公开(公告)号：TWI399828B

公开(公告)日：2013-06-21

申请号：TW098102079

申请日：2009-01-20

申请人： 林朋科技股份有限公司 ,  ANOVA TECHNOLOGY CO., LTD

发明人： 郭宗裕 ,  KUO, CHUNG YU ,  王自強 ,  WANG, TZU CHIANG ,  張倉生 ,  CHANG, TSANG SHENG ,  沈志桓 ,  SHEN, CHIH HUAN

IPC分类号： H01L21/77

公开(公告)号：TWI593067B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW103106596

申请日：2014-02-26

申请人： 林朋科技股份有限公司 ,  ANOVA TECHNOLOGIES CO., LTD.

发明人： 楊惟理 ,  YANG, WEI LI ,  周宗傑 ,  CHOU, TSUNG CHIEH ,  王自強 ,  WANG, TZU CHIANG ,  張倉生 ,  CHANG, TSANG SHENG

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/043 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

公开(公告)号：TW201533864A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW103106596

申请日：2014-02-26

申请人： 林朋科技股份有限公司 ,  ANOVA TECHNOLOGIES CO., LTD.

发明人： 楊惟理 ,  YANG, WEI LI ,  周宗傑 ,  CHOU, TSUNG CHIEH ,  王自強 ,  WANG, TZU CHIANG ,  張倉生 ,  CHANG, TSANG SHENG

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/552

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L23/043 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1715 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 本發明係為一種高信賴性之半導體封裝結構，其包括：下散熱片；晶粒；上散熱片；導線架；以及封裝體。又導線架及上散熱片分別具有相對應的第一彎折部與第二彎折部，且第一彎折部係與第二彎折部電性相密接。上散熱片及下散熱片分別密接晶粒相對應之二表面，對瞬間高功率之熱能進行有效吸收及散熱。下散熱片並設有圍繞晶粒與接著區之凹槽使銲錫不會因為溢錫導致產品短路或者造成信賴性問題。封裝體則包覆及保護晶粒、上散熱片、部份導線架、以及部份下散熱片。藉由本發明之實施可在瞬間快速吸收並消散熱能，提高半導體封裝結構之元件可靠度，並增加其可耐受之EMC能量或可承載之操作功率。

简体摘要： 本发明系为一种高信赖性之半导体封装结构，其包括：下散热片；晶粒；上散热片；导线架；以及封装体。又导线架及上散热片分别具有相对应的第一弯折部与第二弯折部，且第一弯折部系与第二弯折部电性相密接。上散热片及下散热片分别密接晶粒相对应之二表面，对瞬间高功率之热能进行有效吸收及散热。下散热片并设有围绕晶粒与接着区之凹槽使焊锡不会因为溢锡导致产品短路或者造成信赖性问题。封装体则包覆及保护晶粒、上散热片、部份导线架、以及部份下散热片。借由本发明之实施可在瞬间快速吸收并消散热能，提高半导体封装结构之组件可靠度，并增加其可耐受之EMC能量或可承载之操作功率。