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公开(公告)号:TWI613688B
公开(公告)日:2018-02-01
申请号:TW104135130
申请日:2015-10-26
申请人: 太陽誘電股份有限公司 , TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人: 川村知栄 , KAWAMURA, CHIE , 志村哲生 , SHIMURA, TETSUO , 龍穣 , RYU, MINORU , 森田浩一郎 , MORITA, KOUICHIRO , 小西幸宏 , KONISHI, YUKIHIRO , 岩崎誉志紀 , IWAZAKI, YOSHIKI
CPC分类号: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B2235/3224 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/785 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/30
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公开(公告)号:TWI561490B
公开(公告)日:2016-12-11
申请号:TW104118687
申请日:2008-07-04
发明人: 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 阿部能之 , ABE, YOSHIYUKI
IPC分类号: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , C03C17/245 , H01B1/08
CPC分类号: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
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公开(公告)号:TWI532864B
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:TW101121654
申请日:2012-06-15
发明人: 宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 曾我部浩一 , SOGABE, KOICHI , 粟田英章 , AWATA, HIDEAKI , 岡田浩 , OKADA, HIROSHI , 吉村雅司 , YOSHIMURA, MASASHI
IPC分类号: C23C14/34
CPC分类号: C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
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公开(公告)号:TW201605987A
公开(公告)日:2016-02-16
申请号:TW104113462
申请日:2015-04-28
发明人: 山川裕 , YAMAKAWA, YU , 釆山和弘 , UNEYAMA, KAZUHIRO , 菱川敬太 , HISHIKAWA, KEITA , 西正之 , NISHI, MASAYUKI , 清水雅弘 , SHIMIZU, MASAHIRO
CPC分类号: G01N21/255 , C01G29/00 , C01G31/02 , C01G39/02 , C01G41/02 , C01P2006/60 , C04B35/453 , C04B35/495 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3298 , C04B2235/5436 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C24/00 , G01N21/718 , G01N21/75 , G01N21/78 , G01N31/22 , G01N31/223 , G01N31/226 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32935 , H01J2237/3321 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/32136
摘要: 本發明係提供一種電漿處理檢測指示劑,其特徵為其係具有因電漿處理而變色的變色層之指示劑,且其可將因電漿處理導致變色層氣化所形成之微屑飛散情形,抑制在不影響電子設備特性之程度,且具有良好的耐熱性。 具體而言,本發明係提供一種電漿處理檢測指示劑,其係具有因電漿處理而變色之變色層的電漿處理檢測指示劑;且前述變色層係含有選自Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi所成群中至少一種金屬元素的單體及/或含有該金屬元素的無機化合物者。
简体摘要: 本发明系提供一种等离子处理检测指示剂,其特征为其系具有因等离子处理而变色的变色层之指示剂,且其可将因等离子处理导致变色层气化所形成之微屑飞散情形,抑制在不影响电子设备特性之程度,且具有良好的耐热性。 具体而言,本发明系提供一种等离子处理检测指示剂,其系具有因等离子处理而变色之变色层的等离子处理检测指示剂;且前述变色层系含有选自Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi所成群中至少一种金属元素的单体及/或含有该金属元素的无机化合物者。
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公开(公告)号:TWI519502B
公开(公告)日:2016-02-01
申请号:TW101123963
申请日:2012-07-04
发明人: 曾我部健太郎 , SOGABE, KENTARO , 小澤誠 , OZAWA, MAKOTO
IPC分类号: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/24 , C23C14/34
CPC分类号: C23C14/086 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/96 , C23C14/3414
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公开(公告)号:TW201518245A
公开(公告)日:2015-05-16
申请号:TW103125435
申请日:2010-08-04
发明人: 中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI , 阿部能之 , ABE, YOSHIYUKI
CPC分类号: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
摘要: 本發明之課題為提供適合於藍色LED或太陽能電池的透明導電膜之可實現高速成膜與無結瘤成膜的濺鍍用靶、用於得到其之最合適的氧化物燒結體與其製造方法。 本發明的解決手段為提供一種氧化物燒結體,其係由銦與鈰之氧化物所構成,鈰的含量以Ce/(In+Ce)原子數比表示係0.3~9原子%,其特徵為:該氧化物燒結體係方鐵錳礦(bixbyite)型構造的In2O3相成為主要結晶相,作為第2相的螢石型構造之CeO2相係當作平均粒徑3μm以下的結晶粒微細地分散;藉由混合由氧化銦粉末與氧化鈰粉末所構成之個別平均粒徑1.5μm以下的原料粉末後,將混合粉末成形,經由常壓燒結法燒結成形物,或經由熱壓法將混合粉末成形、燒結而製造氧化物燒結體之方法等。
简体摘要: 本发明之课题为提供适合于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜之可实现高速成膜与无结瘤成膜的溅镀用靶、用于得到其之最合适的氧化物烧结体与其制造方法。 本发明的解决手段为提供一种氧化物烧结体,其系由铟与铈之氧化物所构成,铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比表示系0.3~9原子%,其特征为:该氧化物烧结体系方铁锰矿(bixbyite)型构造的In2O3相成为主要结晶相,作为第2相的萤石型构造之CeO2相系当作平均粒径3μm以下的结晶粒微细地分散;借由混合由氧化铟粉末与氧化铈粉末所构成之个别平均粒径1.5μm以下的原料粉末后,将混合粉末成形,经由常压烧结法烧结成形物,或经由热压法将混合粉末成形、烧结而制造氧化物烧结体之方法等。
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公开(公告)号:TWI441212B
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:TW096146479
申请日:2007-12-06
申请人: 菲洛公司 , FERRO CORPORATION
发明人: 格哈度斯W. 柯布魯格 , KOEBRUGGE, GERHARDUS W. , 努斯艾伯森 , ALBERTSEN, KNUTH , 威利布羅度斯J. L. M. J. 柯平斯 , COPPENS, WILLIBRORDUS J. L. M. J.
IPC分类号: H01G4/12 , H01G4/33 , C04B35/468 , C04B35/65
CPC分类号: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/77 , H01G4/1227 , H01G4/30 , H01L28/60
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公开(公告)号:TWI435858B
公开(公告)日:2014-05-01
申请号:TW097132256
申请日:2008-08-22
发明人: 伊莎貝拉 卡波迪 , CABODI, ISABELLE , 米契爾 甘比爾 , GAUBIL, MICHEL
IPC分类号: C04B35/484 , C04B35/657 , C03B5/43
CPC分类号: C04B35/484 , C03B5/43 , C04B2235/3217 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/727
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公开(公告)号:TWI433823B
公开(公告)日:2014-04-11
申请号:TW098123881
申请日:2009-07-15
申请人: 東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人: 倉持豪人 , KURAMOCHI, HIDETO , 尾身健治 , OMI, KENJI , 市田正典 , ICHIDA, MASANORI , 飯草仁志 , IIGUSA, HITOSHI
CPC分类号: C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/658 , C04B2235/763 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
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公开(公告)号:TW201402844A
公开(公告)日:2014-01-16
申请号:TW102137473
申请日:2007-12-11
发明人: 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 矢野公規 , YANO, KOKI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI
CPC分类号: H01J37/3429 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/62625 , C04B35/62655 , C04B35/64 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/725 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J2237/332 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要: 本發明係為一種含有銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)之氧化物的濺鍍靶,其為含有以ZnGa2O4所示之化合物及InGaZnO4所示之化合物之濺鍍靶。
简体摘要: 本发明系为一种含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)之氧化物的溅镀靶,其为含有以ZnGa2O4所示之化合物及InGaZnO4所示之化合物之溅镀靶。
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