公开(公告)号：TWI690994B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW105118501

申请日：2016-06-14

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 田中誠治 ,  TANAKA, SEIJI ,  里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455

公开(公告)号：TWI664678B

公开(公告)日：2019-07-01

申请号：TW104106666

申请日：2015-03-03

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED ,  公立大學法人高知工科大學 ,  KOCHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

Inventor： 里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU ,  古田守 ,  HURUTA, MAMORU

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/318

公开(公告)号：TWI666707B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW104132175

申请日：2015-09-30

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED ,  高知縣公立大學法人 ,  KOCHI PREFECTURAL PUBLIC UNIVERSITY CORPORATION

Inventor： 里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU ,  石田寛 ,  ISHIDA, HIROSHI ,  佐佐木和男 ,  SASAKI, KAZUO ,  古田守 ,  FURUTA, MAMORU

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

公开(公告)号：TW201907599A

公开(公告)日：2019-02-16

申请号：TW107116052

申请日：2018-05-11

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED ,  高知縣公立大學法人 ,  KOCHI PREFECTURAL PUBLIC UNIVERSITY CORPORATION

Inventor： 高藤哲也 ,  TAKATO, TETSUYA ,  內田博章 ,  UCHIDA, HIROAKI ,  渡邉幸夫 ,  WATANABE, SACHIO ,  里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU ,  佐佐木和男 ,  SASAKI, KAZUO ,  古田守 ,  FURUTA, MAMORU

IPC: H01L51/56

Abstract: [課題]提供相對於H原子之阻障性高的保護膜。 　　[解決手段]一種成膜方法，其係保護形成在基板上之氧化物半導體之保護膜的成膜方法，包含：第1搬入工程，其係將形成氧化物半導體之前的基板或形成有氧化物半導體之後的基板，搬入至處理容器內；和第1成膜工程，其係在將被搬入至處理容器內之基板加熱至250℃以上之溫度的狀態下，藉由包含SiCl4氣體、SiF4氣體、包含氮原子及氧原子之至少任一個並且不含氫原子之處理氣體的混合氣體的電漿，成膜保護膜。

Abstract in simplified Chinese: [课题]提供相对于H原子之阻障性高的保护膜。 　　[解决手段]一种成膜方法，其系保护形成在基板上之氧化物半导体之保护膜的成膜方法，包含：第1搬入工程，其系将形成氧化物半导体之前的基板或形成有氧化物半导体之后的基板，搬入至处理容器内；和第1成膜工程，其系在将被搬入至处理容器内之基板加热至250℃以上之温度的状态下，借由包含SiCl4气体、SiF4气体、包含氮原子及氧原子之至少任一个并且不含氢原子之处理气体的混合气体的等离子，成膜保护膜。

公开(公告)号：TWI647331B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：TW104111729

申请日：2015-04-13

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 仙波昌平 ,  SENBA, SHOHEI ,  里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU

IPC: C23C16/455 ,  G02F1/133

公开(公告)号：TWI695652B

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：TW105118989

申请日：2016-06-16

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU ,  仙波昌平 ,  SENBA, SHOHEI

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  C23C14/12 ,  C23C14/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  B32B9/00 ,  C08G85/00

公开(公告)号：TWI676701B

公开(公告)日：2019-11-11

申请号：TW104119403

申请日：2015-06-16

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 仙波昌平 ,  SENBA, SHOHEI ,  里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU ,  田中誠治 ,  TANAKA, SEIJI

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52

公开(公告)号：TWI665799B

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：TW103143055

申请日：2014-12-10

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU ,  石田寛 ,  ISHIDA, HIROSHI

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L51/52

公开(公告)号：TWI672755B

公开(公告)日：2019-09-21

申请号：TW104107548

申请日：2015-03-10

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 藤永元毅 ,  FUJINAGA, MOTOKI ,  高藤哲也 ,  TAKATO, TETSUYA ,  里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TW201812885A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106119836

申请日：2017-06-14

Applicant: 日商東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 里吉務 ,  SATOYOSHI, TSUTOMU ,  齊藤均 ,  SAITO, HITOSHI

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 提供一種技術：對於矩形之被處理基板之外周側的區域，朝向周方向進行更均勻的電漿處理。 電漿處理裝置(1)，係對矩形的被處理基板(G)，執行在陰極電極(13)與矩形的陽極電極部(3)之間所形成之處理氣體的電容耦合電漿(P)所致之電漿處理。此時，陽極電極部(3)，係朝向徑方向被分割成複數個徑方向分割電極(34)、(33)、(32)，外周側的徑方向分割電極(32)，係進一步被分割成角部側之角部分割電極(32b)與邊部側之邊部分割電極(32a)。在該些角部分割電極(32b)與邊部分割電極(32a)之至少一方的接地端(104)側，係設置有阻抗調整部(52)、(51)。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种技术：对于矩形之被处理基板之外周侧的区域，朝向周方向进行更均匀的等离子处理。 等离子处理设备(1)，系对矩形的被处理基板(G)，运行在阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间所形成之处理气体的电容耦合等离子(P)所致之等离子处理。此时，阳极电极部(3)，系朝向径方向被分割成复数个径方向分割电极(34)、(33)、(32)，外周侧的径方向分割电极(32)，系进一步被分割成角部侧之角部分割电极(32b)与边部侧之边部分割电极(32a)。在该些角部分割电极(32b)与边部分割电极(32a)之至少一方的接地端(104)侧，系设置有阻抗调整部(52)、(51)。