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公开(公告)号:TWI612564B
公开(公告)日:2018-01-21
申请号:TW103125044
申请日:2014-07-22
Applicant: 愛美科公司 , IMEC VZW , 比利時魯汶大學 , KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Inventor: 林瀚中 , LIN, HAN CHUNG , 那恩斯 羅拉 , NYNS, LAURA , 伊諾瓦 斯凡丹 , IVANOV, TSVETAN , 凡 多普 丹尼斯 , VAN DORP, DENNIS
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/02172 , H01L21/02178 , H01L21/02192 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/517
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公开(公告)号:TW201515072A
公开(公告)日:2015-04-16
申请号:TW103125044
申请日:2014-07-22
Applicant: 愛美科公司 , IMEC VZW , 比利時魯汶大學 , KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN
Inventor: 林瀚中 , LIN, HAN CHUNG , 那恩斯 羅拉 , NYNS, LAURA , 伊諾瓦 斯凡丹 , IVANOV, TSVETAN , 凡 多普 丹尼斯 , VAN DORP, DENNIS
CPC classification number: H01L29/513 , H01L21/02172 , H01L21/02178 , H01L21/02192 , H01L21/28264 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/517
Abstract: 本發明揭示一種半導體結構,其包括:a.一基板,其包括一III-V材料,及b.一高k介面層,其覆疊該基板,其中該介面層包括一稀土鋁酸鹽;一種包括該半導體結構之n型FET裝置;及一種製造該半導體結構之方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体结构,其包括:a.一基板,其包括一III-V材料,及b.一高k界面层,其覆叠该基板,其中该界面层包括一稀土铝酸盐;一种包括该半导体结构之n型FET设备;及一种制造该半导体结构之方法。
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