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    塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整
    1.
    发明专利
    塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整 审中-公开
    块体以及绝缘层覆硅半导体设备之协整

    公开(公告)号：TW201717325A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105139443

    申请日：2015-11-19

    申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

    发明人： 巴爾斯 彼特 ,  BAARS, PETER ,  摩爾 漢斯 彼特 ,  MOLL, HANS-PETER ,  候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN

    IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

    摘要： 一種形成半導體裝置結構的方法，包括：提供具有絕緣體上半導體(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的基板，該SOI基板包括形成於氧化物埋層(buried oxide layer；BOX層)上的半導體層，該BOX層設於半導體塊體基板上，形成溝槽隔離結構，以在該SOI基板內劃定第一區及第二區，移除該第一區中的該半導體層及該BOX層，以暴露該第一區內的該半導體塊體基板，在該第一區中的被暴露之該半導體塊體基板中及上方形成具有電極的第一半導體裝置，在該第二區中形成第二半導體裝置，該第二半導體裝置包括設於該第二區中的該半導體層及該BOX層上方的閘極結構，以及執行拋光製程，以定義該電極與該閘極結構實質上延伸到的共同高度水平。

    简体摘要： 一种形成半导体设备结构的方法，包括：提供具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的基板，该SOI基板包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体基板上，形成沟槽隔离结构，以在该SOI基板内划定第一区及第二区，移除该第一区中的该半导体层及该BOX层，以暴露该第一区内的该半导体块体基板，在该第一区中的被暴露之该半导体块体基板中及上方形成具有电极的第一半导体设备，在该第二区中形成第二半导体设备，该第二半导体设备包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的闸极结构，以及运行抛光制程，以定义该电极与该闸极结构实质上延伸到的共同高度水平。

    絕緣體上覆矽組態中之電子熔斷器
    2.
    发明专利
    絕緣體上覆矽組態中之電子熔斷器 审中-公开
    绝缘体上覆硅组态中之电子熔断器

    公开(公告)号：TW201709429A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW105108790

    申请日：2016-03-22

    申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

    发明人： 候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN ,  巴爾斯 彼特 ,  BAARS, PETER ,  摩爾 漢斯 彼特 ,  MOLL, HANS-PETER

    IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L23/532 ,  H01L27/12

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

    摘要： 本發明涉及一種形成具有熔絲的半導體裝置的方法，包括：提供絕緣體上半導體(SOI)結構，其中該絕緣體上半導體結構包括絕緣層以及形成於該絕緣層上的半導體層；形成增高半導體區於該半導體層上並鄰近該半導體層的中間部分；執行矽化製程於該半導體層的該中間部分及該增高半導體區，以形成矽化半導體層及矽化增高半導體區。

    简体摘要： 本发明涉及一种形成具有熔丝的半导体设备的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)结构，其中该绝缘体上半导体结构包括绝缘层以及形成于该绝缘层上的半导体层；形成增高半导体区于该半导体层上并邻近该半导体层的中间部分；运行硅化制程于该半导体层的该中间部分及该增高半导体区，以形成硅化半导体层及硅化增高半导体区。

    塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整
    3.
    发明专利
    塊體以及絕緣層覆矽半導體裝置之協整 审中-公开
    块体以及绝缘层覆硅半导体设备之协整

    公开(公告)号：TW201626509A

    公开(公告)日：2016-07-16

    申请号：TW104138217

    申请日：2015-11-19

    申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

    发明人： 巴爾斯 彼特 ,  BAARS, PETER ,  摩爾 漢斯 彼特 ,  MOLL, HANS-PETER ,  候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN

    IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838

    摘要： 一種形成半導體裝置結構的方法，包括：提供具有絕緣體上半導體(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的基板，該SOI基板包括形成於氧化物埋層(buried oxide layer；BOX層)上的半導體層，該BOX層設於半導體塊體基板上，形成溝槽隔離結構，以在該SOI基板內劃定第一區及第二區，移除該第一區中的該半導體層及該BOX層，以暴露該第一區內的該半導體塊體基板，在該第一區中的被暴露之該半導體塊體基板中及上方形成具有電極的第一半導體裝置，在該第二區中形成第二半導體裝置，該第二半導體裝置包括設於該第二區中的該半導體層及該BOX層上方的閘極結構，以及執行拋光製程，以定義該電極與該閘極結構實質上延伸到的共同高度水平。

    简体摘要： 一种形成半导体设备结构的方法，包括：提供具有绝缘体上半导体(semiconductor-on-insulator；SOI)配置的基板，该SOI基板包括形成于氧化物埋层(buried oxide layer；BOX层)上的半导体层，该BOX层设于半导体块体基板上，形成沟槽隔离结构，以在该SOI基板内划定第一区及第二区，移除该第一区中的该半导体层及该BOX层，以暴露该第一区内的该半导体块体基板，在该第一区中的被暴露之该半导体块体基板中及上方形成具有电极的第一半导体设备，在该第二区中形成第二半导体设备，该第二半导体设备包括设于该第二区中的该半导体层及该BOX层上方的闸极结构，以及运行抛光制程，以定义该电极与该闸极结构实质上延伸到的共同高度水平。

    完全空乏型絕緣體覆矽（ＦＤＳＯＩ）電容器
    5.
    发明专利
    完全空乏型絕緣體覆矽（ＦＤＳＯＩ）電容器 审中-公开
    完全空乏型绝缘体覆硅（ＦＤＳＯＩ）电容器

    公开(公告)号：TW201630199A

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：TW104137136

    申请日：2015-11-11

    申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

    发明人： 候尼史奇爾 詹 ,  HOENTSCHEL, JAN ,  巴爾斯 彼特 ,  BAARS, PETER ,  摩爾 漢斯 彼特 ,  MOLL, HANS-PETER

    IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L27/06

    CPC分类号： H01L27/1207 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1085 ,  H01L27/1087 ,  H01L28/60 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94

    摘要： 本發明涉及一種完全空乏型絕緣體覆矽(FDSOI)電容器。本發明提供一種製造包括電容器結構的半導體裝置的方法，包括以下步驟：提供SOI晶圓，該SOI晶圓包括基板、形成於該基板上方的氧化物埋層以及形成於該氧化物埋層上方的半導體層；移除該晶圓的第一區中的該半導體層，以暴露該氧化物埋層；在該第一區中的該暴露氧化物埋層上方形成介電層；以及在該介電層上方形成導電層。另外，本發明提供一種包括形成於晶圓上的電容器的半導體裝置，其中該電容器包括：第一電容器電極，包括該晶圓的摻雜半導體基板；電容器絕緣體，包括該晶圓的超薄氧化物埋層以及形成於該超薄氧化物埋層上的高k介電層；以及第二電容器電極，包括形成於該高k介電層上方的導電層。

    简体摘要： 本发明涉及一种完全空乏型绝缘体覆硅(FDSOI)电容器。本发明提供一种制造包括电容器结构的半导体设备的方法，包括以下步骤：提供SOI晶圆，该SOI晶圆包括基板、形成于该基板上方的氧化物埋层以及形成于该氧化物埋层上方的半导体层；移除该晶圆的第一区中的该半导体层，以暴露该氧化物埋层；在该第一区中的该暴露氧化物埋层上方形成介电层；以及在该介电层上方形成导电层。另外，本发明提供一种包括形成于晶圆上的电容器的半导体设备，其中该电容器包括：第一电容器电极，包括该晶圆的掺杂半导体基板；电容器绝缘体，包括该晶圆的超薄氧化物埋层以及形成于该超薄氧化物埋层上的高k介电层；以及第二电容器电极，包括形成于该高k介电层上方的导电层。

    基於溝槽之充電幫浦裝置
    10.
    发明专利
    基於溝槽之充電幫浦裝置 审中-公开
    基于沟槽之充电帮浦设备

    公开(公告)号：TW201731035A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105138632

    申请日：2016-11-24

    申请人： 格羅方德半導體公司 ,  GLOBALFOUNDRIES US INC.

    发明人： 摩爾 漢斯 彼特 ,  MOLL, HANS-PETER ,  巴爾斯 彼特 ,  BAARS, PETER ,  法爾 朱爾根 ,  FAUL, JUERGEN

    IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

    CPC分类号： H01L27/0222 ,  G05F3/205 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/945

    摘要： 本發明提供一種半導體裝置，包括全耗盡絕緣體上矽(FDSOI)基板及充電幫浦裝置，其中，該FDSOI基板包括半導體塊體基板，且該充電幫浦裝置包括形成於該FDSOI基板中及上的電晶體裝置，以及形成於該半導體塊體基板中並與該電晶體裝置電性連接的溝槽電容器。本發明還提供一種半導體裝置，包括：半導體塊體基板，包括第一源/汲區的第一電晶體裝置，包括第二源/汲區的第二電晶體裝置，包括第一內電容器電極及第一外電容器電極的第一溝槽電容器，以及包括第二內電容器電極及第二外電容器電極的第二溝槽電容器，其中，該第一內電容器電極與該第一源/汲區連接，且該第二內電容器電極與該第二源/汲區連接。

    简体摘要： 本发明提供一种半导体设备，包括全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)基板及充电帮浦设备，其中，该FDSOI基板包括半导体块体基板，且该充电帮浦设备包括形成于该FDSOI基板中及上的晶体管设备，以及形成于该半导体块体基板中并与该晶体管设备电性连接的沟槽电容器。本发明还提供一种半导体设备，包括：半导体块体基板，包括第一源/汲区的第一晶体管设备，包括第二源/汲区的第二晶体管设备，包括第一内电容器电极及第一外电容器电极的第一沟槽电容器，以及包括第二内电容器电极及第二外电容器电极的第二沟槽电容器，其中，该第一内电容器电极与该第一源/汲区连接，且该第二内电容器电极与该第二源/汲区连接。