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公开(公告)号：TW201742189A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106117418
申请日：2017-05-25
发明人： 阮 璧顏 , NGUYEN, BICH-YEN , 伊卡諾 魯多維克 , ECARNOT, LUDOVIC , 班穆罕默德 那地雅 , BEN MOHAMED, NADIA , 馬勒維 克里斯多夫 , MALEVILLE, CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/48 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/4857 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/7624 , H01L23/3121 , H01L24/02 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/05548 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/1148 , H01L2224/11849 , H01L2224/13024 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/29024 , H01L2224/32145 , H01L2224/80006 , H01L2224/80894 , H01L2224/81005 , H01L2224/81193 , H01L2224/83005 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2924/19107 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2224/02 , H01L2224/0231 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2224/11 , H01L23/562 , H01L21/78 , H01L2224/27
摘要： 本發明涉及一種用於製作一半導體結構之方法，其包括：在選定條件下將氫種及氦種引入一暫時支撐件(1)，以在該暫時支撐件(1)中一預定深度處形成一弱化平面(2)，並定義出一表面層(3)及該暫時支撐件(1)之一剩餘部分(4)；在該暫時支撐件(1)上形成一互連層(5)；將至少一半導體晶片(6)安置在該互連層(5)上；將一加強件(8)組裝在該至少一半導體晶片(6)之背面；及對該暫時支撐件(1)提供熱能以分離該剩餘部分(4)並提供所述半導體結構。
简体摘要： 本发明涉及一种用于制作一半导体结构之方法，其包括：在选定条件下将氢种及氦种引入一暂时支撑件(1)，以在该暂时支撑件(1)中一预定深度处形成一弱化平面(2)，并定义出一表面层(3)及该暂时支撑件(1)之一剩余部分(4)；在该暂时支撑件(1)上形成一互连层(5)；将至少一半导体芯片(6)安置在该互连层(5)上；将一加强件(8)组装在该至少一半导体芯片(6)之背面；及对该暂时支撑件(1)提供热能以分离该剩余部分(4)并提供所述半导体结构。
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公开(公告)号：TWI597787B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW104138454
申请日：2015-11-20
发明人： 劉育志 , LIU, YU CHIH , 張建國 , CHANG, CHIEN KUO , 游濟陽 , YU, CHI YANG , 盧景睿 , LU, JING RUEI , 林志豪 , LIN, CHIH HAO
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/37013 , H01L2224/37147 , H01L2224/37655 , H01L2224/40225 , H01L2224/40499 , H01L2224/73253 , H01L2224/73255 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8393 , H01L2224/8493 , H01L2224/84931 , H01L2224/84947 , H01L2224/92 , H01L2224/92222 , H01L2224/92225 , H01L2224/92226 , H01L2924/15151 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/27 , H01L2224/83
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公开(公告)号：TW201730992A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105134420
申请日：2016-10-25
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 李 艾利克 , LI, ERIC , 高斯林 提摩西 , GOSSELIN, TIMOTHY , 富田佳宏 , TOMITA, YOSHIHIRO , 里夫 蕭娜 , LIFF, SHAWNA , 艾登 安蘭 , EITAN, AMRAM , 薩塔斯 馬克 , SALTAS, MARK
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/48 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/5381 , H01L23/5385 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L24/96 , H01L25/0655 , H01L2224/11002 , H01L2224/1182 , H01L2224/131 , H01L2224/14134 , H01L2224/14177 , H01L2224/16148 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/1701 , H01L2224/1703 , H01L2224/27002 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/83005 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2224/95 , H01L2224/95001 , H01L2224/96 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/14131 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/27
摘要： 一種微電子結構包括：微電子基板，該微電子基板具有第一表面及自該微電子基板第一表面延伸至該基板中之空腔；第一微電子裝置及第二微電子裝置，該等裝置附接至該微電子基板第一表面；以及微電子橋，該微電子橋設置於該微電子基板空腔內且附接至該第一微電子裝置及該第二微電子裝置。在一個實施例中，該微電子裝置可包括：重構晶圓，該重構晶圓由該第一微電子裝置及該第二微電子裝置形成。在另一實施例中，助熔劑材料可在該第一微電子裝置與該微電子橋之間及在該第二微電子裝置與該微電子橋之間延伸。
简体摘要： 一种微电子结构包括：微电子基板，该微电子基板具有第一表面及自该微电子基板第一表面延伸至该基板中之空腔；第一微电子设备及第二微电子设备，该等设备附接至该微电子基板第一表面；以及微电子桥，该微电子桥设置于该微电子基板空腔内且附接至该第一微电子设备及该第二微电子设备。在一个实施例中，该微电子设备可包括：重构晶圆，该重构晶圆由该第一微电子设备及该第二微电子设备形成。在另一实施例中，助熔剂材料可在该第一微电子设备与该微电子桥之间及在该第二微电子设备与该微电子桥之间延伸。
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公开(公告)号：TWI592455B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW102109174
申请日：2013-03-15
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 土山佐也香 , TSUCHIYAMA, SAYAKA , 市川功 , ICHIKAWA, ISAO
IPC分类号： C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09J133/00 , B32B17/10697 , B32B17/10733 , B32B17/10743 , C09J133/066 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J163/00 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/2949 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/83 , H01L2224/83048 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , H01L2224/27 , H01L2924/0635 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI591140B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW103118540
申请日：2014-05-28
申请人： 琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 土山佐也香 , TSUCHIYAMA, SAYAKA , 佐伯尙哉 , SAIKI, NAOYA , 吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO , 鈴木英明 , SUZUKI, HIDEAKI
IPC分类号： C09J133/04 , C09J163/00 , C09J4/00 , C09J7/00 , H01L21/683
CPC分类号： H01L24/29 , C08J3/242 , C08J2333/12 , C08K3/36 , C08K9/04 , C08L33/066 , C08L63/00 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/066 , C09J133/10 , C09J163/00 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/0635 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号：TWI578452B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW102119463
申请日：2013-05-31
申请人： 奇異電器公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/6836 , H01L23/49822 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/2101 , H01L2224/221 , H01L2224/27003 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/2741 , H01L2224/27416 , H01L2224/27418 , H01L2224/27422 , H01L2224/27436 , H01L2224/2781 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/3511 , H05K3/305 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L21/78 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201705400A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106201
申请日：2016-03-01
申请人： 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人： 翟 軍 , ZHAI, JUN , 胡坤忠 , HU, KUNZHONG , 賴 冠宇 , LAI, KWAN-YU , 龐 孟枝 , PANG, MENGZHI , 仲崇華 , ZHONG, CHONGHUA , 梁世暎 , YANG, SE YOUNG
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/538
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/08167 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/81193 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06524 , H01L2225/06572 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1461 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2224/27 , H01L2924/014
摘要： 本發明描述封裝及形成方法。在一實施例中，一種系統級封裝(SiP)包括第一及第二重佈層(RDL)，以及附接至該第一RDL之前側及背側之複數個晶粒。該等第一及第二RDL與自該第一RDL之該背側延伸至該第二RDL之一前側的複數個導電柱耦接在一起。
简体摘要： 本发明描述封装及形成方法。在一实施例中，一种系统级封装(SiP)包括第一及第二重布层(RDL)，以及附接至该第一RDL之前侧及背侧之复数个晶粒。该等第一及第二RDL与自该第一RDL之该背侧延伸至该第二RDL之一前侧的复数个导电柱耦接在一起。
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公开(公告)号：TW201640636A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104135984
申请日：2015-11-02
发明人： 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/14 , H01L21/568 , H01L22/32 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49833 , H01L23/5226 , H01L23/5389 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/214 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/37001 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
摘要： 封裝包含裝置晶粒，其包含在裝置晶粒之頂部表面的金屬柱，以及在金屬柱之側壁上的焊料區。塑封材料係包圍裝置晶粒，其中塑封材料的頂部表面係與裝置晶粒的頂部表面實質齊平。介電層係與塑封材料與裝置晶粒重疊，介電層的底表面係接觸裝置晶粒的頂部表面與塑封材料的頂部表面。重佈線係延伸至介電層中，以電耦合至金屬柱。
简体摘要： 封装包含设备晶粒，其包含在设备晶粒之顶部表面的金属柱，以及在金属柱之侧壁上的焊料区。塑封材料系包围设备晶粒，其中塑封材料的顶部表面系与设备晶粒的顶部表面实质齐平。介电层系与塑封材料与设备晶粒重叠，介电层的底表面系接触设备晶粒的顶部表面与塑封材料的顶部表面。重布线系延伸至介电层中，以电耦合至金属柱。
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公开(公告)号：TW201623497A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104136906
申请日：2015-11-09
发明人： 谷川満 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邉貴志 , WATANABE, TAKASHI , 藤田悠介 , FUJITA, YUSUKE , 藤田義人 , FUJITA, YOSHITO , 上田倫久 , UEDA, MICHIHISA , 乾靖 , INUI, OSAMU , 高橋良輔 , TAKAHASHI, RYOSUKE , 井上孝徳 , INOUE, TAKANORI
IPC分类号： C09J4/02 , C09J4/06 , C09J163/00 , C09J163/10 , C09J5/06 , C09D11/36 , H01L21/683
CPC分类号： C09J133/14 , C09J4/00 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J133/06 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09J201/08 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/52 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/278 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/75155 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , C08F220/18 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2224/83
摘要： 本發明提供一種可提高接著劑硬化而得之接著劑層之厚度精度，進而可不易於接著劑層產生孔隙之噴墨用光及熱硬化性接著劑。 本發明之噴墨用光及熱硬化性接著劑包含光硬化性化合物、熱硬化性化合物、光聚合起始劑、及熱硬化劑，且以365nm下之照度成為100mW/cm2之方式對接著劑照射累計光量1000mJ/cm2之光而獲得B-階段化接著劑時，上述B-階段化接著劑於25℃下之彈性模數為5.0×102Pa以上且8.0×104Pa以下。
简体摘要： 本发明提供一种可提高接着剂硬化而得之接着剂层之厚度精度，进而可不易于接着剂层产生孔隙之喷墨用光及热硬化性接着剂。 本发明之喷墨用光及热硬化性接着剂包含光硬化性化合物、热硬化性化合物、光聚合起始剂、及热硬化剂，且以365nm下之照度成为100mW/cm2之方式对接着剂照射累计光量1000mJ/cm2之光而获得B-阶段化接着剂时，上述B-阶段化接着剂于25℃下之弹性模数为5.0×102Pa以上且8.0×104Pa以下。
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公开(公告)号：TW201604994A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104118366
申请日：2015-06-05
发明人： 類維生 , LEI, WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
CPC分类号： H01L24/73 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/27002 , H01L2224/27009 , H01L2224/2741 , H01L2224/27436 , H01L2224/27831 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/83191 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2224/27 , H01L2224/11 , H01L2224/73204 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/06 , H01L2924/00014
摘要： 本發明描述切割半導體晶圓之方法，每一晶圓上具有複數個積體電路。在一實例中，切割晶圓之方法涉及提供前側上具有積體電路且積體電路上安置有晶圓級底部填料材料層之半導體晶圓。該方法亦涉及自半導體晶圓之背側雷射輻射半導體晶圓以沿半導體晶圓之切割劃道產生缺陷，該等切割劃道經定向處於積體電路之間。方法亦涉及在雷射輻射後沿切割劃道機械切單積體電路。
简体摘要： 本发明描述切割半导体晶圆之方法，每一晶圆上具有复数个集成电路。在一实例中，切割晶圆之方法涉及提供前侧上具有集成电路且集成电路上安置有晶圆级底部填料材料层之半导体晶圆。该方法亦涉及自半导体晶圆之背侧激光辐射半导体晶圆以沿半导体晶圆之切割划道产生缺陷，该等切割划道经定向处于集成电路之间。方法亦涉及在激光辐射后沿切割划道机械切单集成电路。
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