公开(公告)号：TWI612564B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW103125044

申请日：2014-07-22

Applicant: 愛美科公司 ,  IMEC VZW ,  比利時魯汶大學 ,  KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN

Inventor： 林瀚中 ,  LIN, HAN CHUNG ,  那恩斯 羅拉 ,  NYNS, LAURA ,  伊諾瓦 斯凡丹 ,  IVANOV, TSVETAN ,  凡 多普 丹尼斯 ,  VAN DORP, DENNIS

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TW201515072A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：TW103125044

申请日：2014-07-22

Applicant: 愛美科公司 ,  IMEC VZW ,  比利時魯汶大學 ,  KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN

Inventor： 林瀚中 ,  LIN, HAN CHUNG ,  那恩斯 羅拉 ,  NYNS, LAURA ,  伊諾瓦 斯凡丹 ,  IVANOV, TSVETAN ,  凡 多普 丹尼斯 ,  VAN DORP, DENNIS

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517

Abstract: 本發明揭示一種半導體結構，其包括：a.一基板，其包括一III-V材料，及b.一高k介面層，其覆疊該基板，其中該介面層包括一稀土鋁酸鹽；一種包括該半導體結構之n型FET裝置；及一種製造該半導體結構之方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体结构，其包括：a.一基板，其包括一III-V材料，及b.一高k界面层，其覆叠该基板，其中该界面层包括一稀土铝酸盐；一种包括该半导体结构之n型FET设备；及一种制造该半导体结构之方法。