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公开(公告)号：TW201602413A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104122412
申请日：2015-07-09
发明人： 劉文達 , LIU, WEN DAR , 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 德瑞斯基 科瓦奇 艾格尼斯 , DERECSKEI-KOVACS, AGNES
IPC分类号： C23F11/14 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/50 , C23C22/68 , B08B3/08 , H01L21/67 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC分类号： C11D3/30 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/33 , C11D3/3723 , C11D3/3757 , C11D3/3765 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D11/0047 , C23F11/124 , C23F11/141 , H01L21/02068 , H01L21/6704
摘要： 本發明提供用於銅(Cu)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鈷(Co)及鋁(Al)的金屬腐蝕抑制清潔組合物、方法及系統。該等金屬腐蝕抑制清潔組合物藉由使用二化學藥品的組合-具有多於一胺基的至少一多官能基胺及具有多於一羧酸根的至少一多官能基酸-來提供腐蝕抑制效應。該等金屬腐蝕抑制清潔組合物能有效清潔高密度電漿蝕刻繼而以含氧電漿灰化所衍生的殘餘物；及化學機械拋光(CMP)之後剩下的漿料粒子和殘餘物。
简体摘要： 本发明提供用于铜(Cu)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)及铝(Al)的金属腐蚀抑制清洁组合物、方法及系统。该等金属腐蚀抑制清洁组合物借由使用二化学药品的组合-具有多于一胺基的至少一多官能基胺及具有多于一羧酸根的至少一多官能基酸-来提供腐蚀抑制效应。该等金属腐蚀抑制清洁组合物能有效清洁高密度等离子蚀刻继而以含氧等离子灰化所衍生的残余物；及化学机械抛光(CMP)之后剩下的浆料粒子和残余物。
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公开(公告)号：TWI573867B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104143648
申请日：2015-12-24
发明人： 劉文達 , LIU, WEN DAR , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 陳 天牛 , CHEN, TIANNIU , 加斯特爾 威廉 傑克 , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 沛瑞斯 郡 艾韋拉德 , PARRIS, GENE EVERAD
IPC分类号： C11D7/10 , C11D7/32 , C23F11/04 , H01L21/67 , H01L21/3105
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
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公开(公告)号：TW201641670A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105110101
申请日：2016-03-30
发明人： 加斯特爾 威廉 傑克 JR , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 劉文達 , LIU, WEN DAR , 陳 天牛 , CHEN, TIANNIU
CPC分类号： H01L21/76814 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要： 用於滌除鈦氮化物硬遮罩及移除鈦氮化物蝕刻殘留物的配方包含胺鹽緩衝劑、非環境氧化劑，而且剩下部分為液態載劑，該液態載劑包括水及選自由二甲基碸、乳酸、甘醇及極性非質子溶劑所組成的群組的非水液態載劑，該極性非質子溶劑包括但不限於環丁碸類、亞碸類、腈類、甲醯胺類及吡咯烷酮類。該等配方具有pH
简体摘要： 用于涤除钛氮化物硬遮罩及移除钛氮化物蚀刻残留物的配方包含胺盐缓冲剂、非环境氧化剂，而且剩下部分为液态载剂，该液态载剂包括水及选自由二甲基砜、乳酸、甘醇及极性非质子溶剂所组成的群组的非水液态载剂，该极性非质子溶剂包括但不限于环丁砜类、亚砜类、腈类、甲酰胺类及吡咯烷酮类。该等配方具有pH<4，较佳地<3，更佳地<2.5。用水充当液态载剂的水性配方及具有水和非极性非质子溶剂的半水性配方另外含有酸性氟化物。该等配方提供高钛氮化物蚀刻速率同时提供对W、AlN、AlO及低-k介电材料的优良兼容性。该等配方可包含弱配位阴离子、腐蚀抑制剂及表面活性剂。有多数系统及制程使用该等配方来涤除钛氮化物硬遮罩并且移除钛氮化物蚀刻残留物。
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公开(公告)号：TWI420262B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW098107196
申请日：2009-03-05
发明人： 劉文達 , LIU, WEN DAR , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 廖明吉 , LIAO, ARCHIE , 雷 馬乎卡 巴斯卡拉 , RAO, MADHUKAR BHASKARA , 愛格比 馬修 I , EGBE, MATTHEW I. , 許志民 , SHEU, CHIMIN , 雷詹札 麥克 瓦特 , LEGENZA, MICHAEL WALTER
IPC分类号： G03F7/42
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公开(公告)号：TWI542665B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW104123465
申请日：2015-07-20
发明人： 加斯特爾 威廉 傑克 , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 劉文達 , LIU, WEN DAR , 陳 天牛 , CHEN, TIANNIU
IPC分类号： C09K13/00 , C11D7/04 , C11D7/32 , C11D7/50 , C23F11/04 , C11D11/00 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/42
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
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公开(公告)号：TW201600585A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104123465
申请日：2015-07-20
发明人： 加斯特爾 威廉 傑克 , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 劉文達 , LIU, WEN DAR , 陳 天牛 , CHEN, TIANNIU
IPC分类号： C09K13/00 , C11D7/04 , C11D7/32 , C11D7/50 , C23F11/04 , C11D11/00 , H01L21/311 , H01L21/3105 , G03F7/42
CPC分类号： C09K13/08 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要： 用於滌除氮化鈦(TiN或TiNxOy；x=0至1.3且y=0至2)硬遮罩並且移除蝕刻殘留物的配方係低pH(
简体摘要： 用于涤除氮化钛(TiN或TiNxOy；x=0至1.3且y=0至2)硬遮罩并且移除蚀刻残留物的配方系低pH(<4)，其包含有负电荷高度分散于整个结构中的弱配位的阴离子、胺盐缓冲剂、非氧化性微量金属离子、非环境微量氧化剂(non-ambient trace oxidizer)，而且剩下部分系选自由水、环丁砜(sulfolane)、二甲基亚砜、乳酸、二元醇和其混合物所组成的群组之溶剂。该等配方不含过氧化氢，而且系暴露于空气。该等配方中可添加二氟化物、腐蚀抑制剂、表面活性剂。有许多系统及方法使用供涤除氮化钛硬遮罩并且移除氮化钛蚀刻残留物用的配方。
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公开(公告)号：TWI454573B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW101108365
申请日：2012-03-12
发明人： 吳愛萍 , WU, AIPING , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 劉文達 , LIU, WEN DAR , 雷 馬乎卡 巴斯卡拉 , RAO, MADHUKAR BHASKARA , 邦納吉 高坦 , BANERJEE, GAUTAM
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/044 , C11D3/2034 , C11D3/2058 , C11D3/2086 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/5004 , C23G1/22
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公开(公告)号：TWI433930B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW099128531
申请日：2010-08-25
发明人： 雷 馬乎卡 巴斯卡拉 , RAO, MADHUKAR BHASKARA , 邦納吉 高坦 , BANERJEE, GAUTAM , 溫德 湯瑪士 麥克 , WIEDER, THOMAS MICHAEL , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 劉文達 , LIU, WEN DAR , 吳愛萍 , WU, AIPING
IPC分类号： C11D7/32 , C23F11/10 , C11D7/50 , G03F7/42 , H01L21/306
CPC分类号： G03F7/426 , C11D3/0073 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , C23G1/22 , G03F7/425
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公开(公告)号：TWI563077B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW102137823
申请日：2013-10-18
发明人： 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 雷 馬乎卡 巴斯卡拉 , RAO, MADHUKAR BHASKARA , 邦納吉 高坦 , BANERJEE, GAUTAM , 劉文達 , LIU, WEN DAR , 吳愛萍 , WU, AIPING , 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/32 , C11D7/26 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D7/5013 , C11D7/5022 , G03F7/425 , G03F7/426
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公开(公告)号：TW201634756A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105110403
申请日：2016-03-31
发明人： 稻岡誠二 , INAOKA, SEIJI , 加斯特爾 威廉 傑克 JR , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 劉文達 , LIU, WEN DAR
IPC分类号： C23G1/20 , H01L21/306
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3263 , C11D7/5022 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02074 , H01L21/31133
摘要： 本發明描述一種從圖案化微電子裝置移除含銅的蝕刻後及/或灰化後殘留物的組合物及方法。該移除組合物包括水、氟離子來源、烷醇胺、硫酸及有機酸。該等組合物從該微電子裝置有效地移除該含銅和鈷的蝕刻後殘留物而不會損害露出的低-k介電及金屬互連件材料。
简体摘要： 本发明描述一种从图案化微电子设备移除含铜的蚀刻后及/或灰化后残留物的组合物及方法。该移除组合物包括水、氟离子来源、烷醇胺、硫酸及有机酸。该等组合物从该微电子设备有效地移除该含铜和钴的蚀刻后残留物而不会损害露出的低-k介电及金属互连件材料。
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