半導體裝置及其製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201812940A

    公开(公告)日:2018-04-01

    申请号:TW106128167

    申请日:2017-08-18

    CPC classification number: H01L29/78693 H01L29/24 H01L29/247 H01L29/66969

    Abstract: 本發明提供一種包括汲極和閘極之間的洩漏小的電晶體的半導體裝置。藉由使第一導電體的角部具有帶弧形的形狀,可以防止以覆蓋第一導電體的角部的方式設置的絕緣膜與以隔著該絕緣膜與第一導電體的角部重疊的方式設置的第二導電體之間的絕緣膜的厚度不均勻。另外,可以緩和第一導電體的角部所造成的電場集中。由此,可以降低第一導電體和第二導電體之間的洩漏。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种包括汲极和闸极之间的泄漏小的晶体管的半导体设备。借由使第一导电体的角部具有带弧形的形状,可以防止以覆盖第一导电体的角部的方式设置的绝缘膜与以隔着该绝缘膜与第一导电体的角部重叠的方式设置的第二导电体之间的绝缘膜的厚度不均匀。另外,可以缓和第一导电体的角部所造成的电场集中。由此,可以降低第一导电体和第二导电体之间的泄漏。

    感測放大器、半導體裝置、其操作方法及電子裝置
    3.
    发明专利
    感測放大器、半導體裝置、其操作方法及電子裝置 审中-公开
    传感放大器、半导体设备、其操作方法及电子设备

    公开(公告)号:TW201921353A

    公开(公告)日:2019-06-01

    申请号:TW107129169

    申请日:2018-08-21

    Abstract: 提供一種不容易受到電晶體的特性不均勻的影響的感測放大器、半導體裝置及其工作方法。感測放大器所包括的放大器電路包括第一電路及第二電路。第一電路及第二電路分別包括反相器、第一電晶體、第二電晶體及電容器。電容器的第一端子與第一位元線連接,第二端子與反相器的輸入端子連接。第一電晶體被用作使反相器的輸入端子與輸出端子成為導通或非導通的開關,第二電晶體被用作使反相器的輸出端子與第二位元線成為導通或非導通的開關。在第一電路和第二電路中,第一位元線與第二位元線反向連接。第一電路及第二電路透過反相器的輸入端子與輸出端子之間變為導通狀態時得到的電位被初始化。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种不容易受到晶体管的特性不均匀的影响的传感放大器、半导体设备及其工作方法。传感放大器所包括的放大器电路包括第一电路及第二电路。第一电路及第二电路分别包括反相器、第一晶体管、第二晶体管及电容器。电容器的第一端子与第一比特线连接,第二端子与反相器的输入端子连接。第一晶体管被用作使反相器的输入端子与输出端子成为导通或非导通的开关,第二晶体管被用作使反相器的输出端子与第二比特线成为导通或非导通的开关。在第一电路和第二电路中,第一比特线与第二比特线反向连接。第一电路及第二电路透过反相器的输入端子与输出端子之间变为导通状态时得到的电位被初始化。

    半導體裝置、顯示裝置、及電子裝置
    8.
    发明专利
    半導體裝置、顯示裝置、及電子裝置 审中-公开
    半导体设备、显示设备、及电子设备

    公开(公告)号:TW201947775A

    公开(公告)日:2019-12-16

    申请号:TW108117098

    申请日:2006-11-24

    Abstract: 一種顯示裝置,包含負載、用以控制供應至負載之電流值的電晶體、電容器、第一導線、第二導線、及第一至第四開關。由電晶體之臨限電壓的變化所造成的電流值之變化可透過以下步驟來抑制:(1)在儲存電容器中保持電晶體的臨限電壓,(2)根據視頻信號來輸入電位,以及(3)在儲存電容器中保持係臨限電壓與根據視頻信號之電位的和之電壓。因此,可供應所欲之電流至諸如發光元件的負載。

    Abstract in simplified Chinese: 一种显示设备,包含负载、用以控制供应至负载之电流值的晶体管、电容器、第一导线、第二导线、及第一至第四开关。由晶体管之临限电压的变化所造成的电流值之变化可透过以下步骤来抑制:(1)在存储电容器中保持晶体管的临限电压,(2)根据视频信号来输入电位,以及(3)在存储电容器中保持系临限电压与根据视频信号之电位的和之电压。因此,可供应所欲之电流至诸如发光组件的负载。

    半導體裝置和其製造方法
    10.
    发明专利
    半導體裝置和其製造方法 审中-公开
    半导体设备和其制造方法

    公开(公告)号:TW201921644A

    公开(公告)日:2019-06-01

    申请号:TW107146212

    申请日:2010-08-02

    Abstract: 一種半導體裝置及其製造方法。半導體裝置包括具有第一薄膜電晶體的像素部分和具有第二薄膜電晶體的驅動器電路。第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶體中的每個都包括閘極電極層、閘極絕緣層、半導體層、源極電極層,及汲極電極層。第一薄膜電晶體的每個層都具有光透射性質。第一薄膜電晶體的閘極電極層、源極電極層及汲極電極層的材料不同於第二電晶體的那些,並且第二薄膜電晶體的電阻每個都小於第一薄膜電晶體的電阻。

    Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备及其制造方法。半导体设备包括具有第一薄膜晶体管的像素部分和具有第二薄膜晶体管的驱动器电路。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的每个都包括闸极电极层、闸极绝缘层、半导体层、源极电极层,及汲极电极层。第一薄膜晶体管的每个层都具有光透射性质。第一薄膜晶体管的闸极电极层、源极电极层及汲极电极层的材料不同于第二晶体管的那些,并且第二薄膜晶体管的电阻每个都小于第一薄膜晶体管的电阻。

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