公开(公告)号：TWI585213B

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：TW104113527

申请日：2015-04-28

申请人： 田中貴金屬工業股份有限公司 ,  TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K. ,  國立大學法人東北大學 ,  TOHOKU UNIVERSITY

发明人： 譚 金光 ,  THAM, KIM KONG ,  山本俊哉 ,  YAMAMOTO, TOSHIYA ,  齊藤伸 ,  SAITO, SHIN ,  日向慎太朗 ,  HINATA, SHINTARO ,  高橋研 ,  TAKAHASHI, MIGAKU

IPC分类号： C22C19/07 ,  C22C5/04 ,  C22C29/12 ,  C23C14/34 ,  C22C1/10 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  H01F10/10

CPC分类号： H01J37/3429 ,  B22F3/14 ,  B22F9/04 ,  B22F9/082 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/25 ,  B22F2302/25 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  C04B35/00 ,  C22C1/0466 ,  C22C1/05 ,  C22C1/1084 ,  C22C5/04 ,  C22C19/07 ,  C22F1/10 ,  C22F1/14 ,  C23C14/0688 ,  C23C14/083 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/5806 ,  C22C2202/02

公开(公告)号：TW201605735A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104124818

申请日：2015-07-31

申请人： 東曹股份有限公司 ,  TOSOH CORPORATION

发明人： 尾身健治 ,  OMI, KENJI ,  伊藤謙一 ,  ITOH, KENICHI ,  内海健太郎 ,  UTSUMI, KENTAROU

IPC分类号： C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C04B35/64

CPC分类号： C23C14/086 ,  C04B35/44 ,  C04B35/453 ,  C04B35/462 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/023 ,  H01B1/08 ,  H01B5/14

摘要： 本發明的目的為提供一種於高功率成膜時，異常放電現象亦少且無靶材破裂的濺鍍靶材中所使用的氧化物燒結體。本發明的氧化物燒結體為具有鋅、鋁、鈦及氧作為構成元素的氧化物燒結體，且其特徵在於：於將鋅、鋁、鈦的含量分別設為Zn、Al、Ti時，構成該燒結體的元素的原子比為   Al/（Zn+Al+Ti）=0.035～0.050 Ti/（Zn+Al+Ti）=0.05～0.20   且該燒結體中的將Zn2 TiO4 結晶相作為母相的晶粒的平均粒徑為5 μm以下。

简体摘要： 本发明的目的为提供一种于高功率成膜时，异常放电现象亦少且无靶材破裂的溅镀靶材中所使用的氧化物烧结体。本发明的氧化物烧结体为具有锌、铝、钛及氧作为构成元素的氧化物烧结体，且其特征在于：于将锌、铝、钛的含量分别设为Zn、Al、Ti时，构成该烧结体的元素的原子比为   Al/（Zn+Al+Ti）=0.035～0.050 Ti/（Zn+Al+Ti）=0.05～0.20   且该烧结体中的将Zn2 TiO4 结晶相作为母相的晶粒的平均粒径为5 μm以下。

公开(公告)号：TW201544832A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104109616

申请日：2015-03-25

申请人： 奧特路(漳州)光學科技有限公司

发明人： 吳曉彤

IPC分类号： G02B1/10 ,  G02B5/20

CPC分类号： G02C7/104 ,  C23C14/021 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/30 ,  C23C14/584 ,  C23C14/5886 ,  G02B1/12 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  G02C7/10

摘要： 本發明公開一種防藍光光學鏡片的製造方法，製造方法是在高分子樹脂材料成型的基片外表面和內表面分別蒸鍍膜系形成防藍光光學鏡片，製造方法具體包括以下步驟：1)對基片進行清洗；2)基片清洗後的乾燥；3)基片鍍膜前在真空蒸鍍機的真空艙內的再次清洗；4)基片的鍍膜：基片的鍍膜包括在基片的外表面鍍膜系和在基片的內表面鍍膜系。本發明製造出來的防藍光光學鏡片具有防止有害藍光和紫外線對人體的傷害，該防藍光光學鏡片同時還具有防油污和自主光學調控的功能。

简体摘要： 本发明公开一种防蓝光光学镜片的制造方法，制造方法是在高分子树脂材料成型的基片外表面和内表面分别蒸镀膜系形成防蓝光光学镜片，制造方法具体包括以下步骤：1)对基片进行清洗；2)基片清洗后的干燥；3)基片镀膜前在真空蒸镀机的真空舱内的再次清洗；4)基片的镀膜：基片的镀膜包括在基片的外表面镀膜系和在基片的内表面镀膜系。本发明制造出来的防蓝光光学镜片具有防止有害蓝光和紫外线对人体的伤害，该防蓝光光学镜片同时还具有防油污和自主光学调控的功能。

公开(公告)号：TWI496908B

公开(公告)日：2015-08-21

申请号：TW099103415

申请日：2010-02-05

申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

发明人： 高見英生 ,  TAKAMI, HIDEO ,  矢作政隆 ,  YAHAGI, MASATAKA

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： G11B7/2545 ,  C04B35/46 ,  C23C14/083 ,  C23C14/3414

公开(公告)号：TWI496195B

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：TW094137315

申请日：2005-10-25

申请人： 河東田隆 ,  KATODA, TAKASHI

发明人： 河東田隆 ,  KATODA, TAKASHI

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C8/10 ,  C23C14/083 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631

公开(公告)号：TW201522712A

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：TW103140393

申请日：2014-11-21

申请人： 安堤格里斯公司 ,  ENTEGRIS, INC.

发明人： 沃得法萊德 卡羅 ,  WALDFRIED, CARLO

IPC分类号： C23C4/10 ,  C23C14/08 ,  C23C16/44 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32495 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/083 ,  C23C14/35

摘要： 本文揭露用於電漿構件的表面塗層，其在侵略性(例如，氟系的)電漿環境下對化學與電漿物理攻擊具有耐用的優點。相較於其他已知的表面處理，該塗層亦提供對於活性氧、氮、氟、及氫物種而言為低的電漿表面再結合速率。該塗層可施用至任何不需蝕刻或電漿清潔的電漿系統構件，包括但不限於如石英、鋁、或陽極化鋁等材料。此外，藉由將一非反應性塗層施用至系統構件而由此增加流至系統的電漿腔室之激發的電漿物種以增進該系統的效率。

简体摘要： 本文揭露用于等离子构件的表面涂层，其在侵略性(例如，氟系的)等离子环境下对化学与等离子物理攻击具有耐用的优点。相较于其他已知的表面处理，该涂层亦提供对于活性氧、氮、氟、及氢物种而言为低的等离子表面再结合速率。该涂层可施用至任何不需蚀刻或等离子清洁的等离子系统构件，包括但不限于如石英、铝、或阳极化铝等材料。此外，借由将一非反应性涂层施用至系统构件而由此增加流至系统的等离子腔室之激发的等离子物种以增进该系统的效率。

公开(公告)号：TW201504044A

公开(公告)日：2015-02-01

申请号：TW103121416

申请日：2014-06-20

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 孫語南 ,  SUN, JENNIFER Y. ,  卡農哥比拉賈P ,  KANUNGO, BIRAJA P. ,  菲路茲朵爾維希德 ,  FIROUZDOR, VAHID ,  邱湯姆 ,  CHO, TOM

IPC分类号： B32B18/00 ,  H01L21/3065 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C14/08 ,  B32B18/00 ,  C23C14/083 ,  C23C14/22 ,  C23C14/228 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32495 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

摘要： 物件包含主體和至少一保護層，保護層位於主體的至少一表面上。至少一保護層係厚度小於約20微米的薄膜，且包含選自由Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12和陶瓷化合物所組成群組的陶瓷，陶瓷化合物包含Y4Al2O9與Y2O3-ZrO2固體溶液。

简体摘要： 对象包含主体和至少一保护层，保护层位于主体的至少一表面上。至少一保护层系厚度小于约20微米的薄膜，且包含选自由Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12和陶瓷化合物所组成群组的陶瓷，陶瓷化合物包含Y4Al2O9与Y2O3-ZrO2固体溶液。

公开(公告)号：TW201410905A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW102127769

申请日：2013-08-02

申请人： 愛發科股份有限公司 ,  ULVAC, INC.

发明人： 福田夏樹 ,  FUKUDA, NATSUKI ,  福壽和紀 ,  FUKUJU, KAZUNORI ,  西岡浩 ,  NISHIOKA, YUTAKA ,  鄒弘綱 ,  SUU, KOUKOU

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/0063 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/083 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411 ,  H01J2237/006

摘要： 本發明提供一種可在基板面內均勻地形成具有所期望之膜特性的金屬化合物層的成膜方法及成膜裝置。本發明一實施形態的成膜方法，係包含將具有形成在筒狀間隔壁(20)之內部的成膜室(101)、及形成在間隔壁(20)之外部的排氣室(102)之真空室(10)的內部經由連接於排氣室(102)的排氣管線(50)實施排氣之步驟。使包含反應性氣體之製程氣體導入排氣室(102)，在成膜室(101)維持於比排氣室(102)還低壓的狀態下，經由形成在間隔壁(20)與真空室(10)間的氣體流路(80)將製程氣體供給至成膜室(101)。

简体摘要： 本发明提供一种可在基板面内均匀地形成具有所期望之膜特性的金属化合物层的成膜方法及成膜设备。本发明一实施形态的成膜方法，系包含将具有形成在筒状间隔壁(20)之内部的成膜室(101)、及形成在间隔壁(20)之外部的排气室(102)之真空室(10)的内部经由连接于排气室(102)的排气管线(50)实施排气之步骤。使包含反应性气体之制程气体导入排气室(102)，在成膜室(101)维持于比排气室(102)还低压的状态下，经由形成在间隔壁(20)与真空室(10)间的气体流路(80)将制程气体供给至成膜室(101)。

公开(公告)号：TW201409163A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102117210

申请日：2013-05-15

申请人： 信越化學工業股份有限公司 ,  SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

发明人： 吉川博樹 ,  YOSHIKAWA, HIROKI ,  深谷創一 ,  FUKAYA, SOUICHI ,  稲月判臣 ,  INAZUKI, YUKIO ,  中川秀夫 ,  NAKAGAWA, HIDEO

IPC分类号： G03F1/62

CPC分类号： C23C14/0641 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  G03F1/00 ,  G03F1/46 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429

摘要： [課題]提供光學濃度等特性的離散度很小且係低缺陷高品質的機能性膜，且係具有高蝕刻速度的機能性膜之製造技術。[解決手段]在相關於本發明的光罩基板之製造方法，於製造在透明基板上至少具備1層機能性膜的光罩基板時，使機能性膜由含有鉻元素，以及與鉻的混合系統成為液相的溫度為400℃以下之金屬元素之鉻系材料所構成，於形成此機能性膜的步驟，同時濺鍍(共濺鍍：Co-Sputtering)鉻靶(靶材A)，以及以至少1種以上的前述金屬元素為主成分之靶(靶材B)。又，除了前述靶材A及靶材B分別使用1個的態樣以外，亦可以是某一方的靶使用複數個的態樣，或是雙方之靶都使用複數個的態樣。

简体摘要： [课题]提供光学浓度等特性的离散度很小且系低缺陷高品质的机能性膜，且系具有高蚀刻速度的机能性膜之制造技术。[解决手段]在相关于本发明的光罩基板之制造方法，于制造在透明基板上至少具备1层机能性膜的光罩基板时，使机能性膜由含有铬元素，以及与铬的混合系统成为液相的温度为400℃以下之金属元素之铬系材料所构成，于形成此机能性膜的步骤，同时溅镀(共溅镀：Co-Sputtering)铬靶(靶材A)，以及以至少1种以上的前述金属元素为主成分之靶(靶材B)。又，除了前述靶材A及靶材B分别使用1个的态样以外，亦可以是某一方的靶使用复数个的态样，或是双方之靶都使用复数个的态样。

公开(公告)号：TW201327680A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101132433

申请日：2012-09-06

申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

发明人： 秋山浩二 ,  AKIYAMA, KOJI ,  東島裕和 ,  HIGASHIJIMA, HIROKAZU ,  田村知大 ,  TAMURA, CHIHIRO ,  青山真太郎 ,  AOYAMA, SHINTARO

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02318 ,  C23C14/083 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/405 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其包含以下工序：第1成膜工序，係於被處理體上成膜第1高介電率絕緣膜；結晶化熱處理工序，係在650℃以上且未達60秒之間熱處理該第1高介電率絕緣膜；以及第2成膜工序，係於該第1高介電率絕緣膜上成膜第2高介電率絕緣膜，該第2高介電率絕緣膜係具有離子半徑小於該第1高介電率絕緣膜之金屬元素的離子半徑之金屬元素，且比介電率係大於該第1高介電率絕緣膜。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备之制造方法，其包含以下工序：第1成膜工序，系于被处理体上成膜第1高介电率绝缘膜；结晶化热处理工序，系在650℃以上且未达60秒之间热处理该第1高介电率绝缘膜；以及第2成膜工序，系于该第1高介电率绝缘膜上成膜第2高介电率绝缘膜，该第2高介电率绝缘膜系具有离子半径小于该第1高介电率绝缘膜之金属元素的离子半径之金属元素，且比介电率系大于该第1高介电率绝缘膜。