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公开(公告)号:TW201808479A
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:TW106118665
申请日:2017-06-06
Applicant: 荏原製作所股份有限公司 , EBARA CORPORATION
Inventor: 山川純 , YAMAKAWA, JUNITSU
CPC classification number: C25D17/001 , B08B3/022 , B08B3/04 , B08B5/023 , C25D21/08 , H01L21/02068 , H01L21/2885 , H05K3/0085 , H05K3/26 , H05K2203/075
Abstract: 本案提供一種減少對基板表面的抗蝕圖案和/或佈線等造成的影響且對基板進行清洗的清洗裝置、具有該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法。清洗裝置具有:被處理物的入口;上述被處理物的出口;第1搬送路徑,搬送從入口投入的被處理物;第2搬送路徑,向與在第1搬送路徑中搬送被處理物的方向相反的方向搬送被處理物,與第1搬送路徑及上述出口相連;清洗單元,配置在第1搬送路徑上,以非接觸式對被處理物進行清洗;和乾燥單元,配置在第1搬送路徑上,以非接觸式對被處理物進行乾燥。第1搬送路徑和第2搬送路徑沿上下方向排列地配置。第2搬送路徑位於第1搬送路徑的上方,在終點與上述出口相連。第2搬送路徑作為暫時地保管被處理物的儲料器而發揮功能。
Abstract in simplified Chinese: 本案提供一种减少对基板表面的抗蚀图案和/或布线等造成的影响且对基板进行清洗的清洗设备、具有该清洗设备之镀覆设备、以及清洗方法。清洗设备具有:被处理物的入口;上述被处理物的出口;第1搬送路径,搬送从入口投入的被处理物;第2搬送路径,向与在第1搬送路径中搬送被处理物的方向相反的方向搬送被处理物,与第1搬送路径及上述出口相连;清洗单元,配置在第1搬送路径上,以非接触式对被处理物进行清洗;和干燥单元,配置在第1搬送路径上,以非接触式对被处理物进行干燥。第1搬送路径和第2搬送路径沿上下方向排列地配置。第2搬送路径位于第1搬送路径的上方,在终点与上述出口相连。第2搬送路径作为暂时地保管被处理物的储料器而发挥功能。
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公开(公告)号:TWI618144B
公开(公告)日:2018-03-11
申请号:TW103107465
申请日:2014-03-05
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor: 王希昆 , WANG, XIKUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32136 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/02068 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/32135 , H01L21/4814
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公开(公告)号:TW201807188A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:TW106113793
申请日:2017-04-25
Applicant: 信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
Inventor: 上野方也 , UENO, MASAYA , 柳澤秀好 , YANAGISAWA, HIDEYOSHI
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/3209 , C11D7/5022 , C11D7/5027 , H01L21/02057 , H01L21/02068 , H01L21/304 , H01L21/31133 , H01L21/6835 , H01L21/6836
Abstract: 本發明之解決手段為提供一種用於洗淨基板的表面之洗淨劑組成物,其特徵為含有(A)有機溶媒(惟,排除碳數3~6的醇)90.0~99.9質量%、以及(B)碳數3~6的醇0.1~10.0質量%,且在洗淨劑組成物中,相對於(A)、(B)成分的總量100質量份而言含有濃度20~300ppm(0.002~0.03質量份)的(C)鈉及/或鉀。 本發明之效果為在施行矽半導體基板等基板的洗淨時,可在短時間獲得良好的洗淨性,同時無接著劑所引發之污染,可在不會腐蝕基板之情形下以高效率洗淨基板。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之解决手段为提供一种用于洗净基板的表面之洗净剂组成物,其特征为含有(A)有机溶媒(惟,排除碳数3~6的醇)90.0~99.9质量%、以及(B)碳数3~6的醇0.1~10.0质量%,且在洗净剂组成物中,相对于(A)、(B)成分的总量100质量份而言含有浓度20~300ppm(0.002~0.03质量份)的(C)钠及/或钾。 本发明之效果为在施行硅半导体基板等基板的洗净时,可在短时间获得良好的洗净性,同时无接着剂所引发之污染,可在不会腐蚀基板之情形下以高效率洗净基板。
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公开(公告)号:TWI613328B
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW103115796
申请日:2014-05-02
Applicant: 富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
Inventor: 杉島泰雄 , SUGISHIMA, YASUO , 高橋智美 , TAKAHASHI, SATOMI , 小山朗子 , KOYAMA, AKIKO , 上村哲也 , KAMIMURA, TETSUYA
IPC: C23F1/02 , C23F1/44 , C23F1/38 , C23F1/40 , C09K13/00 , C23F1/32 , H01L21/321 , H01L21/283
CPC classification number: C23F1/32 , C23F1/38 , C23F1/40 , C23F1/44 , H01L21/02068 , H01L21/28518 , H01L21/30604 , H01L21/32134 , H01L29/665 , H01L29/7833
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公开(公告)号:TWI603976B
公开(公告)日:2017-11-01
申请号:TW105110601
申请日:2016-04-01
Applicant: 慧盛材料美國責任有限公司 , VERSUM MATERIALS US, LLC
Inventor: 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 加斯特爾 威廉 傑克 JR , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 孟提 雷蒙 尼克勞斯 , VRTIS, RAYMOND NICHOLAS , 特奧多羅 凱薩琳 以斯特 , THEODOROU, KATHLEEN ESTHER , 陳 天牛 , CHEN, TIANNIU , 布朗 馬克 理查 , BROWN, MARK RICHARD
CPC classification number: C09D4/00 , B08B3/10 , B81C1/00849 , C11D3/162 , C11D3/36 , C11D11/0047 , H01L21/02041 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/02129 , H01L21/02282 , H01L21/3105
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公开(公告)号:TWI596703B
公开(公告)日:2017-08-21
申请号:TW104140275
申请日:2015-12-02
Inventor: 鄭台新 , CHENG, TAI SHIN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 陳威廷 , CHEN, WEI TING , 蕭偉印 , SHIAO, WEI YIN
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02178 , H01L21/0276 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76813 , H01L21/76814
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公开(公告)号:TWI594316B
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:TW102129928
申请日:2013-08-22
Applicant: 栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
Inventor: 小川祐一 , OGAWA, YUICHI , 山川晴義 , YAMAKAWA, HARUYOSHI
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02068 , B08B3/10 , B08B3/102 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C11D11/0064 , C25B1/285 , C25B15/08 , C25F1/00 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L21/67017
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公开(公告)号:TWI589691B
公开(公告)日:2017-07-01
申请号:TW102114989
申请日:2013-04-26
Applicant: 和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
Inventor: 川田博美 , KAWADA, HIROMI , 水田浩德 , MIZUTA, HIRONORI , 前澤典明 , MAESAWA, TSUNEAKI
IPC: C11D7/32 , C11D7/36 , H01L21/302
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D7/3218 , C11D7/36 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/7684
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公开(公告)号:TW201719844A
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:TW105130420
申请日:2016-09-21
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor: 謝祥金 , XIE, XIANGJIN , 劉 鳳全 , LIU, FENG Q. , 姚 大平 , YAO, DAPING , 珍森 亞歷山大 , JANSEN, ALEXANDER , 李正周 , LEE, JOUNG JOO , 艾倫 阿道夫米勒 , ALLEN, ADOLPH MILLER , 唐 先敏 , TANG, XIANMIN , 張 鎂 , CHANG, MEI
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L21/02068 , B08B3/00 , B08B3/106 , B08B5/00 , B08B7/0035 , B08B9/00 , B08B9/027 , C23G1/24 , F01D5/005 , F05D2230/90 , H01L21/02063 , H01L21/76814
Abstract: 本文提供用於處理基板之方法。在一些實施例中,一種處理基板的方法,包括以下步驟:將設置於基板處理腔室的處理容積內的基板加熱到最多攝氏約400度的溫度,其中基板包含暴露的導電材料;以及將基板暴露於處理氣體,以還原導電材料的受污染表面,處理氣體包含約80至約100重量%的醇類蒸氣。在一些實施例中,基板進一步包含第一表面,該第一表面具有形成於第一表面的開口,其中暴露的導電材料係為設置於基板中並與開口對準的導電材料的部分,而使得設置於基板中的導電材料的一部分透過開口而暴露。
Abstract in simplified Chinese: 本文提供用于处理基板之方法。在一些实施例中,一种处理基板的方法,包括以下步骤:将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到最多摄氏约400度的温度,其中基板包含暴露的导电材料;以及将基板暴露于处理气体,以还原导电材料的受污染表面,处理气体包含约80至约100重量%的醇类蒸气。在一些实施例中,基板进一步包含第一表面,该第一表面具有形成于第一表面的开口,其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的部分,而使得设置于基板中的导电材料的一部分透过开口而暴露。
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公开(公告)号:TWI561615B
公开(公告)日:2016-12-11
申请号:TW104118427
申请日:2013-07-22
Applicant: LTC股份有限公司 , LTC CO., LTD.
Inventor: 崔好星 , CHOI, HO SUNG , 柳匡鉉 , RYU, KWANG HYUN , 裵鍾一 , BAE, JONG IL , 李鍾淳 , LEE, JONG SOON , 梁惠星 , YANG, HYE SUNG , 河相求 , HA, SANG KU
CPC classification number: C11D11/0029 , C11D3/2003 , C11D3/2041 , C11D3/2068 , C11D7/3209 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , C23C22/02 , C23C22/63 , C23F11/165 , C23G1/20 , H01L21/02068
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