公开(公告)号：TW201719844A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW105130420

申请日：2016-09-21

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 謝祥金 ,  XIE, XIANGJIN ,  劉 鳳全 ,  LIU, FENG Q. ,  姚 大平 ,  YAO, DAPING ,  珍森 亞歷山大 ,  JANSEN, ALEXANDER ,  李正周 ,  LEE, JOUNG JOO ,  艾倫 阿道夫米勒 ,  ALLEN, ADOLPH MILLER ,  唐 先敏 ,  TANG, XIANMIN ,  張 鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L23/525

CPC分类号： H01L21/02068 ,  B08B3/00 ,  B08B3/106 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0035 ,  B08B9/00 ,  B08B9/027 ,  C23G1/24 ,  F01D5/005 ,  F05D2230/90 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814

摘要： 本文提供用於處理基板之方法。在一些實施例中，一種處理基板的方法，包括以下步驟：將設置於基板處理腔室的處理容積內的基板加熱到最多攝氏約400度的溫度，其中基板包含暴露的導電材料；以及將基板暴露於處理氣體，以還原導電材料的受污染表面，處理氣體包含約80至約100重量％的醇類蒸氣。在一些實施例中，基板進一步包含第一表面，該第一表面具有形成於第一表面的開口，其中暴露的導電材料係為設置於基板中並與開口對準的導電材料的部分，而使得設置於基板中的導電材料的一部分透過開口而暴露。

简体摘要： 本文提供用于处理基板之方法。在一些实施例中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到最多摄氏约400度的温度，其中基板包含暴露的导电材料；以及将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包含约80至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施例中，基板进一步包含第一表面，该第一表面具有形成于第一表面的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的部分，而使得设置于基板中的导电材料的一部分透过开口而暴露。

公开(公告)号：TW201820486A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106135057

申请日：2017-10-13

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV ,  艾倫 阿道夫米勒 ,  ALLEN, ADOLPH MILLER ,  史托威 爾麥克 ,  STOWELL, MICHAEL ,  華仲強 ,  HUA, ZHONG QIANG ,  強森 卡羅R ,  JOHNSON, CARL R. ,  范尼 雯妮莎 ,  FAUNE, VANESSA ,  劉菁菁 ,  LIU, JINGJING

IPC分类号： H01L21/363 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

摘要： 一種用於產生及傳送用於處理腔室的脈衝高電壓信號之系統，包括：遠端設置的高電壓供應、脈衝器、第一屏蔽纜線及第二屏蔽纜線，該遠端設置的高電壓供應產生高電壓信號，該脈衝器比該高電壓供應相對更靠近該處理腔室設置，該第一屏蔽纜線將該高電壓信號從該遠端設置的高電壓供應傳送至待脈衝的該脈衝器，該第二屏蔽纜線將脈衝高電壓信號從該脈衝器傳送至該處理腔室。一種用於產生及傳送脈衝高電壓信號到處理腔室的方法，包括以下步驟：在處理腔室遠端的一位置處產生高電壓信號，將該高電壓信號傳送到離待脈衝的處理腔室相對更靠近的一位置，對所傳送的高電壓信號作脈衝，及將脈衝高電壓信號傳送到處理腔室。

简体摘要： 一种用于产生及发送用于处理腔室的脉冲高电压信号之系统，包括：远程设置的高电压供应、脉冲器、第一屏蔽缆线及第二屏蔽缆线，该远程设置的高电压供应产生高电压信号，该脉冲器比该高电压供应相对更靠近该处理腔室设置，该第一屏蔽缆线将该高电压信号从该远程设置的高电压供应发送至待脉冲的该脉冲器，该第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从该脉冲器发送至该处理腔室。一种用于产生及发送脉冲高电压信号到处理腔室的方法，包括以下步骤：在处理腔室远程的一位置处产生高电压信号，将该高电压信号发送到离待脉冲的处理腔室相对更靠近的一位置，对所发送的高电压信号作脉冲，及将脉冲高电压信号发送到处理腔室。

公开(公告)号：TW201842218A

公开(公告)日：2018-12-01

申请号：TW107111822

申请日：2018-04-03

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 謝祥金 ,  XIE, XIANGJIN ,  艾倫 阿道夫米勒 ,  ALLEN, ADOLPH MILLER ,  唐 先敏 ,  TANG, XIANMIN ,  吉留剛一 ,  YOSHIDOME, GOICHI

IPC分类号： C23C14/44 ,  C23C14/56 ,  H01L21/67

摘要： 在低壓環境中將原子層沉積（ALD）處理與物理氣相沉積（PVD）處理結合，以產生高品質的阻障膜。使用ALD處理將初始阻障膜沉積在基板上，並接著移動到PVD腔室以處理阻障膜，以增加阻障膜的密度和純度，從而降低阻障膜的電阻率。將雙材料源濺射到基板上以提供摻雜，同時使用氣體來蝕刻基板以釋放氮氣。至少一個材料源被定位為以銳角提供摻雜給基板的表面，同時供應DC功率和在第一RF功率頻率下的RF功率。基板使用在第二RF功率頻率下的RF功率而偏壓。

简体摘要： 在低压环境中将原子层沉积（ALD）处理与物理气相沉积（PVD）处理结合，以产生高品质的阻障膜。使用ALD处理将初始阻障膜沉积在基板上，并接着移动到PVD腔室以处理阻障膜，以增加阻障膜的密度和纯度，从而降低阻障膜的电阻率。将双材料源溅射到基板上以提供掺杂，同时使用气体来蚀刻基板以释放氮气。至少一个材料源被定位为以锐角提供掺杂给基板的表面，同时供应DC功率和在第一RF功率频率下的RF功率。基板使用在第二RF功率频率下的RF功率而偏压。

公开(公告)号：TW201817902A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106128133

申请日：2017-08-18

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 劉菁菁 ,  LIU, JINGJING ,  華仲強 ,  HUA, ZHONG QIANG ,  艾倫 阿道夫米勒 ,  ALLEN, ADOLPH MILLER ,  史托威爾 麥克W ,  STOWELL, MICHAEL W. ,  奈馬尼 史林尼法斯D ,  NEMANI, SRINIVAS D. ,  殷 正操 ,  YING, CHENTSAU ,  席特拉 巴加夫 ,  CITLA, BHARGAV ,  芭芭洋 維亞契史拉維 ,  BABAYAN, VIACHSLAV ,  赫拉畢卡 安德烈 ,  HALABICA, ANDREJ

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  H01J37/34

摘要： 一種沉積非晶碳膜包括至少95%碳。存在於此非晶碳膜中的sp3碳-碳鍵結的百分比超過30%，及此非晶碳膜的氫含量小於5%。一種於工件上沉積非晶碳的方法包括在處理腔室內定位此工件及將磁控管組件定位鄰接於此處理腔室。此磁控管組件投射磁場進入此處理腔室。此方法進一步包括提供碳靶材，使得此磁場延伸通過此碳靶材朝向此工件。此方法進一步包括提供來源氣體至此處理腔室，及提供DC功率的脈衝至在此處理腔室內從此來源氣體形成的電漿。此DC功率的脈衝被供應為40微秒或更小的脈衝，重覆於至少4 kHz的頻率。

简体摘要： 一种沉积非晶碳膜包括至少95%碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳-碳键结的百分比超过30%，及此非晶碳膜的氢含量小于5%。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件及将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供来源气体至此处理腔室，及提供DC功率的脉冲至在此处理腔室内从此来源气体形成的等离子。此DC功率的脉冲被供应为40微秒或更小的脉冲，重复于至少4 kHz的频率。

公开(公告)号：TWI624024B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：TW105130420

申请日：2016-09-21

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 謝祥金 ,  XIE, XIANGJIN ,  劉 鳳全 ,  LIU, FENG Q. ,  姚 大平 ,  YAO, DAPING ,  珍森 亞歷山大 ,  JANSEN, ALEXANDER ,  李正周 ,  LEE, JOUNG JOO ,  艾倫 阿道夫米勒 ,  ALLEN, ADOLPH MILLER ,  唐 先敏 ,  TANG, XIANMIN ,  張 鎂 ,  CHANG, MEI

IPC分类号： H01L23/525