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1.

发明专利
具有貫通電極的半導體裝置，製造其之方法，包含其之電子系統及包含其之記憶卡有权
简体标题：具有贯通电极的半导体设备，制造其之方法，包含其之电子系统及包含其之记忆卡

公开(公告)号：TWI615919B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW103138331

申请日：2014-11-05

申请人： 愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.

发明人： 朴津佑 , PARK, JIN WOO , 朴成秀 , PARK, SUNG SU , 金培用 , KIM, BAE YONG

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/034 , H01L2224/0361 , H01L2224/03614 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/051 , H01L2224/05138 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14181 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01014 , H01L2924/012

2.

发明专利
ＤＣ-ＤＣ轉換器用半導體裝置有权
简体标题：ＤＣ-ＤＣ转换器用半导体设备

公开(公告)号：TWI600135B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW104142353

申请日：2005-05-16

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 白石正樹 , 宇野友彰 , 松浦伸悌

IPC分类号： H01L25/10 , H01L23/28 , H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/28035 , H01L21/823475 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/4232 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/4916 , H01L29/66143 , H01L29/66734 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48624 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01021 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M3/155 , H02M7/003

3.

发明专利
發光二極體用導線框或基板、半導體裝置及發光二極體用導線框或基板之製造方法有权
简体标题：发光二极管用导线框或基板、半导体设备及发光二极管用导线框或基板之制造方法

公开(公告)号：TWI596796B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW105126387

申请日：2011-03-30

申请人： 大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.

发明人： 小田和範 , ODA, KAZUNORI , 坂本章 , SAKAMOTO, AKIRA , 村田佳則 , MURATA, YOSHINORI , 川合研三郎 , KAWAI, KENZABURO , 鈴木綱一 , SUZUKI, KOICHI , 大石惠 , OISHI, MEGUMI

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48669 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85469 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/078 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012

4.

发明专利
半導體裝置、半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备、半导体结构及其制造方法

公开(公告)号：TW201727787A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105142326

申请日：2016-12-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 張貴松 , CHANG, KUEI-SUNG , 蔡念宗 , TSAI, NIEN-TSUNG

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/09 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/036 , H01L2224/0361 , H01L2224/03618 , H01L2224/03826 , H01L2224/03827 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05541 , H01L2224/05554 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/05686 , H01L2224/11334 , H01L2224/13007 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48228 , H01L2224/49109 , H01L2224/49173 , H01L2225/0651 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05341 , H01L2924/0535 , H01L2924/05432 , H01L2924/14 , H01L2924/206 , H01L2224/05599 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/2076 , H01L2924/053 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/014

摘要： 本發明實施例揭露半導體裝置、半導體結構及其製造方法。在一些實施例中，一種方法係包括形成一接觸墊在一半導體裝置上方。一鈍化材料係形成在該接觸墊上方。該鈍化材料具有一厚度以及一材料種類而使得可透過該鈍化材料對該接觸墊作出一電連接。

简体摘要： 本发明实施例揭露半导体设备、半导体结构及其制造方法。在一些实施例中，一种方法系包括形成一接触垫在一半导体设备上方。一钝化材料系形成在该接触垫上方。该钝化材料具有一厚度以及一材料种类而使得可透过该钝化材料对该接触垫作出一电连接。

5.

发明专利
半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法

公开(公告)号：TW201721746A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105124462

申请日：2016-08-02

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 利根川丘 , TONEGAWA, TAKASHI

IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/31 , H01L21/31056 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L21/44 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/4827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L29/7802 , H01L2224/02126 , H01L2224/02145 , H01L2224/0215 , H01L2224/02206 , H01L2224/02215 , H01L2224/031 , H01L2224/0345 , H01L2224/03464 , H01L2224/03522 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05017 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05558 , H01L2224/05562 , H01L2224/05568 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2924/05042 , H01L2924/0509 , H01L2924/05442 , H01L2924/07025 , H01L2924/1203 , H01L2924/1206 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00013 , H01L2924/059 , H01L2924/0103 , H01L2924/00

摘要： 本發明的課題是在於使半導體裝置的特性提升。其解決手段是以能夠具有：形成於配線(M1)上，具有開口部(OA1)的保護膜(PRO1)、及形成於開口部(OA1)內的電鍍膜(OPM1)之方式，構成半導體裝置。而且，在開口部(OA1)的側面設有縫隙(SL)，在此縫隙(SL)內也配置有電鍍膜(OPM1)。藉由如此在開口部(OA1)的側面設置縫隙(SL)，在其內部也使電鍍膜(OPM1)成長，在以後的電鍍膜的形成時，電鍍液的侵入路徑會變長。因此，不易在配線(焊墊領域(PD))(M1)產生腐蝕部。並且，即使產生腐蝕部，也因為縫隙(SL)的部分比配線(焊墊領域(PD))(M1)還先犠牲腐蝕，所以可抑制腐蝕部進展至配線(焊墊領域(PD))(M1)。

简体摘要： 本发明的课题是在于使半导体设备的特性提升。其解决手段是以能够具有：形成于配线(M1)上，具有开口部(OA1)的保护膜(PRO1)、及形成于开口部(OA1)内的电镀膜(OPM1)之方式，构成半导体设备。而且，在开口部(OA1)的侧面设有缝隙(SL)，在此缝隙(SL)内也配置有电镀膜(OPM1)。借由如此在开口部(OA1)的侧面设置缝隙(SL)，在其内部也使电镀膜(OPM1)成长，在以后的电镀膜的形成时，电镀液的侵入路径会变长。因此，不易在配线(焊垫领域(PD))(M1)产生腐蚀部。并且，即使产生腐蚀部，也因为缝隙(SL)的部分比配线(焊垫领域(PD))(M1)还先犠牲腐蚀，所以可抑制腐蚀部进展至配线(焊垫领域(PD))(M1)。