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    基板處理方法及基板處理裝置
    1.
    发明专利
    基板處理方法及基板處理裝置 审中-公开
    基板处理方法及基板处理设备

    公开(公告)号：TW202015198A

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：TW108122100

    申请日：2019-06-25

    Applicant: 日商斯庫林集團股份有限公司 ,  SCREEN HOLDINGS CO., LTD.

    Inventor： 阿部博史 ,  ABE, HIROSHI ,  奧谷学 ,  OKUTANI, MANABU ,  尾辻正幸 ,  OTSUJI, MASAYUKI ,  吉田幸史 ,  YOSHIDA, YUKIFUMI

    IPC: H01L23/42 ,  H01L21/67

    Abstract: 將包含待吸附至形成於基板之圖案之表面之吸附物質的乾燥前處理液供給至保持水平之基板之表面，而使吸附物質吸附於圖案之表面。將保持水平之基板之表面上之一部分乾燥前處理液藉由基板繞鉛直之旋轉軸線旋轉而去除，藉此，沿著圖案之表面形成包含吸附於圖案之表面之吸附物質之吸附膜。藉由使吸附膜變化為氣體而自基板之表面去除吸附膜。

    Abstract in simplified Chinese: 将包含待吸附至形成于基板之图案之表面之吸附物质的干燥前处理液供给至保持水平之基板之表面，而使吸附物质吸附于图案之表面。将保持水平之基板之表面上之一部分干燥前处理液借由基板绕铅直之旋转轴线旋转而去除，借此，沿着图案之表面形成包含吸附于图案之表面之吸附物质之吸附膜。借由使吸附膜变化为气体而自基板之表面去除吸附膜。

    基板處理方法及基板處理裝置
    5.
    发明专利
    基板處理方法及基板處理裝置 审中-公开
    基板处理方法及基板处理设备

    公开(公告)号：TW201841694A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW106146206

    申请日：2017-12-28

    Applicant: 日商斯庫林集團股份有限公司 ,  SCREEN HOLDINGS CO., LTD.

    Inventor： 阿部博史 ,  ABE, HIROSHI ,  奧谷学 ,  OKUTANI, MANABU ,  吉原直彦 ,  YOSHIHARA, NAOHIKO

    IPC: B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/00 ,  H01L21/67

    Abstract: 本發明之基板處理方法包含：基板保持製程，其使水平地保持基板之基板保持單元保持前述基板；密閉製程，其在將保持有前述基板之基板保持單元收容於腔室之內部空間之狀態下，密閉前述內部空間；液膜形成製程，其藉由將處理前述基板之上表面之處理液供給至前述被水平地保持之基板之上表面，而在前述基板上形成前述處理液之液膜；加壓製程，其藉由朝前述內部空間供給氣體而將前述內部空間加壓至前述內部空間之壓力成為高於大氣壓之第1壓力；加熱製程，其以在前述內部空間之壓力成為前述第1壓力之狀態下在前述液膜與前述基板之間形成前述處理液之蒸汽層之方式，加熱前述基板；及液膜排除製程，其藉由一邊維持在前述液膜與前述基板之間形成有前述處理液之蒸汽層之狀態，一邊將前述內部空間減壓至前述內部空間之壓力成為小於前述第1壓力之第2壓力，使前述處理液蒸發而自前述基板上排除前述液膜。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之基板处理方法包含：基板保持制程，其使水平地保持基板之基板保持单元保持前述基板；密闭制程，其在将保持有前述基板之基板保持单元收容于腔室之内部空间之状态下，密闭前述内部空间；液膜形成制程，其借由将处理前述基板之上表面之处理液供给至前述被水平地保持之基板之上表面，而在前述基板上形成前述处理液之液膜；加压制程，其借由朝前述内部空间供给气体而将前述内部空间加压至前述内部空间之压力成为高于大气压之第1压力；加热制程，其以在前述内部空间之压力成为前述第1压力之状态下在前述液膜与前述基板之间形成前述处理液之蒸汽层之方式，加热前述基板；及液膜排除制程，其借由一边维持在前述液膜与前述基板之间形成有前述处理液之蒸汽层之状态，一边将前述内部空间减压至前述内部空间之压力成为小于前述第1压力之第2压力，使前述处理液蒸发而自前述基板上排除前述液膜。

    基板處理方法以及基板處理裝置
    9.
    发明专利
    基板處理方法以及基板處理裝置 审中-公开
    基板处理方法以及基板处理设备

    公开(公告)号：TW201921549A

    公开(公告)日：2019-06-01

    申请号：TW107128988

    申请日：2018-08-20

    Applicant: 日商斯庫林集團股份有限公司 ,  SCREEN HOLDINGS CO., LTD.

    Inventor： 阿部博史 ,  ABE, HIROSHI ,  奥谷学 ,  OKUTANI, MANABU ,  太田喬 ,  OTA, TAKASHI

    IPC: H01L21/67 ,  H01L23/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  B05C9/14

    Abstract: 本發明之課題在於提供一種能夠提高使基板之表面的化學性質變化之改質處理液的反應性之技術。本發明係一種用以處理基板W之表面的基板處理方法，包含：步驟(a)之第一溶劑供給步驟S4，係一邊使基板W旋轉一邊對該基板W的表面供給IPA並進行處理；步驟(b)之改質處理液供給步驟S5，係在第一溶劑供給步驟S4之後供給矽烷化液而形成液膜；以及(c)步驟，係在第一溶劑供給步驟S4以及改質處理液供給步驟S5中加熱基板W。前述步驟(c)中，在改質處理液供給步驟S5中給予基板W之每單位時間的熱量H2係大於在第一溶劑供給步驟S4中給予基板W之每單位時間的熱量H1。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供一种能够提高使基板之表面的化学性质变化之改质处理液的反应性之技术。本发明系一种用以处理基板W之表面的基板处理方法，包含：步骤(a)之第一溶剂供给步骤S4，系一边使基板W旋转一边对该基板W的表面供给IPA并进行处理；步骤(b)之改质处理液供给步骤S5，系在第一溶剂供给步骤S4之后供给硅烷化液而形成液膜；以及(c)步骤，系在第一溶剂供给步骤S4以及改质处理液供给步骤S5中加热基板W。前述步骤(c)中，在改质处理液供给步骤S5中给予基板W之每单位时间的热量H2系大于在第一溶剂供给步骤S4中给予基板W之每单位时间的热量H1。

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