具備擁有經冷卻面板之噴淋頭的基板處理腔室
    1.
    发明专利
    具備擁有經冷卻面板之噴淋頭的基板處理腔室 审中-公开
    具备拥有经冷却皮肤之喷淋头的基板处理腔室

    公开(公告)号:TW202018112A

    公开(公告)日:2020-05-16

    申请号:TW108119870

    申请日:2019-06-10

    IPC分类号: C23C14/56 H05H1/42 H01L23/42

    摘要: 一種基板處理腔室的噴淋頭,包含:內壁;一內充氣部,其位於該等內壁之間;一面板,其具有一第1表面與一第2表面,該第2表面係與該第1表面相反;穿過該面板的孔,其係從該第1表面延伸到該第2表面;一第1入口,其與該內充氣部流體地連接;外壁;一第1外充氣部,其位於該等內壁與該等外壁之間;一第2外充氣部,其位於該等內壁與該等外壁之間;以及冷媒通道:其使該第1外充氣部與該第2外充氣部流體地連接;其設置在該面板內並且位於該第1與第2表面之間;並且其與該等孔流體地隔離。該噴淋頭亦包含一第2入口,其與該第1外充氣部流體地連接。

    简体摘要: 一种基板处理腔室的喷淋头,包含:内壁;一内充气部,其位于该等内壁之间;一皮肤,其具有一第1表面与一第2表面,该第2表面系与该第1表面相反;穿过该皮肤的孔,其系从该第1表面延伸到该第2表面;一第1入口,其与该内充气部流体地连接;外壁;一第1外充气部,其位于该等内壁与该等外壁之间;一第2外充气部,其位于该等内壁与该等外壁之间;以及冷媒信道:其使该第1外充气部与该第2外充气部流体地连接;其设置在该皮肤内并且位于该第1与第2表面之间;并且其与该等孔流体地隔离。该喷淋头亦包含一第2入口,其与该第1外充气部流体地连接。

    基板處理方法及基板處理裝置
    2.
    发明专利
    基板處理方法及基板處理裝置 审中-公开
    基板处理方法及基板处理设备

    公开(公告)号:TW202015198A

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:TW108122100

    申请日:2019-06-25

    IPC分类号: H01L23/42 H01L21/67

    摘要: 將包含待吸附至形成於基板之圖案之表面之吸附物質的乾燥前處理液供給至保持水平之基板之表面,而使吸附物質吸附於圖案之表面。將保持水平之基板之表面上之一部分乾燥前處理液藉由基板繞鉛直之旋轉軸線旋轉而去除,藉此,沿著圖案之表面形成包含吸附於圖案之表面之吸附物質之吸附膜。藉由使吸附膜變化為氣體而自基板之表面去除吸附膜。

    简体摘要: 将包含待吸附至形成于基板之图案之表面之吸附物质的干燥前处理液供给至保持水平之基板之表面,而使吸附物质吸附于图案之表面。将保持水平之基板之表面上之一部分干燥前处理液借由基板绕铅直之旋转轴线旋转而去除,借此,沿着图案之表面形成包含吸附于图案之表面之吸附物质之吸附膜。借由使吸附膜变化为气体而自基板之表面去除吸附膜。

    具有增強之效能的RF裝置及其形成方法
    3.
    发明专利
    具有增強之效能的RF裝置及其形成方法 审中-公开
    具有增强之性能的RF设备及其形成方法

    公开(公告)号:TW202015193A

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:TW108119536

    申请日:2019-06-05

    摘要: 本揭示案係關於一種射頻裝置,該射頻裝置包括:一裝置區,該裝置區具有一後段產線(BEOL)部分及一前段產線(FEOL)部分;第一凸塊結構;一第一模塑料;及一第二模塑料。該FEOL部分包括一活化層、一接觸層及多個隔離區段。本文中,該活化層及該等隔離區段駐留於該接觸層上方,且該活化層被該等隔離區段環繞。該BEOL部分形成於該FEOL部分下面,且該等第一凸塊結構及該第一模塑料形成於該BEOL部分下面。每個第一凸塊結構部分地藉由該第一模塑料囊封,且經由該BEOL部分內之連接層電耦合至該FEOL部分。該第二模塑料駐留於該活化層上方,其間無一矽材料,該矽材料具有5歐姆-cm與30000歐姆-cm之間的一電阻率。

    简体摘要: 本揭示案系关于一种射频设备,该射频设备包括:一设备区,该设备区具有一后段产线(BEOL)部分及一前段产线(FEOL)部分;第一凸块结构;一第一模塑料;及一第二模塑料。该FEOL部分包括一活化层、一接触层及多个隔离区段。本文中,该活化层及该等隔离区段驻留于该接触层上方,且该活化层被该等隔离区段环绕。该BEOL部分形成于该FEOL部分下面,且该等第一凸块结构及该第一模塑料形成于该BEOL部分下面。每个第一凸块结构部分地借由该第一模塑料囊封,且经由该BEOL部分内之连接层电耦合至该FEOL部分。该第二模塑料驻留于该活化层上方,其间无一硅材料,该硅材料具有5欧姆-cm与30000欧姆-cm之间的一电阻率。

    去氣腔室以及去氣方法
    4.
    发明专利
    去氣腔室以及去氣方法 审中-公开
    去气腔室以及去气方法

    公开(公告)号:TW202005021A

    公开(公告)日:2020-01-16

    申请号:TW108101508

    申请日:2019-01-15

    IPC分类号: H01L23/42 H01L21/67

    摘要: 本發明揭露一種去氣腔室以及去氣方法。該去氣腔室的內部設有加熱裝置、冷卻裝置和移動支撐裝置;其中,冷卻裝置與加熱裝置間隔,且相對設置;移動支撐裝置用於承載晶圓,且能夠帶動晶圓在加熱裝置和冷卻裝置之間移動,以分別對晶圓進行加熱和冷卻。本發明揭露的去氣腔室以及去氣方法的技術方案,可以在同一腔室內完成加熱製程和冷卻製程,進而提高了生產效率。同時,可以避免去氣腔室中由於介質窗的存在而帶來的晶圓溫度精度較差、加熱效率低、冷卻效率低等的問題。

    简体摘要: 本发明揭露一种去气腔室以及去气方法。该去气腔室的内部设有加热设备、冷却设备和移动支撑设备;其中,冷却设备与加热设备间隔,且相对设置;移动支撑设备用于承载晶圆,且能够带动晶圆在加热设备和冷却设备之间移动,以分别对晶圆进行加热和冷却。本发明揭露的去气腔室以及去气方法的技术方案,可以在同一腔室内完成加热制程和冷却制程,进而提高了生产效率。同时,可以避免去气腔室中由于介质窗的存在而带来的晶圆温度精度较差、加热效率低、冷却效率低等的问题。

    硬化性有機聚矽氧烷組成物及半導體裝置
    10.
    发明专利
    硬化性有機聚矽氧烷組成物及半導體裝置 审中-公开
    硬化性有机聚硅氧烷组成物及半导体设备

    公开(公告)号:TW201323527A

    公开(公告)日:2013-06-16

    申请号:TW101133758

    申请日:2012-09-14

    摘要: 本發明係一種油脂狀或糊狀之硬化性有機聚矽氧烷組成物,其係含有:(A)於1分子中具有2個以上鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷、(B)於1分子中具有2個以上鍵結於矽原子之氫原子的有機氫聚矽氧烷、(C)熔點為0~70℃之鎵及/或其之合金、(D)平均粒徑為0.1~100μm之熱傳導性充填劑、(E)鉑系觸媒、及(G)下述通式(1) (式中,R1為相同或相異種之一價之烴基,R2為烷基、烷氧基、烯基或醯基,a為5~100之整數,b為1~3之整數)所表示之聚矽氧烷。本發明之硬化性有機聚矽氧烷組成物,於硬化前為油脂狀或糊狀,故於IC封裝等之發熱性電子零件上塗布之際之作業性良好。

    简体摘要: 本发明系一种油脂状或煳状之硬化性有机聚硅氧烷组成物,其系含有:(A)于1分子中具有2个以上键结于硅原子之烯基的有机聚硅氧烷、(B)于1分子中具有2个以上键结于硅原子之氢原子的有机氢聚硅氧烷、(C)熔点为0~70℃之镓及/或其之合金、(D)平均粒径为0.1~100μm之热传导性充填剂、(E)铂系触媒、及(G)下述通式(1) (式中,R1为相同或相异种之一价之烃基,R2为烷基、烷氧基、烯基或酰基,a为5~100之整数,b为1~3之整数)所表示之聚硅氧烷。本发明之硬化性有机聚硅氧烷组成物,于硬化前为油脂状或煳状,故于IC封装等之发热性电子零件上涂布之际之作业性良好。