利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

6 条记录 (耗时 0.02 秒)

    切晶黏晶膜
    1.
    发明专利
    切晶黏晶膜 审中-公开

    公开(公告)号：TW201842117A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107112984

    申请日：2018-04-17

    申请人： 日商日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

    发明人： 木村雄大 ,  KIMURA, YUTA ,  高本尚英 ,  TAKAMOTO, NAOHIDE ,  大西謙司 ,  ONISHI, KENJI ,  宍戶雄一郎 ,  SHISHIDO, YUICHIRO ,  福井章洋 ,  FUKUI, AKIHIRO ,  大和道子 ,  YAMATO, MICHIKO ,  井上真一 ,  INOUE, SHINICHI

    IPC分类号： C09J7/30 ,  C09J133/04 ,  H01L21/68

    摘要： 本發明提供一種於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜(DDAF)之擴張步驟中切晶帶上之接著劑層可被良好地割斷，且適於實現割斷後之附接著劑層之半導體晶片之良好拾取的DDAF。 本發明之DDAF具備切晶帶10與接著劑層20。切晶帶10具備含有包含(甲基)丙烯酸月桂酯與(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯作為構成單體之第1丙烯酸系聚合物之黏著劑層12。接著劑層20密接於黏著劑層12，含有具有腈基之第2丙烯酸系聚合物。於第2丙烯酸系聚合物之紅外線吸收光譜中，源自腈基之2240 cm-1附近之波峰高度相對於源自羰基之1730 cm-1附近之波峰高度的比為0.01～0.1。

    简体摘要： 本发明提供一种于为了获得附接着剂层之半导体芯片而使用切晶黏晶膜(DDAF)之扩张步骤中切晶带上之接着剂层可被良好地割断，且适于实现割断后之附接着剂层之半导体芯片之良好十取的DDAF。 本发明之DDAF具备切晶带10与接着剂层20。切晶带10具备含有包含(甲基)丙烯酸月桂酯与(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯作为构成单体之第1丙烯酸系聚合物之黏着剂层12。接着剂层20密接于黏着剂层12，含有具有腈基之第2丙烯酸系聚合物。于第2丙烯酸系聚合物之红外线吸收光谱中，源自腈基之2240 cm-1附近之波峰高度相对于源自羰基之1730 cm-1附近之波峰高度的比为0.01～0.1。

    切晶黏晶膜
    3.
    发明专利
    切晶黏晶膜 审中-公开

    公开(公告)号：TW201843728A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107112986

    申请日：2018-04-17

    申请人： 日商日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

    发明人： 木村雄大 ,  KIMURA, YUTA ,  高本尚英 ,  TAKAMOTO, NAOHIDE ,  大西謙司 ,  ONISHI, KENJI ,  宍戶雄一郎 ,  SHISHIDO, YUICHIRO ,  福井章洋 ,  FUKUI, AKIHIRO ,  大和道子 ,  YAMATO, MICHIKO ,  井上真一 ,  INOUE, SHINICHI

    IPC分类号： H01L21/304 ,  C09J9/02 ,  C09J133/08

    摘要： 本發明提供一種於為了獲得附接著劑層之半導體晶片而使用切晶黏晶膜之擴張步驟中，切晶帶上之接著劑層能夠被良好地割斷，且割斷後之附接著劑層之半導體晶片能夠實現良好之拾取的切晶黏晶膜。 本發明之切晶黏晶膜具備：具有包含基材與黏著劑層之積層構造之切晶帶、及可剝離地密接於上述切晶帶中之上述黏著劑層之接著劑層，且上述黏著劑層表面於溫度23℃、頻率100 Hz之條件下藉由奈米壓痕法進行500 nm壓入時之彈性模數為0.1～20 MPa。

    简体摘要： 本发明提供一种于为了获得附接着剂层之半导体芯片而使用切晶黏晶膜之扩张步骤中，切晶带上之接着剂层能够被良好地割断，且割断后之附接着剂层之半导体芯片能够实现良好之十取的切晶黏晶膜。 本发明之切晶黏晶膜具备：具有包含基材与黏着剂层之积层构造之切晶带、及可剥离地密接于上述切晶带中之上述黏着剂层之接着剂层，且上述黏着剂层表面于温度23℃、频率100 Hz之条件下借由奈米压痕法进行500 nm压入时之弹性模数为0.1～20 MPa。

    切晶黏晶膜
    5.
    发明专利
    切晶黏晶膜 审中-公开

    公开(公告)号：TW201843270A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107113013

    申请日：2018-04-17

    申请人： 日商日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

    发明人： 木村雄大 ,  KIMURA, YUTA ,  高本尚英 ,  TAKAMOTO, NAOHIDE ,  大西謙司 ,  ONISHI, KENJI ,  宍戶雄一郎 ,  SHISHIDO, YUICHIRO ,  福井章洋 ,  FUKUI, AKIHIRO ,  井上真一 ,  INOUE, SHINICHI ,  大和道子 ,  YAMATO, MICHIKO

    IPC分类号： C09J7/00 ,  C09J133/08 ,  C09J133/14 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

    摘要： 本發明提供一種切晶黏晶膜，其適於確保接著劑層於擴張步驟中之割斷性，且適於實現接著劑層對環狀框等框構件之良好之黏著力。 本發明之切晶黏晶膜X具備切晶帶10及接著劑層20。切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造。接著劑層20可剝離地密接於黏著劑層12。接著劑層20關於寬度4 mm之接著劑層試樣片於初期夾具間距離10 mm、頻率10 Hz、動態應變±0.5 μm及升溫速度5℃/min之條件下測得之-15℃下之拉伸儲存彈性模數為1000～4000 MPa，且於上述條件下測得之23℃下之拉伸儲存彈性模數為10～240 MPa。

    简体摘要： 本发明提供一种切晶黏晶膜，其适于确保接着剂层于扩张步骤中之割断性，且适于实现接着剂层对环状框等框构件之良好之黏着力。 本发明之切晶黏晶膜X具备切晶带10及接着剂层20。切晶带10具有包含基材11与黏着剂层12之积层构造。接着剂层20可剥离地密接于黏着剂层12。接着剂层20关于宽度4 mm之接着剂层试样片于初期夹具间距离10 mm、频率10 Hz、动态应变±0.5 μm及升温速度5℃/min之条件下测得之-15℃下之拉伸存储弹性模数为1000～4000 MPa，且于上述条件下测得之23℃下之拉伸存储弹性模数为10～240 MPa。

    切晶黏晶膜
    6.
    发明专利
    切晶黏晶膜 审中-公开

    公开(公告)号：TW201843269A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107112987

    申请日：2018-04-17

    申请人： 日商日東電工股份有限公司 ,  NITTO DENKO CORPORATION

    发明人： 木村雄大 ,  KIMURA, YUTA ,  高本尚英 ,  TAKAMOTO, NAOHIDE ,  大西謙司 ,  ONISHI, KENJI ,  宍戶雄一郎 ,  SHISHIDO, YUICHIRO ,  福井章洋 ,  FUKUI, AKIHIRO ,  大和道子 ,  YAMATO, MICHIKO ,  井上真一 ,  INOUE, SHINICHI

    IPC分类号： C09J7/00 ,  C09J133/04 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

    摘要： 本發明提供一種適於藉由擴張步驟而良好地割斷接著劑層之切晶黏晶膜。 本發明之切晶黏晶膜(DDAF)具備切晶帶10與接著劑層20。切晶帶10具有包含基材11與黏著劑層12之積層構造，接著劑層20密接於黏著劑層12。由DDAF中之較下述外側區域R1靠內之內側區域R2內切出之試驗片(50 mm×10 mm)於初期夾具間距離20 mm、-15℃及拉伸速度300 mm/min之條件下進行之拉伸試驗中於應變值30%下產生之拉伸應力相對於由DDAF中之自外周端向內20 mm為止之外側區域R1切出之試驗片(50 mm×10 mm)於同一條件下進行之拉伸試驗中於應變值30%下產生之拉伸應力的比值為0.9～1.1。

    简体摘要： 本发明提供一种适于借由扩张步骤而良好地割断接着剂层之切晶黏晶膜。 本发明之切晶黏晶膜(DDAF)具备切晶带10与接着剂层20。切晶带10具有包含基材11与黏着剂层12之积层构造，接着剂层20密接于黏着剂层12。由DDAF中之较下述外侧区域R1靠内之内侧区域R2内切出之试验片(50 mm×10 mm)于初期夹具间距离20 mm、-15℃及拉伸速度300 mm/min之条件下进行之拉伸试验中于应变值30%下产生之拉伸应力相对于由DDAF中之自外周端向内20 mm为止之外侧区域R1切出之试验片(50 mm×10 mm)于同一条件下进行之拉伸试验中于应变值30%下产生之拉伸应力的比值为0.9～1.1。