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    磁控濺鍍用靶及其製造方法
    3.
    发明专利
    磁控濺鍍用靶及其製造方法 审中-公开
    磁控溅镀用靶及其制造方法

    公开(公告)号：TW201435122A

    公开(公告)日：2014-09-16

    申请号：TW102135838

    申请日：2013-10-03

    申请人： 田中貴金屬工業股份有限公司 ,  TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.

    发明人： 後藤康之 ,  GOTO, YASUYUKI ,  渡邉恭伸 ,  WATANABE, YASUNOBU ,  小林優輔 ,  KOBAYASHI, YUSUKE

    IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C22C19/07

    CPC分类号： C23C14/3414 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15 ,  B22F5/00 ,  C22C1/0433 ,  C22C1/05 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22C32/001 ,  C23C14/35 ,  G11B5/851 ,  H01J37/3429

    摘要： 本發明之課題為提供一種磁控濺鍍用靶，其係在不使靶中所含之Co之含有量減少下，使磁控濺鍍時之漏洩磁束量仍維持於高，此外進而亦不易引起團塊(nodule)或微粒等不良情況之產生，以及提供本發明之磁控濺鍍用靶之製造方法。解決課題之手段為具備有非磁性金屬相與磁性金屬相(12)，非磁性金屬相：含有金屬Co及金屬Cr且殘餘部分為不可避免的雜質，相對於該金屬Co與該金屬Cr之合計之該金屬Cr之原子數比為25at%以上且未滿100at%；磁性金屬相(12)：含有金屬Co；相對於前述非磁性金屬相之前述氧化物之體積比為大於0且1.2以下，前述非磁性金屬相與前述氧化物為相互分散，且不存在有長徑為5μm以上的凝聚氧化物。

    简体摘要： 本发明之课题为提供一种磁控溅镀用靶，其系在不使靶中所含之Co之含有量减少下，使磁控溅镀时之漏泄磁束量仍维持于高，此外进而亦不易引起团块(nodule)或微粒等不良情况之产生，以及提供本发明之磁控溅镀用靶之制造方法。解决课题之手段为具备有非磁性金属相与磁性金属相(12)，非磁性金属相：含有金属Co及金属Cr且残余部分为不可避免的杂质，相对于该金属Co与该金属Cr之合计之该金属Cr之原子数比为25at%以上且未满100at%；磁性金属相(12)：含有金属Co；相对于前述非磁性金属相之前述氧化物之体积比为大于0且1.2以下，前述非磁性金属相与前述氧化物为相互分散，且不存在有长径为5μm以上的凝聚氧化物。