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公开(公告)号：TW201734651A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105135618
申请日：2016-11-02
申请人： 荷蘭基金會科研院所 , STICHTING NEDERLANDSE WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK INSTITUTEN , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： 薩耶迪 艾默邁迪 , SAEDI, AMIRMEHDI , 法蘭肯 瓊斯特 威爾漢穆斯 瑪莉亞 , FRENKEN, JOOST WILHELMUS MARIA , 斯福李高吉 克麗斯汀娜 , SFILIGOJ, CRISTINA , 唯霍夫 真 , VERHOEVEN, JAN
CPC分类号： G03F7/70316 , G02B5/0875 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： 本發明提供一種供用於EUV微影中之多層反射器，其例如包含交替的Mo層與RbxSiy層。該RbxSiy及Mo界面熱力地穩定，從而減少該等層之相互混合及防止反射率之降低。該RbxSiy層可經氫化以形成RbSiH3。對於Mo/RbSiH3之狀況，可使用Mo層與RbSiH3層之間的一RbH間層。一Mo/RbH多層鏡面亦係實用的。
简体摘要： 本发明提供一种供用于EUV微影中之多层反射器，其例如包含交替的Mo层与RbxSiy层。该RbxSiy及Mo界面热力地稳定，从而减少该等层之相互混合及防止反射率之降低。该RbxSiy层可经氢化以形成RbSiH3。对于Mo/RbSiH3之状况，可使用Mo层与RbSiH3层之间的一RbH间层。一Mo/RbH多层镜面亦系实用的。
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2.发明专利附多層反射膜之基板之製造方法、反射型光罩基底之製造方法、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法 有权附多层反射膜之基板之制造方法、反射型光罩基底之制造方法、附多层反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI598680B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW102134863
申请日：2013-09-26
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人： 折原敏彥 , ORIHARA, TOSHIHIKO , 濱本和宏 , HAMAMOTO, KAZUHIRO , 小阪井弘文 , KOZAKAI, HIROFUMI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU , 堀川順一 , HORIKAWA, JUNICHI
IPC分类号： G03F1/62
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公开(公告)号：TW201414996A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102131412
申请日：2013-08-30
申请人： 克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人： 張強 , ZHANG, QIANG , 劉燕維 , LIU, YANWEI , 賽斯金納 阿布都拉罕 , SEZGINER, ABDURRAHMAN
CPC分类号： G01J1/00 , G01J1/4257 , G02B5/0833 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/50 , G03F1/52 , G03F1/84 , G21K7/00
摘要： 本發明揭示一種用於量測一極紫外光(EUV)檢查系統之波前像差之測試結構。該測試結構包含：一基板，其由對EUV光實質上無反射性之一材料形成；及一多層(ML)堆疊部分(諸如一柱)，其形成於該基板上且包括具有不同折射率以反射EUV光之複數個交替層對。該等對之計數(數目)等於或小於15。
简体摘要： 本发明揭示一种用于量测一极紫外光(EUV)检查系统之波前像差之测试结构。该测试结构包含：一基板，其由对EUV光实质上无反射性之一材料形成；及一多层(ML)堆栈部分(诸如一柱)，其形成于该基板上且包括具有不同折射率以反射EUV光之复数个交替层对。该等对之计数(数目)等于或小于15。
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公开(公告)号：TWI604228B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW104118981
申请日：2015-06-11
发明人： 霍夫曼賴夫 , HOFMANN, RALF , 哈森維納亞克費雪瓦納 , HASSAN, VINAYAK VISHWANATH , 比斯利卡拉 , BEASLEY, CARA , 福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A.
CPC分类号： G03F7/702 , C23C14/0605 , C23C14/0635 , C23C14/14 , C23C16/44 , G02B1/14 , G02B5/085 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F1/52 , G03F7/70033 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , H01J37/32798 , H01J37/3429
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公开(公告)号：TW201509838A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103126324
申请日：2014-08-01
发明人： 歐克斯 史帝芬 , OCHS, STEFAN , 貝克 克勞斯 , BECKER, KLAUS , 湯瑪士 史帝芬 , THOMAS, STEPHAN
IPC分类号： C03B19/01
CPC分类号： C03B19/1461 , C03B19/1453 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/00 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2204/00 , G03F1/52 , G03F1/60
摘要： 摻鈦矽玻璃所含之Ti3+離子會使該玻璃染成褐色，造成玻璃檢驗之困難。在摻鈦矽玻璃中，還原Ti3+離子以增加Ti4+離子，可透過一足夠高之OH基成分安全達成，然其係伴隨一內部之氧化以及氫氣之逸出，抑或在較低OH基成分下於玻璃化之前進行氧處理，然其需要高溫處理以及特殊耐腐蝕烤箱，因此亦極為昂貴。為提出一種摻鈦矽玻璃之便宜製造方法，其係於氫氧基含量小於百萬分之120時，在400nm至1000nm之波長範圍內有一至少為70%之內穿透率(樣品厚度10mm)，依據本發明，其係以火焰水解之煤灰體沈積法為起點，在TiO2-SiO2煤灰體玻璃化之前先進行調節處理，而其係包含一使用氮氧化物之處理。如此製成之摻鈦矽玻璃胚件，特徵為具有Ti3+/Ti4+≦5×10-4之比例。
简体摘要： 掺钛硅玻璃所含之Ti3+离子会使该玻璃染成褐色，造成玻璃检验之困难。在掺钛硅玻璃中，还原Ti3+离子以增加Ti4+离子，可透过一足够高之OH基成分安全达成，然其系伴随一内部之氧化以及氢气之逸出，抑或在较低OH基成分下于玻璃化之前进行氧处理，然其需要高温处理以及特殊耐腐蚀烤箱，因此亦极为昂贵。为提出一种掺钛硅玻璃之便宜制造方法，其系于氢氧基含量小于百万分之120时，在400nm至1000nm之波长范围内有一至少为70%之内穿透率(样品厚度10mm)，依据本发明，其系以火焰水解之煤灰体沉积法为起点，在TiO2-SiO2煤灰体玻璃化之前雪铁龙行调节处理，而其系包含一使用氮氧化物之处理。如此制成之掺钛硅玻璃胚件，特征为具有Ti3+/Ti4+≦5×10-4之比例。
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公开(公告)号：TW201602646A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104118981
申请日：2015-06-11
发明人： 霍夫曼賴夫 , HOFMANN, RALF , 哈森維納亞克費雪瓦納 , HASSAN, VINAYAK VISHWANATH , 比斯利卡拉 , BEASLEY, CARA , 福德馬吉德A , FOAD, MAJEED A.
CPC分类号： G03F7/702 , C23C14/0605 , C23C14/0635 , C23C14/14 , C23C16/44 , G02B1/14 , G02B5/085 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F1/52 , G03F7/70033 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , H01J37/32798 , H01J37/3429
摘要： 一種製造極紫外線反射元件的設備和方法，極紫外線反射元件包括基板；多層堆疊，位於基板上，多層堆疊包括複數個反射層對，反射層對具有由矽形成的第一反射層和由鈮或碳化鈮形成的第二反射層，用以形成布拉格反射鏡；及覆蓋層，位於多層堆疊上和上面，藉以減少氧化及機械侵蝕而保護多層堆疊。
简体摘要： 一种制造极紫外线反射组件的设备和方法，极紫外线反射组件包括基板；多层堆栈，位于基板上，多层堆栈包括复数个反射层对，反射层对具有由硅形成的第一反射层和由铌或碳化铌形成的第二反射层，用以形成布拉格反射镜；及覆盖层，位于多层堆栈上和上面，借以减少氧化及机械侵蚀而保护多层堆栈。
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公开(公告)号：TWI484308B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW102108407
申请日：2013-03-11
发明人： 劉鍵炫 , LIU, CHIEN HSUAN , 王仁磐 , WANG, JEN PAN
CPC分类号： G03F1/52 , G03F1/24 , G03F1/50 , G03F1/76 , G03F7/70058 , G03F7/70283 , G03F7/703
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公开(公告)号：TW201502594A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103116535
申请日：2014-05-09
申请人： 尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人： 神高典明 , KANDAKA, NORIAKI
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B5/0816 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F7/2004 , G03F7/32 , G03F7/70316 , G21K1/062 , G21K1/067
摘要： 光學元件包括：基材；多層膜，配置於基材上，積層有多個單元積層構造，該單元積層構造具有第一層與配置於第一層上的第二層；及多個隔片層，配置於單元積層構造彼此的層間中的互不相同的層間。
简体摘要： 光学组件包括：基材；多层膜，配置于基材上，积层有多个单元积层构造，该单元积层构造具有第一层与配置于第一层上的第二层；及多个隔片层，配置於单元积层构造彼此的层间中的互不相同的层间。
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9.发明专利附多層反射膜之基板之製造方法、反射型光罩基底之製造方法、附多層反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法 审中-公开附多层反射膜之基板之制造方法、反射型光罩基底之制造方法、附多层反射膜之基板、反射型光罩基底、反射型光罩及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201423260A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102134863
申请日：2013-09-26
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人： 折原敏彥 , ORIHARA, TOSHIHIKO , 濱本和宏 , HAMAMOTO, KAZUHIRO , 小阪井弘文 , KOZAKAI, HIROFUMI , 笑喜勉 , SHOKI, TSUTOMU , 堀川順一 , HORIKAWA, JUNICHI
IPC分类号： G03F1/62
摘要： 本發明之目的在於提供一種於使用各種波長之光之高感度缺陷檢查機中，偽缺陷之檢測亦較少，尤其達成對附多層反射膜之基板所要求之平滑性，同時因偽缺陷之檢測較少，故可確實地檢測到致命缺陷的附多層反射膜之基板及其製造方法等。本發明係關於一種附多層反射膜之基板之製造方法，其特徵在於：該附多層反射膜之基板係於光罩基底用基板之形成有轉印圖案之側之主表面上具有交替地積層有高折射率層與低折射率層之多層反射膜，且包括藉由使用高折射率材料與低折射率材料之靶之離子束濺鍍而於上述主表面上成膜上述多層反射膜之步驟，於上述離子束濺鍍中，以特定之空間頻率區域之功率譜密度為特定值之方式，使上述高折射率材料與上述低折射率材料之濺鍍粒子相對於上述主表面之法線以特定之入射角度入射。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种于使用各种波长之光之高感度缺陷检查机中，伪缺陷之检测亦较少，尤其达成对附多层反射膜之基板所要求之平滑性，同时因伪缺陷之检测较少，故可确实地检测到致命缺陷的附多层反射膜之基板及其制造方法等。本发明系关于一种附多层反射膜之基板之制造方法，其特征在于：该附多层反射膜之基板系于光罩基底用基板之形成有转印图案之侧之主表面上具有交替地积层有高折射率层与低折射率层之多层反射膜，且包括借由使用高折射率材料与低折射率材料之靶之离子束溅镀而于上述主表面上成膜上述多层反射膜之步骤，于上述离子束溅镀中，以特定之空间频率区域之功率谱密度为特定值之方式，使上述高折射率材料与上述低折射率材料之溅镀粒子相对于上述主表面之法线以特定之入射角度入射。
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公开(公告)号：TW201812434A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106122347
申请日：2017-07-04
发明人： 吉達 維胡 , JINDAL, VIBHU
摘要： 揭露了極紫外（EUV）遮罩坯料及其製造方法及其生產系統。EUV遮罩坯料包含覆蓋層上的吸收層的多層堆疊，吸收層的多層堆疊包括複數個吸收層對。
简体摘要： 揭露了极紫外（EUV）遮罩坯料及其制造方法及其生产系统。EUV遮罩坯料包含覆盖层上的吸收层的多层堆栈，吸收层的多层堆栈包括复数个吸收层对。
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