公开(公告)号：TW201714012A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105128223

申请日：2016-09-01

申请人： 香港北大青鳥顯示有限公司 ,  HONG KONG BEIDA JADE BIRD DISPLAY LIMITED

发明人： 張 磊 ,  ZHANG, LEI ,  歐放 ,  OU, FANG ,  李起鳴 ,  LI, QIMING

IPC分类号： G03B21/00 ,  G09G3/34 ,  G02B15/14

CPC分类号： H01L25/167 ,  G03B21/005 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/50 ,  H01L27/153 ,  H01L27/156 ,  H01L33/52 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13069 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

摘要： 一發光二極體(LED)投影機包括一LED顯示器面板及一投影透鏡，該投影透鏡係配置在LED顯示器面板前方，且組配來聚集與投射該LED顯示器面板所發射的光。此LED顯示器面板包括一LED面板及配置在該LED面板上方的一微透鏡陣列。此LED面板包括一基體；一驅動器電路陣列，其位在該基體上且包括成一陣列配置的多個像素驅動器電路；及一LED陣列，其包括各耦合到該等像素驅動器電路中之一者的多個LED晶粒。該微透鏡陣列包括各對應於該等LED晶粒中之至少一者且配置於其上方的多個微透鏡。

简体摘要： 一发光二极管(LED)投影机包括一LED显示器皮肤及一投影透镜，该投影透镜系配置在LED显示器皮肤前方，且组配来聚集与投射该LED显示器皮肤所发射的光。此LED显示器皮肤包括一LED皮肤及配置在该LED皮肤上方的一微透镜数组。此LED皮肤包括一基体；一驱动器电路数组，其位在该基体上且包括成一数组配置的多个像素驱动器电路；及一LED数组，其包括各耦合到该等像素驱动器电路中之一者的多个LED晶粒。该微透镜数组包括各对应于该等LED晶粒中之至少一者且配置于其上方的多个微透镜。

公开(公告)号：TW201448207A

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：TW103109139

申请日：2014-03-13

申请人： 全斯法姆公司 ,  TRANSPHORM INC.

发明人： 萊爾拉克許K ,  LAL, RAKESH K.

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/535 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： III-N增強型電晶體包括：III-N結構，該III-N結構包括導電通道；源極觸點及汲極觸點；及在源極觸點與汲極觸點之間的閘電極。絕緣層在III-N結構上方，其中凹部在電晶體之閘極區域中經形成穿過絕緣層，其中閘電極至少部分地位於凹部中。電晶體進一步包括具有在閘電極與汲極觸點之間的部分的場板，該場板電連接至源極觸點。閘電極包括延伸部分，該延伸部分在凹部外且朝向汲極觸點延伸。導電通道與閘電極之延伸部分之間的間隔大於導電通道與場板之在閘電極與汲極觸點之間的部分之間的間隔。

简体摘要： III-N增强型晶体管包括：III-N结构，该III-N结构包括导电信道；源极触点及汲极触点；及在源极触点与汲极触点之间的闸电极。绝缘层在III-N结构上方，其中凹部在晶体管之闸极区域中经形成穿过绝缘层，其中闸电极至少部分地位于凹部中。晶体管进一步包括具有在闸电极与汲极触点之间的部分的场板，该场板电连接至源极触点。闸电极包括延伸部分，该延伸部分在凹部外且朝向汲极触点延伸。导电信道与闸电极之延伸部分之间的间隔大于导电信道与场板之在闸电极与汲极触点之间的部分之间的间隔。

公开(公告)号：TWI456705B

公开(公告)日：2014-10-11

申请号：TW101101191

申请日：2012-01-12

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 今田忠紘 ,  IMADA, TADAHIRO ,  岡本圭史郎 ,  OKAMOTO, KEISHIRO ,  今泉延弘 ,  IMAIZUMI, NOBUHIRO ,  吉川俊英 ,  KIKKAWA, TOSHIHIDE

IPC分类号： H01L23/045

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201436220A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102138464

申请日：2013-10-24

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 高木一考 ,  TAKAGI, KAZUTAKA

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/0696 ,  H01L23/66 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 場效電晶體是具有配置於第1直線上的複數的單元。各單元是具備多指狀電極，在各單元連接閘極端子電極及汲極端子電極。多指狀電極是具有至少2個的指狀閘極電極、指狀汲極電極及指狀源極電極。閘極端子電極是共通連接鄰接的2個的單元的指狀閘極電極。汲極端子電極是共通連接鄰接的2個的單元的指狀汲極電極。鄰接的2個的單元之中，一方的單元的指狀閘極電極與另一方的單元的指狀閘極電極是大致直角地交叉。彼此不同地在鄰接的2個的單元的多指狀電極所交叉的領域的第1直線的一方設置閘極端子電極，在另一方設置汲極端子電極。

简体摘要： 场效应管是具有配置于第1直在线的复数的单元。各单元是具备多指状电极，在各单元连接闸极端子电极及汲极端子电极。多指状电极是具有至少2个的指状闸极电极、指状汲极电极及指状源极电极。闸极端子电极是共通连接邻接的2个的单元的指状闸极电极。汲极端子电极是共通连接邻接的2个的单元的指状汲极电极。邻接的2个的单元之中，一方的单元的指状闸极电极与另一方的单元的指状闸极电极是大致直角地交叉。彼此不同地在邻接的2个的单元的多指状电极所交叉的领域的第1直线的一方设置闸极端子电极，在另一方设置汲极端子电极。

公开(公告)号：TW201347601A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102104476

申请日：2013-02-05

申请人： 尼斯迪格瑞科技環球公司 ,  NTHDEGREE TECHNOLOGIES WORLDWIDE INC.

发明人： 歐若拉 伯來迪S ,  ORAW, BRADLEY S.

IPC分类号： H05B33/08

CPC分类号： H05B33/0857 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0041 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H05B33/083 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明揭示LED模組，其具有與一LED串聯之一控制MOSFET或其他電晶體。在一實施例中，一MOSFET晶圓接合至一LED晶圓且經單件化以形成具有與單個LED相同之佔據面積的數千個主動式三端子LED模組。不管紅光、綠光及藍光LED之不同的正向電壓，RGB模組可並聯連接且其等之控制電壓以60 Hz或更大(頻率)交錯以產生一單一感知色彩，諸如白色。該等RGB模組可連接於一面板中用於通用照明或一彩色顯示器。一面板中之一單個介電層可囊封所有該等RGB模組，以形成一緊湊且價廉的面板。描述用於一彩色顯示器及一照明面板兩者之不同的定址技術。描述用於減小該LED對輸入電壓之變化之敏感度的不同電路。

简体摘要： 本发明揭示LED模块，其具有与一LED串联之一控制MOSFET或其他晶体管。在一实施例中，一MOSFET晶圆接合至一LED晶圆且经单件化以形成具有与单个LED相同之占据面积的数千个主动式三端子LED模块。不管红光、绿光及蓝光LED之不同的正向电压，RGB模块可并联连接且其等之控制电压以60 Hz或更大(频率)交错以产生一单一感知色彩，诸如白色。该等RGB模块可连接于一皮肤中用于通用照明或一彩色显示器。一皮肤中之一单个介电层可囊封所有该等RGB模块，以形成一紧凑且价廉的皮肤。描述用于一彩色显示器及一照明皮肤两者之不同的寻址技术。描述用于减小该LED对输入电压之变化之敏感度的不同电路。

公开(公告)号：TWI382518B

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：TW098116523

申请日：2009-05-19

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED

发明人： 赫爾伯特 弗蘭茨娃 ,  HEBERT, FRANCOIS

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/40 ,  H01L24/37 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/36 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/40 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801

公开(公告)号：TW201236113A

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW101101191

申请日：2012-01-12

申请人： 富士通股份有限公司

发明人： 今田忠紘 ,  岡本圭史郎 ,  今泉延弘 ,  吉川俊英

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導體裝置包含：具有電極的半導體晶片；對應於該電極的引線；將該電極連接至該引線的金屬線；第一樹脂部分，係覆蓋該金屬線及該電極之間的連接部分及該金屬線及該引線之間的連接部分；以及第二樹脂部分，係覆蓋該金屬線、該第一樹脂部分及該半導體晶片。

简体摘要： 半导体设备包含：具有电极的半导体芯片；对应于该电极的引线；将该电极连接至该引线的金属线；第一树脂部分，系覆盖该金属线及该电极之间的连接部分及该金属线及该引线之间的连接部分；以及第二树脂部分，系覆盖该金属线、该第一树脂部分及该半导体芯片。

公开(公告)号：TW201029117A

公开(公告)日：2010-08-01

申请号：TW098112996

申请日：2009-04-20

申请人： 三菱電機股份有限公司

发明人： 川嶋慶一 ,  細見剛 ,  平山敏和

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/00012

摘要： [課題]本發明的目的在於提供可以延長閘極線及汲極線的引線長的高頻半導購裝置。[解決手段]包括：封裝，具有腔；半導體晶片，配置於上述腔底面，在上面具有閘極電極、源極電極、及汲極電極；閘極圖框、汲極圖框、源極圖框，配置於上述腔底面；閘極線，連接上述閘極電極與上述閘極圖框；汲極線，連接上述汲極電極與上述汲極圖框；以及源極線，連接上述源極電極與上述源極圖框。而且，上述半導體晶片的特徵在於配置於與上述腔底面的中央部只離間既定偏移，相較於上述半導體晶片配置於上述中央部，上述閘極線及上述汲極線的長度變長。

简体摘要： [课题]本发明的目的在于提供可以延长闸极线及汲极线的引线长的高频半导购设备。[解决手段]包括：封装，具有腔；半导体芯片，配置于上述腔底面，在上面具有闸极电极、源极电极、及汲极电极；闸极图框、汲极图框、源极图框，配置于上述腔底面；闸极线，连接上述闸极电极与上述闸极图框；汲极线，连接上述汲极电极与上述汲极图框；以及源极线，连接上述源极电极与上述源极图框。而且，上述半导体芯片的特征在于配置于与上述腔底面的中央部只离间既定偏移，相较于上述半导体芯片配置于上述中央部，上述闸极线及上述汲极线的长度变长。

公开(公告)号：TWI233179B

公开(公告)日：2005-05-21

申请号：TW092122153

申请日：2003-08-12

申请人： 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 杉山亨 ,  森塚宏平 ,  杉浦政幸 ,  栗山保彥 ,  田邊芳一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488 ,  H01L23/564 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： [課題]提供降低安裝體的接地阻抗的製造方法。
[解決手段]包含：在半導體基板的主面之多數的半導體晶片區域形成半導體元件，和半導體元件的接地配線之接地銲墊11的工程；及在分離多數的半導體晶片區域的分離區域實體地形成分離溝32的工程；及在分離溝32形成接地金屬層26以連接於半導體元件的接地銲墊11的工程；及研磨半導體基板的背面至分離溝的底部露出為止，在分離溝32中，將多數的半導體晶片區域分離為個別獨立的半導體晶片21的工程；及在設置於安裝基板的表面之接地上形成導電性材料的工程；及在導電性材料上，金屬層26和接地藉由導電性材料相連接，以搭載半導體晶片21的工程。

简体摘要： [课题]提供降低安装体的接地阻抗的制造方法。 [解决手段]包含：在半导体基板的主面之多数的半导体芯片区域形成半导体组件，和半导体组件的接地配线之接地焊垫11的工程；及在分离多数的半导体芯片区域的分离区域实体地形成分离沟32的工程；及在分离沟32形成接地金属层26以连接于半导体组件的接地焊垫11的工程；及研磨半导体基板的背面至分离沟的底部露出为止，在分离沟32中，将多数的半导体芯片区域分离为个别独立的半导体芯片21的工程；及在设置于安装基板的表面之接地上形成导电性材料的工程；及在导电性材料上，金属层26和接地借由导电性材料相连接，以搭载半导体芯片21的工程。

公开(公告)号：TW200408057A

公开(公告)日：2004-05-16

申请号：TW092122153

申请日：2003-08-12

申请人： 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 杉山亨 ,  森塚宏平 ,  杉浦政幸 ,  栗山保彥 ,  田邊芳一

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/78 ,  H01L23/488 ,  H01L23/564 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 〔課題〕提供降低安裝體的接地阻抗的製造方法。〔解決手段〕包含：在半導體基板的主面之多數的半導體晶片區域形成半導體元件，和半導體元件的接地配線之接地銲墊11的工程；及在分離多數的半導體晶片區域的分離區域實體地形成分離溝32的工程；及在分離溝32形成接地金屬層26以連接於半導體元件的接地銲墊11的工程；及研磨半導體基板的背面至分離溝的底部露出為止，在分離溝32中，將多數的半導體晶片區域分離為個別獨立的半導體晶片21的工程；及在設置於安裝基板的表面之接地上形成導電性材料的工程；及在導電性材料上，金屬層26和接地藉由導電性材料相連接，以搭載半導體晶片21的工程。

简体摘要： 〔课题〕提供降低安装体的接地阻抗的制造方法。〔解决手段〕包含：在半导体基板的主面之多数的半导体芯片区域形成半导体组件，和半导体组件的接地配线之接地焊垫11的工程；及在分离多数的半导体芯片区域的分离区域实体地形成分离沟32的工程；及在分离沟32形成接地金属层26以连接于半导体组件的接地焊垫11的工程；及研磨半导体基板的背面至分离沟的底部露出为止，在分离沟32中，将多数的半导体芯片区域分离为个别独立的半导体芯片21的工程；及在设置于安装基板的表面之接地上形成导电性材料的工程；及在导电性材料上，金属层26和接地借由导电性材料相连接，以搭载半导体芯片21的工程。