公开(公告)号：TW201801189A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106104930

申请日：2017-02-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L21/385 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/44 ,  H01L21/443 ,  H01L21/4757 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明的目的之一是提高具有氧化物半導體膜的電晶體的場效移動率及其可靠性。本發明的一個實施方式是一種包括氧化物半導體膜的半導體裝置，該半導體裝置包括：第一絕緣膜；第一絕緣膜上的氧化物半導體膜；氧化物半導體膜上的第二絕緣膜及第三絕緣膜；以及第二絕緣膜上的閘極電極。第二絕緣膜包括氧氮化矽膜，當藉由氧電漿處理使第二絕緣膜包含過量氧時，可以對氧化物半導體膜高效地供應氧。

简体摘要： 本发明的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效移动率及其可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体设备，该半导体设备包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的闸极电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜，当借由氧等离子处理使第二绝缘膜包含过量氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。

公开(公告)号：TW201812909A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106130877

申请日：2017-09-08

申请人： 日商半導體能源硏究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山根靖正 ,  YAMANE, YASUMASA ,  徳丸亮 ,  TOKUMARU, RYO ,  澤井寛美 ,  SAWAI, HIROMI

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/443 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明的一個實施方式提供一種具有穩定性的半導體裝置。此外，提供一種適合於微型化及高密度化且可靠性高的半導體裝置。本發明的一個實施方式包括：包括氧化物的電晶體；所述電晶體上的第一障壁層；以及以與所述第一障壁層接觸的方式設置的第二障壁層，其中所述氧化物與包括過量氧區域的絕緣體接觸，所述絕緣體與所述第一障壁層接觸，所述第一障壁層的厚度為0.5nm以上且1.5nm以下，並且所述第二障壁層的厚度比所述第一障壁層的厚度厚。

简体摘要： 本发明的一个实施方式提供一种具有稳定性的半导体设备。此外，提供一种适合于微型化及高密度化且可靠性高的半导体设备。本发明的一个实施方式包括：包括氧化物的晶体管；所述晶体管上的第一障壁层；以及以与所述第一障壁层接触的方式设置的第二障壁层，其中所述氧化物与包括过量氧区域的绝缘体接触，所述绝缘体与所述第一障壁层接触，所述第一障壁层的厚度为0.5nm以上且1.5nm以下，并且所述第二障壁层的厚度比所述第一障壁层的厚度厚。

公开(公告)号：TW240342B

公开(公告)日：1995-02-11

申请号：TW082108721

申请日：1993-10-20

申请人： 新力股份有限公司

发明人： 小澤正文 ,  伊藤哲 ,  成井二三代

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L21/443 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/145 ,  H01L33/28 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/327

摘要： 本發明之目的是實現一種歐姆電極，對Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體具有良好之密性而且接觸電阻係數很低。
本發明之構造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe層２上形成歐姆電極，該歐姆電極由以Pd膜３作為最下層之金屬多層膜來構成。在歐姆電極形成後，依照需要以100～300℃之溫度進行退火。依照這種方式所形成之歐姆電極作為使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體之半導體雷射或發光二極體之ｐ側之歐姆電極。

简体摘要： 本发明之目的是实现一种欧姆电极，对Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体具有良好之密性而且接触电阻系数很低。 本发明之构造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe层２上形成欧姆电极，该欧姆电极由以Pd膜３作为最下层之金属多层膜来构成。在欧姆电极形成后，依照需要以100～300℃之温度进行退火。依照这种方式所形成之欧姆电极作为使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体之半导体激光或发光二极管之ｐ侧之欧姆电极。

公开(公告)号：TWI595558B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：TW105103647

申请日：2016-02-04

申请人： 日新電機股份有限公司 ,  NISSIN ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 高橋英治 ,  TAKAHASHI, EIJI

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/443 ,  C23C16/02 ,  C23C16/345 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201229281A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100146579

申请日：2011-12-15

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司

发明人： 山崎舜平

IPC分类号： C23C

CPC分类号： H01L29/4908 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/443 ,  H01L29/4966

摘要： 本發明提供一種製造氧氮化物膜的形成技術。此外，利用該氧氮化物膜製造可靠性高的半導體元件。藉由使用如下濺射靶材形成氧氮化物膜，可以獲得包含所需要濃度的氮的氧氮化物膜。該濺射靶材由包含銦、鎵、鋅的氧氮化物構成，並且藉由如下製程而製造出：利用氮化銦、氮化鎵、氮化鋅中的至少一種作為原料之一，將其與氧化銦、氧化鎵、氧化鋅中的至少一種混合在一起，並在氮氣圍中進行燒結。所得到的氧氮化物膜可以用於電晶體的閘極、源極電極、汲極電極等。

简体摘要： 本发明提供一种制造氧氮化物膜的形成技术。此外，利用该氧氮化物膜制造可靠性高的半导体组件。借由使用如下溅射靶材形成氧氮化物膜，可以获得包含所需要浓度的氮的氧氮化物膜。该溅射靶材由包含铟、镓、锌的氧氮化物构成，并且借由如下制程而制造出：利用氮化铟、氮化镓、氮化锌中的至少一种作为原料之一，将其与氧化铟、氧化镓、氧化锌中的至少一种混合在一起，并在氮气围中进行烧结。所得到的氧氮化物膜可以用于晶体管的闸极、源极电极、汲极电极等。

公开(公告)号：TW201703144A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105103647

申请日：2016-02-04

申请人： 日新電機股份有限公司 ,  NISSIN ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 高橋英治 ,  TAKAHASHI, EIJI

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/443 ,  C23C16/02 ,  C23C16/345 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/477 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

摘要： 本發明提供一種即便於氧化物半導體膜上直接形成氟化矽氮化膜亦可抑制該氧化物半導體膜的電阻降低的膜形成方法。該膜形成方法包括：表面處理步驟40，準備於基板上具有氧化物半導體膜的物品，使用氧與氫的混合氣體且氫的比例為8%以下（不包括0）的混合氣體來生成電漿，並藉由該電漿對氧化物半導體膜的表面進行處理；成膜步驟42，其後藉由使用含有四氟化矽氣體及氮氣的原料氣體而生成電漿的電漿CVD法，於所述氧化物半導體膜上形成氟化矽氮化膜（SiN：F膜）；以及退火步驟44，其後對所述基板及該基板上的膜進行加熱。

简体摘要： 本发明提供一种即便于氧化物半导体膜上直接形成氟化硅氮化膜亦可抑制该氧化物半导体膜的电阻降低的膜形成方法。该膜形成方法包括：表面处理步骤40，准备于基板上具有氧化物半导体膜的物品，使用氧与氢的混合气体且氢的比例为8%以下（不包括0）的混合气体来生成等离子，并借由该等离子对氧化物半导体膜的表面进行处理；成膜步骤42，其后借由使用含有四氟化硅气体及氮气的原料气体而生成等离子的等离子CVD法，于所述氧化物半导体膜上形成氟化硅氮化膜（SiN：F膜）；以及退火步骤44，其后对所述基板及该基板上的膜进行加热。

公开(公告)号：TWM477048U

公开(公告)日：2014-04-21

申请号：TW102222615

申请日：2013-12-02

申请人： 中華映管股份有限公司 ,  CHUNGHWA PICTURE TUBES, LTD.

发明人： 戴謙邦 ,  TAI, CHIENPANG ,  黃雋堯 ,  HUANG, JUNYAO ,  彭郁芩 ,  PENG, YUCHIN ,  黃科銓 ,  HUANG, KECHUAN

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L21/022 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/443 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201236163A

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW101102837

申请日：2012-01-30

申请人： 西北大學 ,  波利亞有限公司

发明人： 菲奇提 安東尼歐 ,  馬克斯 托賓J ,  肯那特吉迪斯 麥可利G ,  金明吉 ,  席茲 威廉C ,  顏河 ,  夏禹

IPC分类号： H01L ,  C23C

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1237 ,  C23C18/125 ,  C23C18/127 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/441 ,  H01L21/443 ,  H01L21/477 ,  H01L29/45 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 本發明所揭露的是用於經由液相方法於低溫(＜400℃)製造金屬氧化物薄膜以及衍生自奈米材料的金屬複合物薄膜之方法。本薄膜係使用為薄膜半導體、薄膜介電質或是薄膜導體，且可實施於半導體裝置，如：薄膜電晶體以及薄膜光伏打裝置。

简体摘要： 本发明所揭露的是用于经由液相方法于低温(＜400℃)制造金属氧化物薄膜以及衍生自奈米材料的金属复合物薄膜之方法。本薄膜系使用为薄膜半导体、薄膜介电质或是薄膜导体，且可实施于半导体设备，如：薄膜晶体管以及薄膜光伏打设备。

公开(公告)号：TW324864B

公开(公告)日：1998-01-11

申请号：TW086101215

申请日：1997-02-01

申请人： 飛利浦電子股份有限公司

发明人： 詹姆士瑪他蓋斯

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/0087 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/443

摘要： 一種在II-VI半導體裝置譬如雷射二極體中，可重複地製造具有相對較低疊積缺陷密度之GaAs/ZnSe及其他III-V/II-VI半導體界面之方法。此方法包括提供一種分子束外延(MBE)系統(50,150)，其至少包含第III族元素源極(68,170)、第II族元素源極(72,92')、第V族元素源極(70,172)及第VI族元素源極(74,98')。具有欲在其上製造界面之III-V半導體表面之半導體基材12，係被放置在MBE系統(50,150)中。然後，使基材12加熱至適合III-V半導體生長之溫度，並使結晶性III-V半導體緩衝層14在基材之III-V表面上生長。接著調整半導體基材之溫度，至適合II-VI半導體生長之溫度，並藉由交替分子束外延，使結晶性II-VI半導體緩衝層16在III-V緩衝層上生長。操作第II族與第VI族源極，以在使III-V緩衝層曝露至第VI族元素流束之前，使III-V緩衝層曝露至第II族元素流束下。

简体摘要： 一种在II-VI半导体设备譬如激光二极管中，可重复地制造具有相对较低叠积缺陷密度之GaAs/ZnSe及其他III-V/II-VI半导体界面之方法。此方法包括提供一种分子束外延(MBE)系统(50,150)，其至少包含第III族元素源极(68,170)、第II族元素源极(72,92')、第V族元素源极(70,172)及第VI族元素源极(74,98')。具有欲在其上制造界面之III-V半导体表面之半导体基材12，系被放置在MBE系统(50,150)中。然后，使基材12加热至适合III-V半导体生长之温度，并使结晶性III-V半导体缓冲层14在基材之III-V表面上生长。接着调整半导体基材之温度，至适合II-VI半导体生长之温度，并借由交替分子束外延，使结晶性II-VI半导体缓冲层16在III-V缓冲层上生长。操作第II族与第VI族源极，以在使III-V缓冲层曝露至第VI族元素流束之前，使III-V缓冲层曝露至第II族元素流束下。

公开(公告)号：TW201725724A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105142651

申请日：2016-12-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. ,  國立台灣大學 ,  NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY

发明人： 林時彥 ,  LIN, SHIH YEN ,  吳崇榮 ,  WU, CHONG RONG ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC分类号： H01L29/45

CPC分类号： H01L21/443 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： 提供半導體裝置結構，半導體裝置結構包含基底。半導體裝置結構包含半導體層位於基底上方，半導體層包含過渡金屬硫屬化物。半導體裝置結構包含源極電極和汲極電極位於半導體層上方並連接半導體層，且透過間隙彼此間隔開，源極電極和汲極電極由石墨烯製成。

简体摘要： 提供半导体设备结构，半导体设备结构包含基底。半导体设备结构包含半导体层位于基底上方，半导体层包含过渡金属硫属化物。半导体设备结构包含源极电极和汲极电极位于半导体层上方并连接半导体层，且透过间隙彼此间隔开，源极电极和汲极电极由石墨烯制成。