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公开(公告)号：TWI690629B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW105100036
申请日：2016-01-04
发明人： 井手慎吾 , IDE, SHINGO , 阿武裕一 , ANNO, YUICHI , 井筒靖久 , IZUTSU, YASUHISA , 大村淳 , OMURA, JUN , 石井林太郎 , ISHII, RINTARO , 加畑実 , KAHATA, MINORU
IPC分类号： C30B29/22 , C30B28/00 , H01M2/26 , H01M8/10 , H01M10/0562
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公开(公告)号：TW201634765A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105100036
申请日：2016-01-04
发明人： 井手慎吾 , IDE, SHINGO , 阿武裕一 , ANNO, YUICHI , 井筒靖久 , IZUTSU, YASUHISA , 大村淳 , OMURA, JUN , 石井林太郎 , ISHII, RINTARO , 加畑実 , KAHATA, MINORU
IPC分类号： C30B29/22 , C30B28/00 , H01M2/26 , H01M8/10 , H01M10/0562
CPC分类号： H01M4/9033 , C01B33/20 , C01B35/128 , C01P2002/30 , C01P2002/50 , C01P2004/01 , C01P2006/40 , C04B35/50 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01M4/8875 , H01M8/02 , H01M8/12 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要： 為了提供一種可抑制龜裂的產生以達成大面積化，且較佳為可用不複雜的製程來便宜地進行製造之嶄新的配向性磷灰石型氧化物離子傳導體，提出一種配向性磷灰石型氧化物離子傳導體，其係由複合氧化物所構成，該複合氧化物的特徵為：以A9.33+x[T6-yMy]O26.00+z(式中的A為選自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr及Ba所組成之群組之一種或兩種以上的元素；式中的T為Si或Ge或包含此兩者之元素；式中的M為選自由B、Ge、Zn、Sn、W及Mo所組成之群組之一種或兩種以上的元素)所示，式中的x為-1至1，式中的y為1至3，式中的z為-2至2，A的莫耳數相對於M的莫耳數之比率(A/M)為3至10。
简体摘要： 为了提供一种可抑制龟裂的产生以达成大面积化，且较佳为可用不复杂的制程来便宜地进行制造之崭新的配向性磷灰石型氧化物离子传导体，提出一种配向性磷灰石型氧化物离子传导体，其系由复合氧化物所构成，该复合氧化物的特征为：以A9.33+x[T6-yMy]O26.00+z(式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr及Ba所组成之群组之一种或两种以上的元素；式中的T为Si或Ge或包含此两者之元素；式中的M为选自由B、Ge、Zn、Sn、W及Mo所组成之群组之一种或两种以上的元素)所示，式中的x为-1至1，式中的y为1至3，式中的z为-2至2，A的莫耳数相对于M的莫耳数之比率(A/M)为3至10。
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公开(公告)号：TWI579393B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW101115746
申请日：2012-05-03
发明人： 德地成紀 , TOKUCHI, SHIGEKI , 石井林太郎 , ISHII, RINTARO , 附田龍馬 , TSUKUDA, RYOMA , 久保田高史 , KUBOTA, TAKASHI , 高橋廣己 , TAKAHASHI, HIROKI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/453 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI531009B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW101112966
申请日：2012-04-12
发明人： 德地成紀 , TOKUCHI, SHIGEKI , 石井林太郎 , ISHII, RINTARO , 附田龍馬 , TSUKUDA, RYOMA , 久保田高史 , KUBOTA, TAKASHI , 高橋廣己 , TAKAHASHI, HIROKI
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/34 , C04B35/453 , H01L29/786
CPC分类号： C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201303049A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101115746
申请日：2012-05-03
发明人： 德地成紀 , TOKUCHI, SHIGEKI , 石井林太郎 , ISHII, RINTARO , 附田龍馬 , TSUKUDA, RYOMA , 久保田高史 , KUBOTA, TAKASHI , 高橋廣己 , TAKAHASHI, HIROKI
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/453 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： 本發明之目的係提供一種由Zn氧化物與Sn氧化物所構成的氧化物型半導體材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作為IGZO的代替材料，該氧化物型半導體材料係為與IGZO同等以上之10cm2/Vs左右之高載子遷移率，並且不須要高溫熱處理。本發明係為含有Zn氧化物與Sn氧化物之氧化物型半導體材料，其特徵係含有Zr以作為摻雜物，Zr含有量係為，相對於作為金屬元素之Zn、Sn、Zr之各原子數總和之摻雜物的原子比為0.005以下。
简体摘要： 本发明之目的系提供一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料系为与IGZO同等以上之10cm2/Vs左右之高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明系为含有Zn氧化物与Sn氧化物之氧化物型半导体材料，其特征系含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量系为，相对于作为金属元素之Zn、Sn、Zr之各原子数总和之掺杂物的原子比为0.005以下。
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