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公开(公告)号：TW201322514A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101129989
申请日：2012-08-17
发明人： 松平將治 , MATSUDAIRA, MASAHARU , 寺井真之 , TERAI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/10894 , H01L27/2436 , H01L28/91 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
摘要： 本發明的目的在於，在混合搭載DRAM與ReRAM的情況當中，維持電容元件以及電阻變化元件的性能，並且降低製造成本。為達成上述之目的，本發明提供一種半導體記憶裝置，其包含電阻變化元件1與電容元件101。電阻變化元件1，包含第1深度D1的缸體型的MIM構造，其用於電阻變化型記憶體。電容元件101，包含較第1深度D1更深的第2深度D2的缸體型的MIM構造，其用於DRAM。
简体摘要： 本发明的目的在于，在混合搭载DRAM与ReRAM的情况当中，维持电容组件以及电阻变化组件的性能，并且降低制造成本。为达成上述之目的，本发明提供一种半导体记忆设备，其包含电阻变化组件1与电容组件101。电阻变化组件1，包含第1深度D1的缸体型的MIM构造，其用于电阻变化型内存。电容组件101，包含较第1深度D1更深的第2深度D2的缸体型的MIM构造，其用于DRAM。
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公开(公告)号：TW201736836A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106108821
申请日：2017-03-17
发明人： 松平將治 , MATSUDAIRA, MASAHARU , 長谷卓 , HASE, TAKASHI , 田邊昭 , TANABE, AKIRA , 上嶋和也 , UEJIMA, KAZUYA
IPC分类号： G01N27/00
CPC分类号： A61B5/7285 , A61B5/0002 , A61B5/002 , A61B5/01 , A61B5/021 , A61B5/1118 , A61B5/742 , A61B2560/0209 , A61B2560/0242 , A61B2560/0252 , A61B2560/0431 , A61B2560/0475 , A61B2562/029
摘要： 本發明之課題係按可對測定對象造成影響之外部指標的變化，適當地設定用以測定測定對象之感測器的測定條件。 感測器系統包含有第1及第2感測器、判定部、測定條件記憶部、及控制部；該判定部用以於第1感測器之測定結果滿足預先訂定之條件時，輸出檢測信號；該測定條件記憶部用以儲存第2感測器之測定條件；該控制部用以於接收檢測信號時，除了根據測定條件之測定外，另外還執行第2感測器之測定，並依據該測定之測定結果，更新儲存於測定條件記憶部之第2感測器的測定條件。
简体摘要： 本发明之课题系按可对测定对象造成影响之外部指针的变化，适当地设置用以测定测定对象之传感器的测定条件。 传感器系统包含有第1及第2传感器、判定部、测定条件记忆部、及控制部；该判定部用以于第1传感器之测定结果满足预先订定之条件时，输出检测信号；该测定条件记忆部用以存储第2传感器之测定条件；该控制部用以于接收检测信号时，除了根据测定条件之测定外，另外还运行第2传感器之测定，并依据该测定之测定结果，更新存储于测定条件记忆部之第2传感器的测定条件。
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公开(公告)号：TWI543418B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW101129989
申请日：2012-08-17
发明人： 松平將治 , MATSUDAIRA, MASAHARU , 寺井真之 , TERAI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/10852 , H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/10894 , H01L27/2436 , H01L28/91 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
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