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1.发明专利强介電體膜層積體、强介電體記憶體、壓電元件、液體噴射頭及印表機 FERROELECTRIC FILM LAMINATED BODY, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT, LIQUID JET HEAD, AND PRINTER 审中-公开强介电体膜层积体、强介电体内存、压电组件、液体喷射头及打印机 FERROELECTRIC FILM LAMINATED BODY, FERROELECTRIC MEMORY, PIEZOELECTRIC ELEMENT, LIQUID JET HEAD, AND PRINTER
公开(公告)号：TW200536108A
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：TW094112755
申请日：2005-04-21
Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI
IPC: H01L
CPC classification number: H01L28/55 , B41J2/14233 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/65 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本發明提供一種結晶瑕疵少而具有良好特性之鐵電體膜層積體。鐵電體膜層積體包含：電極102，及形成於該電極上之PZT系鐵電體膜101。鐵電體膜101在鈦組成中，將2.5莫耳％以上、40莫耳％以下替換成鈮，電極102大致不含自鐵電體膜擴散之氧。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种结晶瑕疵少而具有良好特性之铁电体膜层积体。铁电体膜层积体包含：电极102，及形成于该电极上之PZT系铁电体膜101。铁电体膜101在钛组成中，将2.5莫耳％以上、40莫耳％以下替换成铌，电极102大致不含自铁电体膜扩散之氧。
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2.发明专利前驅體組合物、前驅體組合物之製造方法、强介電質膜之製造方法、壓電元件、半導體裝置、壓電致動器、噴墨式記錄頭、及噴墨印表機 失效前驱体组合物、前驱体组合物之制造方法、强介电质膜之制造方法、压电组件、半导体设备、压电致动器、喷墨式记录头、及喷墨打印机
公开(公告)号：TWI305041B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW094117254
申请日：2005-05-26
Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI , 上野真由美 UENO, MAYUMI
IPC: H01L
CPC classification number: C04B35/493 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C01G25/00 , C01G33/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B2235/3251 , C04B2235/3287 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/761 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本發明提供一種在液態法中組合控制性佳,且鉛等金屬成分可再利用之强電介質形成用之前驅體組合物、該前驅體組合物之製造方法、及使用前驅體組合物之强電介質膜之製造方法。前驅體組合物包含形成强電介質用之前驅體,前述强電介質以一般式AB1-xCxO3表示,A元素至少包含鉛,B元素包含鋯、鈦、釩、鎢及鉿之至少一種,C元素包含鈮及鉭之至少一種,前述前驅體至少包含前述B元素及C元素,且一部分中具有酯鍵。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种在液态法中组合控制性佳,且铅等金属成分可再利用之强电介质形成用之前驱体组合物、该前驱体组合物之制造方法、及使用前驱体组合物之强电介质膜之制造方法。前驱体组合物包含形成强电介质用之前驱体,前述强电介质以一般式AB1-xCxO3表示,A元素至少包含铅,B元素包含锆、钛、钒、钨及铪之至少一种,C元素包含铌及钽之至少一种,前述前驱体至少包含前述B元素及C元素,且一部分中具有酯键。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI267188B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW094101569
申请日：2005-01-19
Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI , 宮澤弘 MIYAZAWA, HIROMU , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/11507 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B2235/3231 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C23C18/1216 , H01L21/31691 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本發明乃有關鐵電體膜、鐵電記憶體、及壓電元件，其課題乃提供可得高可靠性之鐵電體裝置之鐵電體膜，其解決手段乃以ABO3所表示之鈣鈦礦構造鐵電體所構成之鐵電體膜中，做為A側添加離子，包含Si2+、Ge2+以及 Sn2+中最少一種以上，做為B側添加離子至少包含Nb+5。
Abstract in simplified Chinese: 本发明乃有关铁电体膜、铁电内存、及压电组件，其课题乃提供可得高可靠性之铁电体设备之铁电体膜，其解决手段乃以ABO3所表示之钙钛矿构造铁电体所构成之铁电体膜中，做为A侧添加离子，包含Si2+、Ge2+以及 Sn2+中最少一种以上，做为B侧添加离子至少包含Nb+5。
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4.发明专利複合氧化物層積體,複合氧化物層積體之製造方法、裝置 COMPLEX OXIDE LAMINATE, METHOD OF MANUFACTURING COMPLEX OXIDE LAMINATE, AND DEVICE 审中-公开复合氧化物层积体,复合氧化物层积体之制造方法、设备 COMPLEX OXIDE LAMINATE, METHOD OF MANUFACTURING COMPLEX OXIDE LAMINATE, AND DEVICE
公开(公告)号：TW200746388A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095131790
申请日：2006-08-29
Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI , 大橋幸司 OHASHI, KOJI , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI
IPC: H01L
CPC classification number: H03H9/02574 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318 , Y10T428/12493
Abstract: [課題]提供一種絕緣性優良之複合氧化物層積體,以及其製造方法。[解決手段]係包含有:基板20;和被形成於前述基板20之上方,且以一般式ABO3所表示之第1複合氧化物層24;和被形成於前述第1複合氧化物層24之上方,且以一般式AB1-XCXO3所表示的第2複合氧化物層26,其特徵為:A元素,係至少由Pb所成,B元素,係由Zr、Ti、V、W以及Hf中之至少1個所成,C元素,係由Nb及Ta中之至少1個所成。
Abstract in simplified Chinese: [课题]提供一种绝缘性优良之复合氧化物层积体,以及其制造方法。[解决手段]系包含有:基板20;和被形成于前述基板20之上方,且以一般式ABO3所表示之第1复合氧化物层24;和被形成于前述第1复合氧化物层24之上方,且以一般式AB1-XCXO3所表示的第2复合氧化物层26,其特征为:A元素,系至少由Pb所成,B元素,系由Zr、Ti、V、W以及Hf中之至少1个所成,C元素,系由Nb及Ta中之至少1个所成。
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5.发明专利前驅物組合物、前驅物組合物之製造方法、墨水噴射塗佈用墨水、鐵電體膜之製造方法、壓電元件、半導體裝置、壓電致動器、墨水噴射式記錄頭及墨水噴射印表機 PRECURSOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING PRECURSOR COMPOSITION, INKJET COATING INK, METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, INKJET RECORDING HEAD, AND INKJET PRINTER 审中-公开前驱物组合物、前驱物组合物之制造方法、墨水喷射涂布用墨水、铁电体膜之制造方法、压电组件、半导体设备、压电致动器、墨水喷射式记录头及墨水喷射打印机 PRECURSOR COMPOSITION, METHOD OF MANUFACTURING PRECURSOR COMPOSITION, INKJET COATING INK, METHOD OF MANUFACTURING FERROELECTRIC FILM, PIEZOELECTRIC DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, INKJET RECORDING HEAD, AND INKJET PRINTER
公开(公告)号：TW200640705A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW094146378
申请日：2005-12-23
Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI , 岩下節也 IWASHITA, SETSUYA , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI
CPC classification number: C01G33/006 , C01G35/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/493 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B2235/3251 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C09D11/30 , C09D11/36 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本發明提供一種於液相法中，組合控制性良好且可再利用鉛等金屬成分之鐵電體形成用之前驅物組合物、該前驅物組合物之製造方法以及使用前驅物組合物的鐵電體膜之製造方法。一種前驅物組合物，其係含有用以形成鐵電體之前驅物者，上述鐵電體以通式AB1-XCXO3表示，A元素至少包含Pb，B元素包含Zr、Ti、V、W及Hf之至少一種，C元素包含Nb及Ta之至少一種，上述前驅物至少含有上述B元素以及C元素，並且一部分具有酯鍵，上述前驅物溶解或分散於有機溶劑，上述有機溶劑至少含有第一醇與沸點以及黏度高於該第一醇之第二醇。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种于液相法中，组合控制性良好且可再利用铅等金属成分之铁电体形成用之前驱物组合物、该前驱物组合物之制造方法以及使用前驱物组合物的铁电体膜之制造方法。一种前驱物组合物，其系含有用以形成铁电体之前驱物者，上述铁电体以通式AB1-XCXO3表示，A元素至少包含Pb，B元素包含Zr、Ti、V、W及Hf之至少一种，C元素包含Nb及Ta之至少一种，上述前驱物至少含有上述B元素以及C元素，并且一部分具有酯键，上述前驱物溶解或分散于有机溶剂，上述有机溶剂至少含有第一醇与沸点以及黏度高于该第一醇之第二醇。
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6.发明专利前驅體組合物、前驅體組合物之製造方法、强介電質膜之製造方法、壓電元件、半導體裝置、壓電致動器、噴墨式記錄頭、及噴墨印表機 失效前驱体组合物、前驱体组合物之制造方法、强介电质膜之制造方法、压电组件、半导体设备、压电致动器、喷墨式记录头、及喷墨打印机
公开(公告)号：TW200539428A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW094117254
申请日：2005-05-26
Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI , 上野真由美 UENO, MAYUMI
IPC: H01L
CPC classification number: C04B35/493 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C01G25/00 , C01G33/006 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B2235/3251 , C04B2235/3287 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/761 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本發明提供一種在液態法中組合控制性佳，且鉛等金屬成分可再利用之強電介質形成用之前驅體組合物、該前驅體組合物之製造方法、及使用前驅體組合物之強電介質膜之製造方法。前驅體組合物包含形成強電介質用之前驅體，前述強電介質以一般式AB＜1–xCxO3表示，A元素至少包含鉛，B元素包含鋯、鈦、釩、鎢及鉿之至少一種，C元素包含鈮及鉭之至少一種，前述前驅體至少包含前述B元素及C元素，且一部分中具有酯鍵。094117254-p01.bmp
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种在液态法中组合控制性佳，且铅等金属成分可再利用之强电介质形成用之前驱体组合物、该前驱体组合物之制造方法、及使用前驱体组合物之强电介质膜之制造方法。前驱体组合物包含形成强电介质用之前驱体，前述强电介质以一般式AB＜1–xCxO3表示，A元素至少包含铅，B元素包含锆、钛、钒、钨及铪之至少一种，C元素包含铌及钽之至少一种，前述前驱体至少包含前述B元素及C元素，且一部分中具有酯键。094117254-p01.bmp
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公开(公告)号：TW200531261A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094101569
申请日：2005-01-19
Applicant: 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
Inventor： 木島健 KIJIMA, TAKESHI , 宮澤弘 MIYAZAWA, HIROMU , 濱田泰彰 HAMADA, YASUAKI
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/11507 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B2235/3231 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C23C18/1216 , H01L21/31691 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本發明乃有關鐵電體膜、鐵電記憶體、及壓電元件，其課題乃提供可得高可靠性之鐵電體裝置之鐵電體膜，其解決手段乃以ABO3所表示之鈣鈦礦構造鐵電體所構成之鐵電體膜中，做為A側添加離子，包含 Si^2＋、Ge^2＋以及Sn^2＋中最少一種以上，做為B側添加離子至少包含Nb^5＋。
Abstract in simplified Chinese: 本发明乃有关铁电体膜、铁电内存、及压电组件，其课题乃提供可得高可靠性之铁电体设备之铁电体膜，其解决手段乃以ABO3所表示之钙钛矿构造铁电体所构成之铁电体膜中，做为A侧添加离子，包含 Si^2＋、Ge^2＋以及Sn^2＋中最少一种以上，做为B侧添加离子至少包含Nb^5＋。
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