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    光繼電器
    1.
    发明专利
    光繼電器 审中-公开
    光继电器

    公开(公告)号：TW201724750A

    公开(公告)日：2017-07-01

    申请号：TW104142310

    申请日：2015-12-16

    申请人： 拓緯實業有限公司 ,  BRIGHT TOWARD INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： 涂高維 ,  TU, KAO WAY ,  張淵舜 ,  CHANG, YUAN SHUN ,  徐志旭 ,  HSU, TZU HSU

    IPC分类号： H03K17/78

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L25/043 ,  H01L25/167 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7816 ,  H01L31/14 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H03K17/785 ,  H01L2924/00014

    摘要： 一種光繼電器，包含一發光元件、一光電轉換晶片與一第一金氧半電晶體晶片與一第二金氧半電晶體晶片。其中，發光元件係接收一輸入信號以產生一光信號，光電轉換晶片係依據所接收之.光信號輸出一電壓控制信號。第二金氧半電晶體晶片係倒置於第一金氧半電晶體晶片上，二個電晶體晶片之源極係電性連接，二個電晶體晶片之閘極係透過一閘極電連接結構相連並接收電壓控制信號，而二個電晶體晶片之汲極則是依據所接收之電壓控制信號輸出一輸出信號。

    简体摘要： 一种光继电器，包含一发光组件、一光电转换芯片与一第一金氧半晶体管芯片与一第二金氧半晶体管芯片。其中，发光组件系接收一输入信号以产生一光信号，光电转换芯片系依据所接收之.光信号输出一电压控制信号。第二金氧半晶体管芯片系倒置于第一金氧半晶体管芯片上，二个晶体管芯片之源极系电性连接，二个晶体管芯片之闸极系透过一闸极电连接结构相连并接收电压控制信号，而二个晶体管芯片之汲极则是依据所接收之电压控制信号输出一输出信号。

    功率金氧半導體元件
    3.
    发明专利
    功率金氧半導體元件 审中-公开
    功率金属氧化物半导体组件

    公开(公告)号：TW201733111A

    公开(公告)日：2017-09-16

    申请号：TW105107184

    申请日：2016-03-09

    申请人： 拓緯實業有限公司 ,  BRIGHT TOWARD INDUSTRIAL CO., LTD.

    发明人： 涂高維 ,  TU, KAO WAY ,  張淵舜 ,  CHANG, YUAN SHUN ,  徐志旭 ,  HSU, TZU HSU

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/38 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

    摘要： 一種功率金氧半導體元件，形成於一半導體基板，並包含一主動區域與一崩潰優先觸發區域。其中，主動區域係包含複數主動區域P型摻雜區與複數個主動區域N型摻雜區，交替排列於一源極與一汲極間，並包含複數個閘極結構，用以控制主動區域之導通狀態。崩潰優先觸發區域係包含至少一個崩潰優先觸發區域P型摻雜區與至少一個崩潰優先觸發區域N型摻雜區，交替排列於前述源極與前述汲極之間，並且，崩潰優先觸發區域之源汲極崩潰電壓小於主動區域之源汲極崩潰電壓。

    简体摘要： 一种功率金属氧化物半导体组件，形成于一半导体基板，并包含一主动区域与一崩溃优先触发区域。其中，主动区域系包含复数主动区域P型掺杂区与复数个主动区域N型掺杂区，交替排列于一源极与一汲极间，并包含复数个闸极结构，用以控制主动区域之导通状态。崩溃优先触发区域系包含至少一个崩溃优先触发区域P型掺杂区与至少一个崩溃优先触发区域N型掺杂区，交替排列于前述源极与前述汲极之间，并且，崩溃优先触发区域之源汲极崩溃电压小于主动区域之源汲极崩溃电压。