公开(公告)号：TWI594457B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW102109746

申请日：2013-03-19

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 辛 羅傑溫德 ,  SINGH, RAJWINDER ,  艾波勒 約翰 愛德華 ,  EPLER, JOHN EDWARD

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI553745B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW101131072

申请日：2012-08-27

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 倍森 葛羅葛瑞 ,  BASIN, GRIGORIY ,  艾波勒 約翰 愛德華 ,  EPLER, JOHN EDWARD ,  馬丁 保羅 史考特 ,  MARTIN, PAUL SCOTT

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201349574A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102109746

申请日：2013-03-19

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 辛 羅傑溫德 ,  SINGH, RAJWINDER ,  艾波勒 約翰 愛德華 ,  EPLER, JOHN EDWARD

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種根據本發明之實施例之方法包含在包含矽之一基板上成長一半導體結構。該半導體基板包含：一含鋁層，其與該基板直接接觸；及一III氮化物發光層，其安置於一n型區域與一p型區域之間。該方法進一步包含：移除該基板。在移除該基板之後，與該含鋁層直接接觸地形成一透明材料。紋理化該透明材料。

Abstract in simplified Chinese: 一种根据本发明之实施例之方法包含在包含硅之一基板上成长一半导体结构。该半导体基板包含：一含铝层，其与该基板直接接触；及一III氮化物发光层，其安置于一n型区域与一p型区域之间。该方法进一步包含：移除该基板。在移除该基板之后，与该含铝层直接接触地形成一透明材料。纹理化该透明材料。

公开(公告)号：TWI611596B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW101141427

申请日：2012-11-07

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 艾波勒 約翰 愛德華 ,  EPLER, JOHN EDWARD

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/145 ,  H01L33/18 ,  H01L33/38

公开(公告)号：TW201327906A

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW101141427

申请日：2012-11-07

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 艾波勒 約翰 愛德華 ,  EPLER, JOHN EDWARD

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/145 ,  H01L33/18 ,  H01L33/38

Abstract: 藉由在與護板相鄰之區域中刻意地抑制電流通過一半導體裝置之p層來修改跨p層之電流分佈，而不減小該裝置之任何部分之光學反射率。可藉由增加沿接觸區域之邊緣及在接觸區域之隅角中耦合至p接觸件之p層之電阻而抑制此電流。在一例示性實施例中，在產生p接觸件之後藉由淺劑量的氫離子(H+)植入物產生高電阻區域。類似地，可在該p接觸件與該p層之間之選擇區域中塗覆一電阻性塗層。

Abstract in simplified Chinese: 借由在与护板相邻之区域中刻意地抑制电流通过一半导体设备之p层来修改跨p层之电流分布，而不减小该设备之任何部分之光学反射率。可借由增加沿接触区域之边缘及在接触区域之隅角中耦合至p接触件之p层之电阻而抑制此电流。在一例示性实施例中，在产生p接触件之后借由浅剂量的氢离子(H+)植入物产生高电阻区域。类似地，可在该p接触件与该p层之间之选择区域中涂覆一电阻性涂层。

公开(公告)号：TW201318079A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW101131072

申请日：2012-08-27

Applicant: 皇家飛利浦電子股份有限公司 ,  KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.

Inventor： 倍森 葛羅葛瑞 ,  BASIN, GRIGORIY ,  艾波勒 約翰 愛德華 ,  EPLER, JOHN EDWARD ,  馬丁 保羅 史考特 ,  MARTIN, PAUL SCOTT

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83209 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種根據本發明之實施例之方法包括將一可撓性膜定位於半導體發光裝置之一晶圓上方，每一半導體發光裝置包括一半導體結構，該半導體結構包括包夾於一n型區域與一p型區域之間的一發光層。經由該可撓性膜而將半導體發光裝置之該晶圓接合至一基板。在接合之後，該可撓性膜直接接觸該等半導體結構。該方法進一步包括在將該晶圓接合至該基板之後劃分該晶圓。

Abstract in simplified Chinese: 一种根据本发明之实施例之方法包括将一可挠性膜定位于半导体发光设备之一晶圆上方，每一半导体发光设备包括一半导体结构，该半导体结构包括包夹于一n型区域与一p型区域之间的一发光层。经由该可挠性膜而将半导体发光设备之该晶圆接合至一基板。在接合之后，该可挠性膜直接接触该等半导体结构。该方法进一步包括在将该晶圆接合至该基板之后划分该晶圆。