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公开(公告)号：TWI233179B
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW092122153
申请日：2003-08-12
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/488 , H01L23/564 , H01L23/66 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2223/6644 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01047 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/05042 , H01L2924/10157 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： [課題]提供降低安裝體的接地阻抗的製造方法。
[解決手段]包含：在半導體基板的主面之多數的半導體晶片區域形成半導體元件，和半導體元件的接地配線之接地銲墊11的工程；及在分離多數的半導體晶片區域的分離區域實體地形成分離溝32的工程；及在分離溝32形成接地金屬層26以連接於半導體元件的接地銲墊11的工程；及研磨半導體基板的背面至分離溝的底部露出為止，在分離溝32中，將多數的半導體晶片區域分離為個別獨立的半導體晶片21的工程；及在設置於安裝基板的表面之接地上形成導電性材料的工程；及在導電性材料上，金屬層26和接地藉由導電性材料相連接，以搭載半導體晶片21的工程。简体摘要： [课题]提供降低安装体的接地阻抗的制造方法。 [解决手段]包含：在半导体基板的主面之多数的半导体芯片区域形成半导体组件，和半导体组件的接地配线之接地焊垫11的工程；及在分离多数的半导体芯片区域的分离区域实体地形成分离沟32的工程；及在分离沟32形成接地金属层26以连接于半导体组件的接地焊垫11的工程；及研磨半导体基板的背面至分离沟的底部露出为止，在分离沟32中，将多数的半导体芯片区域分离为个别独立的半导体芯片21的工程；及在设置于安装基板的表面之接地上形成导电性材料的工程；及在导电性材料上，金属层26和接地借由导电性材料相连接，以搭载半导体芯片21的工程。
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公开(公告)号：TW200408057A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW092122153
申请日：2003-08-12
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/78 , H01L23/488 , H01L23/564 , H01L23/66 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2223/6644 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/73265 , H01L2224/85444 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01047 , H01L2924/01067 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/05042 , H01L2924/10157 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/18301 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01033 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 〔課題〕提供降低安裝體的接地阻抗的製造方法。〔解決手段〕包含：在半導體基板的主面之多數的半導體晶片區域形成半導體元件，和半導體元件的接地配線之接地銲墊11的工程；及在分離多數的半導體晶片區域的分離區域實體地形成分離溝32的工程；及在分離溝32形成接地金屬層26以連接於半導體元件的接地銲墊11的工程；及研磨半導體基板的背面至分離溝的底部露出為止，在分離溝32中，將多數的半導體晶片區域分離為個別獨立的半導體晶片21的工程；及在設置於安裝基板的表面之接地上形成導電性材料的工程；及在導電性材料上，金屬層26和接地藉由導電性材料相連接，以搭載半導體晶片21的工程。
简体摘要： 〔课题〕提供降低安装体的接地阻抗的制造方法。〔解决手段〕包含：在半导体基板的主面之多数的半导体芯片区域形成半导体组件，和半导体组件的接地配线之接地焊垫11的工程；及在分离多数的半导体芯片区域的分离区域实体地形成分离沟32的工程；及在分离沟32形成接地金属层26以连接于半导体组件的接地焊垫11的工程；及研磨半导体基板的背面至分离沟的底部露出为止，在分离沟32中，将多数的半导体芯片区域分离为个别独立的半导体芯片21的工程；及在设置于安装基板的表面之接地上形成导电性材料的工程；及在导电性材料上，金属层26和接地借由导电性材料相连接，以搭载半导体芯片21的工程。
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