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公开(公告)号:TWI684529B
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:TW107146518
申请日:2016-12-07
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: B32B9/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1333 , G09F9/30
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公开(公告)号:TWI673327B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:TW107109484
申请日:2018-03-20
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE , 安藤友一 , ANDO, YUICHI
IPC分类号: C09D1/00 , C09D5/24 , H01L29/786
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公开(公告)号:TW201919877A
公开(公告)日:2019-06-01
申请号:TW107146518
申请日:2016-12-07
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: B32B9/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1333 , G09F9/30
摘要: 本發明涉及一種氣體阻絕性積層體,包括:一基板;以及一阻絕層,形成在一氧化物半導體層和該基板之間,該阻絕層包括:包含矽及鹼土金屬的複合氧化物。
简体摘要: 本发明涉及一种气体阻绝性积层体,包括:一基板;以及一阻绝层,形成在一氧化物半导体层和该基板之间,该阻绝层包括:包含硅及碱土金属的复合氧化物。
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公开(公告)号:TW201838185A
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:TW107109032
申请日:2018-03-16
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 安藤友一 , ANDO, YUICHI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: H01L29/772 , H01L21/336
摘要: 為使場效電晶體小型化(目的),本發明提供一種場效電晶體(實現目的的手段),包括:一半導體薄膜,形成在一基底上;一閘極絕緣薄膜,形成在該半導體薄膜的一部分上;一閘極電極,形成在該閘極絕緣薄膜上;以及一源極電極和一汲極電極,形成為與該半導體薄膜接觸,其中,該源極電極和該汲極電極的厚度小於該閘極絕緣薄膜的厚度,以及該閘極絕緣薄膜包括不與該源極電極或該汲極電極接觸的一區域。
简体摘要: 为使场效应管小型化(目的),本发明提供一种场效应管(实现目的的手段),包括:一半导体薄膜,形成在一基底上;一闸极绝缘薄膜,形成在该半导体薄膜的一部分上;一闸极电极,形成在该闸极绝缘薄膜上;以及一源极电极和一汲极电极,形成为与该半导体薄膜接触,其中,该源极电极和该汲极电极的厚度小于该闸极绝缘薄膜的厚度,以及该闸极绝缘薄膜包括不与该源极电极或该汲极电极接触的一区域。
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公开(公告)号:TW201835242A
公开(公告)日:2018-10-01
申请号:TW107109484
申请日:2018-03-20
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE , 安藤友一 , ANDO, YUICHI
IPC分类号: C09D1/00 , C09D5/24 , H01L29/786
摘要: 一種用於形成金屬氧化物膜的塗佈液,係為用於形成金屬氧化物膜的塗佈液,含有:無機鹽、氧化物、氫氧化物、金屬錯合物、及有機酸鹽之至少一者的金屬源;有機鹼及無機鹼之至少任一鹼;以及溶劑。
简体摘要: 一种用于形成金属氧化物膜的涂布液,系为用于形成金属氧化物膜的涂布液,含有:无机盐、氧化物、氢氧化物、金属错合物、及有机酸盐之至少一者的金属源;有机碱及无机碱之至少任一碱;以及溶剂。
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公开(公告)号:TWI687750B
公开(公告)日:2020-03-11
申请号:TW107122614
申请日:2017-01-20
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50
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7.製造場效電晶體的方法、製造揮發性半導體記憶元件的方法、製造非揮發性半導體記憶元件的方法、製造顯示元件的方法、製造影像顯示裝置的方法及製造系統的方法 有权
简体标题: 制造场效应管的方法、制造挥发性半导体记忆组件的方法、制造非挥发性半导体记忆组件的方法、制造显示组件的方法、制造影像显示设备的方法及制造系统的方法公开(公告)号:TWI681446B
公开(公告)日:2020-01-01
申请号:TW106108357
申请日:2017-03-14
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 曾根雄司 , SONE, YUJI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/32 , G02F1/1368
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公开(公告)号:TW201907570A
公开(公告)日:2019-02-16
申请号:TW107138230
申请日:2017-03-17
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: H01L29/786 , G09F9/30
摘要: 一種場效電晶體,包括:一閘極電極,被配置以施加閘極電壓;一源極電極及一汲極電極,被配置以傳輸一電子訊號;一主動層,形成於該源極電極與該汲極電極之間;以及一閘極絕緣層,形成於該閘極電極與該主動層之間,該主動層包括至少兩種含有層A及層B的氧化物層,並且該主動層滿足以下條件(1)及條件(2)中的至少一種:條件(1):該主動層包括三層以上的氧化物層,該氧化物層包括兩層以上的層A;以及條件(2):該層A的能隙低於該層B的能隙並且該層A的氧親和力等於或大於該層B的氧親和力。
简体摘要: 一种场效应管,包括:一闸极电极,被配置以施加闸极电压;一源极电极及一汲极电极,被配置以传输一电子信号;一主动层,形成于该源极电极与该汲极电极之间;以及一闸极绝缘层,形成于该闸极电极与该主动层之间,该主动层包括至少两种含有层A及层B的氧化物层,并且该主动层满足以下条件(1)及条件(2)中的至少一种:条件(1):该主动层包括三层以上的氧化物层,该氧化物层包括两层以上的层A;以及条件(2):该层A的能隙低于该层B的能隙并且该层A的氧亲和力等于或大于该层B的氧亲和力。
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公开(公告)号:TW201837576A
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:TW107122614
申请日:2017-01-20
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50
摘要: 一種場效型電晶體,具有:基材;形成於前述基材上的源極電極、汲極電極及閘極電極;活性層,藉由對前述閘極電極施加既定的電壓,而在前述源極電極與前述汲極電極之間形成通道;以及閘極絕緣層,設置於前述閘極電極與前述活性層之間,其中,該場效型電晶體的特徵為:前述閘極絕緣層藉由包含屬於鹼土類金屬的第A元素、和屬於Ga、Sc、Y及鑭系元素之至少任一者的第B元素的氧化物膜來形成,在前述閘極電極、前述源極電極、前述汲極電極中,形成於前述閘極絕緣層既定面的電極係包含第1導電膜和第2導電膜的積層膜,前述第1導電膜係以有機鹼溶液溶解,前述第2導電膜係形成於前述第1導電膜上且對既定蝕刻液的蝕刻率比前述第1導電膜還高。
简体摘要: 一种场效型晶体管,具有:基材;形成于前述基材上的源极电极、汲极电极及闸极电极;活性层,借由对前述闸极电极施加既定的电压,而在前述源极电极与前述汲极电极之间形成信道;以及闸极绝缘层,设置于前述闸极电极与前述活性层之间,其中,该场效型晶体管的特征为:前述闸极绝缘层借由包含属于碱土类金属的第A元素、和属于Ga、Sc、Y及镧系元素之至少任一者的第B元素的氧化物膜来形成,在前述闸极电极、前述源极电极、前述汲极电极中,形成于前述闸极绝缘层既定面的电极系包含第1导电膜和第2导电膜的积层膜,前述第1导电膜系以有机碱溶液溶解,前述第2导电膜系形成于前述第1导电膜上且对既定蚀刻液的蚀刻率比前述第1导电膜还高。
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公开(公告)号:TWI673874B
公开(公告)日:2019-10-01
申请号:TW107109032
申请日:2018-03-16
申请人: 日商理光股份有限公司 , RICOH COMPANY, LTD.
发明人: 新江定憲 , ARAE, SADANORI , 安藤友一 , ANDO, YUICHI , 中村有希 , NAKAMURA, YUKI , 安部由希子 , ABE, YUKIKO , 松本真二 , MATSUMOTO, SHINJI , 曾根雄司 , SONE, YUJI , 植田尚之 , UEDA, NAOYUKI , 早乙女遼一 , SAOTOME, RYOICHI , 草柳嶺秀 , KUSAYANAGI, MINEHIDE
IPC分类号: H01L29/772 , H01L21/336
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