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公开(公告)号：TW201833383A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106134867
申请日：2017-10-12
发明人： 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI
摘要： 本發明係一種鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體，其課題為提供：可防止對於不可鍍敷材料部分產生有瑕疵(缺陷)情況之鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體。 {0＞[解決手段]表面にめっき不可材料部分31とめっき可能材料部分32とが形成された基板Wを準備し、基板Wに対して触媒付与処理を行うことにより、めっき可能材料部分32に対して選択的に触媒を付与する。＜}100{＞解決手段為準備加以形成有不可鍍敷材料部分(31)與可鍍敷材料部分(32)於表面之基板(W)，經由對於基板(W)而言進行觸媒賦予處理之時，對於可鍍敷材料部分32而言，選擇性地賦予觸媒。＜0}{0＞次に、基板Wに対してめっき液M1を供給することにより、めっき可能材料部分32に対して選択的にめっき層35を形成する。＜}84{＞接著，經由對於基板(W)而言供給鍍敷液(M1)之時，對於可鍍敷材料部分(32)而言，選擇性地形成鍍敷層(35)。＜0}{0＞めっき液M1は、めっき不可材料部分31にめっき層35が析出することを抑制する抑制剤を含有する。＜}73{＞鍍敷液(M1)係含有抑制鍍敷層(35)析出於不可鍍敷材料部分(31)情況之抑制劑。
简体摘要： 本发明系一种镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体，其课题为提供：可防止对于不可镀敷材料部分产生有瑕疵(缺陷)情况之镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体。 {0＞[解决手段]表面にめっき不可材料部分31とめっき可能材料部分32とが形成された基板Wを准备し、基板Wに対して触媒付与处理を行うことにより、めっき可能材料部分32に対して选択的に触媒を付与する。＜}100{＞解决手段为准备加以形成有不可镀敷材料部分(31)与可镀敷材料部分(32)于表面之基板(W)，经由对于基板(W)而言进行触媒赋予处理之时，对于可镀敷材料部分32而言，选择性地赋予触媒。＜0}{0＞次に、基板Wに対してめっき液M1を供给することにより、めっき可能材料部分32に対して选択的にめっき层35を形成する。＜}84{＞接着，经由对于基板(W)而言供给镀敷液(M1)之时，对于可镀敷材料部分(32)而言，选择性地形成镀敷层(35)。＜0}{0＞めっき液M1は、めっき不可材料部分31にめっき层35が析出することを抑制する抑制剤を含有する。＜}73{＞镀敷液(M1)系含有抑制镀敷层(35)析出于不可镀敷材料部分(31)情况之抑制剂。
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公开(公告)号：TW201829840A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106134842
申请日：2017-10-12
发明人： 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI
IPC分类号： C23C18/18
摘要： 本發明一種鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體，其中，提供：在賦予觸媒之階段，可將觸媒自最初選擇性地附著於可鍍敷材料部分之鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體。 解決手段為準備加以形成有不可鍍敷材料部分(31)與可鍍敷材料部分(32)於表面之基板(W)，經由對於基板(W)而言供給觸媒液(N1)之時，對於可鍍敷材料部分(32)而言，選擇性地賦予觸媒。＜0}{0＞次に、基板Ｗに対してめっき液Ｍ１を供給することにより、めっき可能材料部分３２に対して選択的にめっき層３５を形成する。＜}100{＞接著，經由對於基板(W)而言供給鍍敷液(M1)之時，對於可鍍敷材料部分(32)而言，選擇性地形成鍍敷層(35)。＜0}{0＞触媒液Ｎ１は、めっき不可材料部分３１にめっき層３５が析出することを抑制するとともに、めっき可能材料部分３２にめっき層３５が析出しやすくなるよう、予めｐＨが調整されている。＜}89{＞觸媒液(N1)係抑制鍍敷層(35)析出於不可鍍敷材料部分(31)之情況同時，呈鍍敷層(35)則容易析出於可鍍敷材料部分(32)而預先加以調整pH。
简体摘要： 本发明一种镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体，其中，提供：在赋予触媒之阶段，可将触媒自最初选择性地附着于可镀敷材料部分之镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体。 解决手段为准备加以形成有不可镀敷材料部分(31)与可镀敷材料部分(32)于表面之基板(W)，经由对于基板(W)而言供给触媒液(N1)之时，对于可镀敷材料部分(32)而言，选择性地赋予触媒。＜0}{0＞次に、基板Ｗに対してめっき液Ｍ１を供给することにより、めっき可能材料部分３２に対して选択的にめっき层３５を形成する。＜}100{＞接着，经由对于基板(W)而言供给镀敷液(M1)之时，对于可镀敷材料部分(32)而言，选择性地形成镀敷层(35)。＜0}{0＞触媒液Ｎ１は、めっき不可材料部分３１にめっき层３５が析出することを抑制するとともに、めっき可能材料部分３２にめっき层３５が析出しやすくなるよう、予めｐＨが调整されている。＜}89{＞触媒液(N1)系抑制镀敷层(35)析出于不可镀敷材料部分(31)之情况同时，呈镀敷层(35)则容易析出于可镀敷材料部分(32)而预先加以调整pH。
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公开(公告)号：TW201903203A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107108034
申请日：2018-03-09
发明人： 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 水谷信崇 , MIZUTANI, NOBUTAKA
IPC分类号： C23C18/18
摘要： [課題]在基板的表面賦予觸媒後從不想要附上鍍膜的部分將觸媒有效率地除去。 [解決手段]鍍膜處理方法，具備：準備具有包含由容易附著觸媒的材料所形成的附著性材料部分(32)、及由難以附著觸媒的材料所形成的非附著性材料部分(31)之表面的基板的工程；對基板供應觸媒液，而對基板賦予觸媒的觸媒賦予工程；對基板供應包含還原劑的觸媒除去液，在附著性材料部分的表面上殘留觸媒，同時從非附著性材料部分將觸媒除去的觸媒除去工程；藉由對基板供應鍍膜液，對附著性材料部分選擇地形成鍍膜層的鍍膜工程。
简体摘要： [课题]在基板的表面赋予触媒后从不想要附上镀膜的部分将触媒有效率地除去。 [解决手段]镀膜处理方法，具备：准备具有包含由容易附着触媒的材料所形成的附着性材料部分(32)、及由难以附着触媒的材料所形成的非附着性材料部分(31)之表面的基板的工程；对基板供应触媒液，而对基板赋予触媒的触媒赋予工程；对基板供应包含还原剂的触媒除去液，在附着性材料部分的表面上残留触媒，同时从非附着性材料部分将触媒除去的触媒除去工程；借由对基板供应镀膜液，对附着性材料部分选择地形成镀膜层的镀膜工程。
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公开(公告)号：TW202027238A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108125168
申请日：2019-07-17
发明人： 丹羽崇文 , NIWA, TAKAFUMI , 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/324
摘要： [課題] 提供在無電解鍍敷處理中，在基板面內提升鍍敷膜之均勻性的技術。 [解決手段] 具備：基板保持部，其係吸附保持基板並使其旋轉；加熱部，其係從外部加熱基板保持部；鍍敷液供給部，其係對被保持於基板保持部而旋轉之基板供給鍍敷液；及控制部，其係控制基板保持部和加熱部和鍍敷液供給部之動作，控制部係以在透過基板保持部保持基板之前，透過加熱部將基板保持部加熱成50℃以上之方式進行控制。
简体摘要： [课题] 提供在无电解镀敷处理中，在基板面内提升镀敷膜之均匀性的技术。 [解决手段] 具备：基板保持部，其系吸附保持基板并使其旋转；加热部，其系从外部加热基板保持部；镀敷液供给部，其系对被保持于基板保持部而旋转之基板供给镀敷液；及控制部，其系控制基板保持部和加热部和镀敷液供给部之动作，控制部系以在透过基板保持部保持基板之前，透过加热部将基板保持部加热成50℃以上之方式进行控制。
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公开(公告)号：TWI669414B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW105104616
申请日：2016-02-17
发明人： 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 水谷信崇 , MIZUTANI, NOBUTAKA , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/31 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/52
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公开(公告)号：TWI663286B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW105104615
申请日：2016-02-17
发明人： 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 水谷信崇 , MIZUTANI, NOBUTAKA , 齋藤祐介 , SAITO, YUSUKE , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI
IPC分类号： C23C18/18 , H01L21/304 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L23/522 , C23C18/16
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公开(公告)号：TWI648428B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW105134561
申请日：2016-10-26
发明人： 水谷信崇 , MIZUTANI, NOBUTAKA , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO
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公开(公告)号：TW201833384A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106134869
申请日：2017-10-12
发明人： 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI , 岩井和俊 , IWAI, KAZUTOSHI
IPC分类号： C23C18/18 , C23C18/16 , C23C18/34 , H01L21/3065
摘要： 本發明係一種鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體，其課題為提供：可防止對於不可鍍敷材料部分產生有瑕疵(缺陷)情況之鍍敷處理方法，鍍敷處理裝置及記憶媒體。 解決手段為準備加以形成有不可鍍敷材料部分(31)與可鍍敷材料部分(32)於表面之基板(W)，經由對於基板(W)而言進行觸媒賦予處理之時，對於可鍍敷材料部分(32)而言，選擇性地賦予觸媒。接著，經由對於基板(W)而言施以鍍敷處理之時，對於可鍍敷材料部分(32)而言，選擇性地形成鍍敷層(35)。於賦予觸媒之前，經由對於基板(W)而言供給有機液(L1)之時，於基板(W)上形成有機膜(36)。
简体摘要： 本发明系一种镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体，其课题为提供：可防止对于不可镀敷材料部分产生有瑕疵(缺陷)情况之镀敷处理方法，镀敷处理设备及记忆媒体。 解决手段为准备加以形成有不可镀敷材料部分(31)与可镀敷材料部分(32)于表面之基板(W)，经由对于基板(W)而言进行触媒赋予处理之时，对于可镀敷材料部分(32)而言，选择性地赋予触媒。接着，经由对于基板(W)而言施以镀敷处理之时，对于可镀敷材料部分(32)而言，选择性地形成镀敷层(35)。于赋予触媒之前，经由对于基板(W)而言供给有机液(L1)之时，于基板(W)上形成有机膜(36)。
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公开(公告)号：TWI630285B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW104126257
申请日：2015-08-12
发明人： 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO , 田中崇 , TANAKA, TAKASHI
IPC分类号： C23C28/02 , H01L21/3205 , H01L23/52 , C23C18/31
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公开(公告)号：TW201730373A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105134561
申请日：2016-10-26
发明人： 水谷信崇 , MIZUTANI, NOBUTAKA , 岩下光秋 , IWASHITA, MITSUAKI , 稲富裕一郎 , INATOMI, YUICHIRO
CPC分类号： C23C18/1619 , C23C18/1675 , C23C18/1676 , C23C18/168 , C23C18/1683 , C23C18/31 , C23C18/52
摘要： 本發明之目的在於提供一種鍍敷處理裝置，其係可以防止於鍍敷處理可使用鍍敷液之時間的縮短。在鍍敷處理裝置(1)中，藉由鍍敷液供給部(53)對基板(W1)供給在特定之濃度範圍發揮特定之鍍敷性能的鍍敷液，且該鍍敷液具有被調整成特定之鍍敷處理溫度未滿之初期溫度，和被調整成到達至特定之鍍敷處理溫度之時點的鍍敷液之濃度成為特定之濃度範圍之下限值以上並且特定之濃度範圍之中央值以下的初期濃度，之後藉由鍍敷液加熱部(63)將對基板(W1)供給的鍍敷液加熱至特定之鍍敷處理溫度。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种镀敷处理设备，其系可以防止于镀敷处理可使用镀敷液之时间的缩短。在镀敷处理设备(1)中，借由镀敷液供给部(53)对基板(W1)供给在特定之浓度范围发挥特定之镀敷性能的镀敷液，且该镀敷液具有被调整成特定之镀敷处理温度未满之初期温度，和被调整成到达至特定之镀敷处理温度之时点的镀敷液之浓度成为特定之浓度范围之下限值以上并且特定之浓度范围之中央值以下的初期浓度，之后借由镀敷液加热部(63)将对基板(W1)供给的镀敷液加热至特定之镀敷处理温度。
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