公开(公告)号：TW201807239A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106112725

申请日：2017-04-17

申请人： ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V. ,  愛美科公司 ,  IMEC VZW

发明人： 梅斯 強 威廉 ,  MAES, JAN WILLEM ,  內本 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  葛漢德 羅爾 ,  GRONHEID, ROEL ,  辛區 艾爾君 ,  SINGH, ARJUN

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C23C8/02 ,  C23C8/06 ,  C23C8/80 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0338 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32

摘要： 揭露一種使用退火步驟及沈積步驟來形成膜的方法。所述方法包括用於在聚合物內誘發自組裝或對齊的退火步驟。所述方法亦包括選擇性沈積步驟以在聚合物上達成選擇性沈積。

简体摘要： 揭露一种使用退火步骤及沉积步骤来形成膜的方法。所述方法包括用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述方法亦包括选择性沉积步骤以在聚合物上达成选择性沉积。

公开(公告)号：TW201804619A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106119339

申请日：2010-11-04

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  平石鈴之介 ,  HIRAISHI, SUZUNOSUKE ,  秋元健吾 ,  AKIMOTO, KENGO ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： 一目的在於，在包括氧化物半導體層之薄膜電晶體中，減少氧化物半導體層與電連接至氧化物半導體層的源極及汲極電極層之間的接觸電阻。源極及汲極電極層具有兩或更多層之堆疊層結構，其中使用工作函數比氧化物半導體層之工作函數更低之一金屬或含有這類金屬的合金來形成接觸氧化物半導體層的層。使用選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、或W之元素、含有這些元素之任何作為成分的合金、含有這些元素之任何的組合之合金、或之類來形成源極及汲極電極層之與氧化物半導體層接觸的層以外的層。

简体摘要： 一目的在于，在包括氧化物半导体层之薄膜晶体管中，减少氧化物半导体层与电连接至氧化物半导体层的源极及汲极电极层之间的接触电阻。源极及汲极电极层具有两或更多层之堆栈层结构，其中使用工作函数比氧化物半导体层之工作函数更低之一金属或含有这类金属的合金来形成接触氧化物半导体层的层。使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、或W之元素、含有这些元素之任何作为成分的合金、含有这些元素之任何的组合之合金、或之类来形成源极及汲极电极层之与氧化物半导体层接触的层以外的层。

公开(公告)号：TWI612564B

公开(公告)日：2018-01-21

申请号：TW103125044

申请日：2014-07-22

申请人： 愛美科公司 ,  IMEC VZW ,  比利時魯汶大學 ,  KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN

发明人： 林瀚中 ,  LIN, HAN CHUNG ,  那恩斯 羅拉 ,  NYNS, LAURA ,  伊諾瓦 斯凡丹 ,  IVANOV, TSVETAN ,  凡 多普 丹尼斯 ,  VAN DORP, DENNIS

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517

公开(公告)号：TWI605587B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW104136012

申请日：2015-11-02

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 姚 海標 ,  YAO, HAI-BIAO ,  吳 少慧 ,  WU, SHAO-HUI ,  古其發 ,  KU, CHI-FA ,  林震賓 ,  LIN, CHEN-BIN ,  周 志飈 ,  ZHOU, ZHI-BIAO

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI605518B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105135086

申请日：2016-10-28

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 蔡榮訓 ,  TSAI, JUNG HSUN ,  鄧志霖 ,  TENG, CHI LIN ,  鄭凱方 ,  CHENG, KAI FANG ,  黃心巖 ,  HUANG, HSIN YEN ,  陳海清 ,  CHEN, HAI CHING ,  包天一 ,  BAO, TIEN I ,  黃建樺 ,  HUANG, CHIEN HUA

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295

公开(公告)号：TW201726963A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105131843

申请日：2016-10-03

申请人： 蘭姆研究公司 ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： 達姆尼亞諾维奇 丹尼爾 ,  DAMJANOVIC, DANIEL ,  瑟藍莫尼恩 普拉莫 ,  SUBRAMONIUM, PRAMOD ,  珊卡 納葛 ,  SHANKAR, NAGRAJ

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L21/76831 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/481

摘要： 特徵在於低於約10的介電常數(k)且具有至少約2.5 g/cm3的密度的介電質AlO、AlOC、 AlON、及AlOCN薄膜，被沉積在部分已製成半導體裝置上作為蝕刻終止層及/或擴散阻障層。在一實施例中，在iALD製程腔室中將包含暴露介電質層(例如ULK介電質)與暴露金屬層的基板與含鋁化合物(例如三甲基鋁)接觸，並允許含鋁化合物吸附在基板的表面上。此步驟係在無電漿的情況下執行。接下來，將未吸附的含鋁化合物從製程腔室中移除，並在電漿中使用包含CO2或N2O及惰性氣體的製程氣體來處理基板，以形成AlO、AlOC、AlON、或AlOCN層。然後重複執行這些步驟。

简体摘要： 特征在于低于约10的介电常数(k)且具有至少约2.5 g/cm3的密度的介电质AlO、AlOC、 AlON、及AlOCN薄膜，被沉积在部分已制成半导体设备上作为蚀刻终止层及/或扩散阻障层。在一实施例中，在iALD制程腔室中将包含暴露介电质层(例如ULK介电质)与暴露金属层的基板与含铝化合物(例如三甲基铝)接触，并允许含铝化合物吸附在基板的表面上。此步骤系在无等离子的情况下运行。接下来，将未吸附的含铝化合物从制程腔室中移除，并在等离子中使用包含CO2或N2O及惰性气体的制程气体来处理基板，以形成AlO、AlOC、AlON、或AlOCN层。然后重复运行这些步骤。

公开(公告)号：TWI574369B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW103144916

申请日：2014-12-23

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 徐曉秋 ,  HSU, HSIAO CHIU ,  楊復凱 ,  YANG, FU KAI ,  王美勻 ,  WANG, MEI YUN ,  王憲程 ,  WANG, HSIEN CHENG ,  劉仕文 ,  LIU, SHIH WEN ,  林欣穎 ,  LIN, HSIN YING

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53257 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201701326A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105105856

申请日：2016-02-26

申请人： 圖爾庫大學 ,  TURUN YLIOPISTO

发明人： 庫茲明 米克海爾 ,  KUZMIN, MIKHAIL ,  路克卡南 佩卡 ,  LAUKKANEN, PEKKA ,  穆哈瑪德 亞瑟 ,  MUHAMMAD, YASIR ,  圖米南 瑪朱卡 ,  TUOMINEN, MARJUKKA ,  答爾 約翰 ,  DAHL, JOHNNY ,  圖米南 維寇 ,  TUOMINEN, VEIKKO ,  馬凱拉 賈克寇 ,  MAKELA, JAAKKO ,  龐克奇南 馬寇 ,  PUNKKINEN, MARKO ,  寇克寇 卡雷維 ,  KOKKO, KALEVI

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02255

摘要： 一種在半導體的基板(1)上形成外來氧化物或外來氮化物層(6)的方法，包含：提供具有氧化或氮化的表面層(3)的半導體基板(1)，將外來元素(5)供應至該氧化或氮化的表面層上；和將該氧化或氮化的表面層(3)保持在升高的溫度下以分別利用原本存在於該氧化或氮化的表面層(3)中的該氧或氮來將該外來元素至少部分地氧化或氮化。

简体摘要： 一种在半导体的基板(1)上形成外来氧化物或外来氮化物层(6)的方法，包含：提供具有氧化或氮化的表面层(3)的半导体基板(1)，将外来元素(5)供应至该氧化或氮化的表面层上；和将该氧化或氮化的表面层(3)保持在升高的温度下以分别利用原本存在于该氧化或氮化的表面层(3)中的该氧或氮来将该外来元素至少部分地氧化或氮化。

公开(公告)号：TWI562376B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW103129558

申请日：2014-08-27

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 陳 漢威 ,  THEN, HAN WUI ,  達斯古塔 山薩塔克 ,  DASGUPTA, SANSAPTAK ,  拉多撒福傑維克 馬可 ,  RADOSAVLJEVIC, MARKO ,  喬 羅伯特 ,  CHAU, ROBERT S. ,  宋承宏 ,  SUNG, SEUNG HOON ,  珈納 薩納斯 ,  GARDNER, SANAZ K.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42392 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TWI562375B

公开(公告)日：2016-12-11

申请号：TW103127921

申请日：2014-08-14

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 史肯克 理查 ,  SCHENKER, RICHARD E. ,  譚 伊利耶特 ,  TAN, ELLIOT N.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00