公开(公告)号：TW201533864A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103106596

申请日：2014-02-26

申请人： 林朋科技股份有限公司 ,  ANOVA TECHNOLOGIES CO., LTD.

发明人： 楊惟理 ,  YANG, WEI LI ,  周宗傑 ,  CHOU, TSUNG CHIEH ,  王自強 ,  WANG, TZU CHIANG ,  張倉生 ,  CHANG, TSANG SHENG

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/043 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本發明係為一種高信賴性之半導體封裝結構，其包括：下散熱片；晶粒；上散熱片；導線架；以及封裝體。又導線架及上散熱片分別具有相對應的第一彎折部與第二彎折部，且第一彎折部係與第二彎折部電性相密接。上散熱片及下散熱片分別密接晶粒相對應之二表面，對瞬間高功率之熱能進行有效吸收及散熱。下散熱片並設有圍繞晶粒與接著區之凹槽使銲錫不會因為溢錫導致產品短路或者造成信賴性問題。封裝體則包覆及保護晶粒、上散熱片、部份導線架、以及部份下散熱片。藉由本發明之實施可在瞬間快速吸收並消散熱能，提高半導體封裝結構之元件可靠度，並增加其可耐受之EMC能量或可承載之操作功率。

简体摘要： 本发明系为一种高信赖性之半导体封装结构，其包括：下散热片；晶粒；上散热片；导线架；以及封装体。又导线架及上散热片分别具有相对应的第一弯折部与第二弯折部，且第一弯折部系与第二弯折部电性相密接。上散热片及下散热片分别密接晶粒相对应之二表面，对瞬间高功率之热能进行有效吸收及散热。下散热片并设有围绕晶粒与接着区之凹槽使焊锡不会因为溢锡导致产品短路或者造成信赖性问题。封装体则包覆及保护晶粒、上散热片、部份导线架、以及部份下散热片。借由本发明之实施可在瞬间快速吸收并消散热能，提高半导体封装结构之组件可靠度，并增加其可耐受之EMC能量或可承载之操作功率。

公开(公告)号：TWI593067B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW103106596

申请日：2014-02-26

申请人： 林朋科技股份有限公司 ,  ANOVA TECHNOLOGIES CO., LTD.

发明人： 楊惟理 ,  YANG, WEI LI ,  周宗傑 ,  CHOU, TSUNG CHIEH ,  王自強 ,  WANG, TZU CHIANG ,  張倉生 ,  CHANG, TSANG SHENG

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/043 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

公开(公告)号：TWI399828B

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：TW098102079

申请日：2009-01-20

申请人： 林朋科技股份有限公司 ,  ANOVA TECHNOLOGY CO., LTD

发明人： 郭宗裕 ,  KUO, CHUNG YU ,  王自強 ,  WANG, TZU CHIANG ,  張倉生 ,  CHANG, TSANG SHENG ,  沈志桓 ,  SHEN, CHIH HUAN

IPC分类号： H01L21/77

公开(公告)号：TW201029113A

公开(公告)日：2010-08-01

申请号：TW098102079

申请日：2009-01-20

申请人： 林朋科技股份有限公司

发明人： 郭宗裕 ,  王自強 ,  張倉生 ,  沈志桓

IPC分类号： H01L

摘要： 本發明係為一種可改變耐壓之瞬態電壓抑制器製造方法，其包括下列步驟：提供基板；圖案化基板；清洗基板；熱處理基板；以及形成金屬電極。利用改變基板熱處理時的溫度，以形成不同厚度之氧化絕緣層，藉以改變瞬態電壓抑制器之耐壓，如此可有效地減少瞬態電壓抑制器應用於低電壓時之漏電流。而因為熱處理過程中又使用了含氯氣體，所以氧化絕緣層中含有氯分子，因此可藉由氯分子而達到穩定電荷之功效。

简体摘要： 本发明系为一种可改变耐压之瞬态电压抑制器制造方法，其包括下列步骤：提供基板；图案化基板；清洗基板；热处理基板；以及形成金属电极。利用改变基板热处理时的温度，以形成不同厚度之氧化绝缘层，借以改变瞬态电压抑制器之耐压，如此可有效地减少瞬态电压抑制器应用于低电压时之漏电流。而因为热处理过程中又使用了含氯气体，所以氧化绝缘层中含有氯分子，因此可借由氯分子而达到稳定电荷之功效。