斯丁 , RUMBOLZ, CHRISTIAN
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L2933/0091
-
公开(公告)号：TWI524554B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW103113254
申请日：2014-04-10
发明人： 羅夫勒 安德烈斯 , LOEFFLER, ANDREAS , 梅爾 托拜西 , MEYER, TOBIAS , 包爾 亞當 , BAUER, ADAM , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L25/167 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：TW201501355A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103113254
申请日：2014-04-10
发明人： 羅夫勒 安德烈斯 , LOEFFLER, ANDREAS , 梅爾 托拜西 , MEYER, TOBIAS , 包爾 亞當 , BAUER, ADAM , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L25/167 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一種光電半導體晶片之製造方法包括：製備一基板；生長第一層；進行一種蝕刻過程以產生V-缺陷；生長第二層；以及生長一種量子膜結構。
简体摘要： 一种光电半导体芯片之制造方法包括：制备一基板；生长第一层；进行一种蚀刻过程以产生V-缺陷；生长第二层；以及生长一种量子膜结构。
-
公开(公告)号：TWI464911B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW101106636
申请日：2012-03-01
发明人： 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN , 弗格 安頓 , VOGL, ANTON , 畢貝斯朵夫 安德里亞斯 , BIEBERSDORF, ANDREAS , 赫特柯恩 約阿欣 , HERTKORN, JOACHIM , 高哲也 , TAKI, TETSUYA , 布登迪契 雷納 , BUTENDEICH, RAINER
IPC分类号： H01L33/22 , H01L21/205 , H01L31/0384
CPC分类号： H01L21/02513 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L31/03044 , H01L31/03529 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/24
-
公开(公告)号：TWI589029B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105123664
申请日：2016-07-27
发明人： 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡斯普薩克沙布拉卡 安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 拉斐爾 克利斯汀 , RAFAEL, CHRISTINE , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
-
公开(公告)号：TW201712895A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105123664
申请日：2016-07-27
发明人： 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 卡斯普薩克沙布拉卡 安娜 , KASPRZAK-ZABLOCKA, ANNA , 拉斐爾 克利斯汀 , RAFAEL, CHRISTINE , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2933/0025 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
摘要： 本發明提供一種光電組件(100)，具有：一載體(1)，其具有一電性絕緣的型體(5)；一半導體本體(2)；以及一多層結構(3)，其中，在橫向中該型體(5)至少以區域方式包圍著該半導體本體(2)。該多層結構(3)在橫向中至少以區域方式配置在該半導體本體(2)和該型體(5)之間，且該多層結構具有一金屬層(30)和一非金屬的邊界層(32)，其中-該邊界層(32)在橫向中配置在該半導體本體(2)和該金屬層(30)之間、至少以區域方式鄰接於該半導體本體(2)、橫向地覆蓋該活性層(23)且在與該半導體本體(2)比較下具有較小的折射率，且-該金屬層(30)係用於防止：該組件操作時產生的、經由該邊界層的電磁輻射入射至該型體(5)。 此外，本發明提供一種製造一個或多個上述組件的方法。
简体摘要： 本发明提供一种光电组件(100)，具有：一载体(1)，其具有一电性绝缘的型体(5)；一半导体本体(2)；以及一多层结构(3)，其中，在横向中该型体(5)至少以区域方式包围着该半导体本体(2)。该多层结构(3)在横向中至少以区域方式配置在该半导体本体(2)和该型体(5)之间，且该多层结构具有一金属层(30)和一非金属的边界层(32)，其中-该边界层(32)在横向中配置在该半导体本体(2)和该金属层(30)之间、至少以区域方式邻接于该半导体本体(2)、横向地覆盖该活性层(23)且在与该半导体本体(2)比较下具有较小的折射率，且-该金属层(30)系用于防止：该组件操作时产生的、经由该边界层的电磁辐射入射至该型体(5)。 此外，本发明提供一种制造一个或多个上述组件的方法。
-
公开(公告)号：TW201712904A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105123572
申请日：2016-07-26
发明人： 普茲梅爾 可賓年 , PERZLMAIER, KORBINIAN , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L33/62 , H01L31/0224 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/486 , H01L31/0203 , H01L33/62
摘要： 本發明提供一種半導體晶片，具有：- 一載體(3)，其包括一第一導體(31)、一第二導體(32)、及一型體(33)，- 一電性絕緣層(4)，其包括一第一開口(41)和一第二開口(42)，- 可導電的第一和第二終端區(51、52)，其中- 第一導體(31)與第二導體(32)的距離為第一距離(D1)，- 第一終端區(51)與第二終端區(52)的距離為第二距離(D2)，以及- 第一距離(D1)小於第二距離(D2)。
简体摘要： 本发明提供一种半导体芯片，具有：- 一载体(3)，其包括一第一导体(31)、一第二导体(32)、及一型体(33)，- 一电性绝缘层(4)，其包括一第一开口(41)和一第二开口(42)，- 可导电的第一和第二终端区(51、52)，其中- 第一导体(31)与第二导体(32)的距离为第一距离(D1)，- 第一终端区(51)与第二终端区(52)的距离为第二距离(D2)，以及- 第一距离(D1)小于第二距离(D2)。
-
公开(公告)号：TWI611555B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW105121682
申请日：2016-07-11
发明人： 休瓦茲 湯瑪斯 , SCHWARZ, THOMAS , 辛格 法蘭克 , SINGER, FRANK , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/44 , G09F9/33
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/52 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
-
公开(公告)号：TW201709478A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105121682
申请日：2016-07-11
发明人： 休瓦茲 湯瑪斯 , SCHWARZ, THOMAS , 辛格 法蘭克 , SINGER, FRANK , 萊羅 克里斯丁 , LEIRER, CHRISTIAN
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/44 , G09F9/33
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/52 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： 一種電視牆模組具有複數個發光二極體晶片，其分別具有一配置在發光二極體晶片之一上側上的上側電極及一配置在發光二極體晶片之一下側上的下側電極。該些發光二極體晶片埋置於一種型體中。上側電極是與一配置在該型體之一前側上的前側金屬層相連接。下側電極是與一配置在該型體之一後側上的後側金屬層相連接。在型體的該後側上配置一介電層。該後側金屬層可導電地與一配置在該介電層上的外部金屬層相連接。
简体摘要： 一种电视墙模块具有复数个发光二极管芯片，其分别具有一配置在发光二极管芯片之一上侧上的上侧电极及一配置在发光二极管芯片之一下侧上的下侧电极。该些发光二极管芯片埋置于一种型体中。上侧电极是与一配置在该型体之一前侧上的前侧金属层相连接。下侧电极是与一配置在该型体之一后侧上的后侧金属层相连接。在型体的该后侧上配置一介电层。该后侧金属层可导电地与一配置在该介电层上的外部金属层相连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.022 秒)
