公开(公告)号：TW201640560A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105100569

申请日：2016-01-08

申请人： 簡森 艾利克 ,  JANZEN, ERIK ,  陳志泰 ,  CHEN, JR TAI

发明人： 簡森 艾利克 ,  JANZEN, ERIK ,  陳志泰 ,  CHEN, JR TAI

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02694 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

摘要： 本發明揭露一半導體元件結構，由一碳化矽(SiC)基板、一氮化銦鋁鎵(Inx1Aly1Ga1-x1-y1N，其中x1、y1介於0至1之間，且x1+y1=1)緩衝層與一氮化銦鋁鎵(Inx2Aly2Ga1-x2-y2N，其中x2、y2介於0至1之間，且x2+y2=1)成核層所構成，該成核層位於碳化矽基板和緩衝層之間。由X光繞射儀(XRD)測量後得到以下結果，緩衝層的晶格面之搖擺曲線呈現出最大半高寬低於250角秒(arcsec)，而成核層的晶格面之搖擺曲線呈現出最大半高寬低於200角秒。 生產此類型知半導體元件結構之製法也在此揭露。

简体摘要： 本发明揭露一半导体组件结构，由一碳化硅(SiC)基板、一氮化铟铝镓(Inx1Aly1Ga1-x1-y1N，其中x1、y1介于0至1之间，且x1+y1=1)缓冲层与一氮化铟铝镓(Inx2Aly2Ga1-x2-y2N，其中x2、y2介于0至1之间，且x2+y2=1)成核层所构成，该成核层位于碳化硅基板和缓冲层之间。由X光绕射仪(XRD)测量后得到以下结果，缓冲层的晶格面之摇摆曲线呈现出最大半高宽低于250角秒(arcsec)，而成核层的晶格面之摇摆曲线呈现出最大半高宽低于200角秒。 生产此类型知半导体组件结构之制法也在此揭露。

公开(公告)号：TW201705496A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105105699

申请日：2016-02-25

申请人： 簡森 艾利克 ,  JANZEN, ERIK ,  陳志泰 ,  CHEN, JR TAI

发明人： 陳志泰 ,  CHEN, JR TAI ,  簡森 艾利克 ,  JANZEN, ERIK

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L29/205 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

摘要： 本發明揭露一AlxGa1-xN/GaN異質結構，其中0.10

简体摘要： 本发明揭露一AlxGa1-xN/GaN异质结构，其中0.10